原青云:航天器介质盘环结构内带电特性三维仿真分析论文

原青云:航天器介质盘环结构内带电特性三维仿真分析论文

本文主要研究内容

作者原青云,王松,黄欣鑫(2019)在《航天器介质盘环结构内带电特性三维仿真分析》一文中研究指出:针对航天器内特定结构的内带电(IDC)问题,以航天器典型复杂介质结构——太阳帆板驱动机构介质盘环为研究对象,开展了地球同步轨道恶劣充电环境(Flumic3)下介质内带电三维仿真分析。通过Geant4实现电荷输运模拟,根据电荷守恒定律数值计算得到电场,在此基础上,研究了屏蔽厚度对介质内带电的影响规律,提出了根据屏蔽厚度调整入射电子能谱能量下限以提高计算效率的方法。仿真结果表明,盘环结构内带电最严重部位是盘环最外圈上层介质与金属导电环接触的上边沿;增加屏蔽厚度可以减缓充电风险,但是随着温度降低,屏蔽效果会随之减弱。在地球同步轨道恶劣充电环境(Flumic3)下,当温度低至183K时,由于辐射诱导电导率成为总电导率的主导部分,从而增大屏蔽的同时也会降低介质电导率,导致即使3mm铝屏蔽下仍可能出现接近107 V/m的场强峰值。

Abstract

zhen dui hang tian qi nei te ding jie gou de nei dai dian (IDC)wen ti ,yi hang tian qi dian xing fu za jie zhi jie gou ——tai yang fan ban qu dong ji gou jie zhi pan huan wei yan jiu dui xiang ,kai zhan le de qiu tong bu gui dao e lie chong dian huan jing (Flumic3)xia jie zhi nei dai dian san wei fang zhen fen xi 。tong guo Geant4shi xian dian he shu yun mo ni ,gen ju dian he shou heng ding lv shu zhi ji suan de dao dian chang ,zai ci ji chu shang ,yan jiu le bing bi hou du dui jie zhi nei dai dian de ying xiang gui lv ,di chu le gen ju bing bi hou du diao zheng ru she dian zi neng pu neng liang xia xian yi di gao ji suan xiao lv de fang fa 。fang zhen jie guo biao ming ,pan huan jie gou nei dai dian zui yan chong bu wei shi pan huan zui wai juan shang ceng jie zhi yu jin shu dao dian huan jie chu de shang bian yan ;zeng jia bing bi hou du ke yi jian huan chong dian feng xian ,dan shi sui zhao wen du jiang di ,bing bi xiao guo hui sui zhi jian ruo 。zai de qiu tong bu gui dao e lie chong dian huan jing (Flumic3)xia ,dang wen du di zhi 183Kshi ,you yu fu she you dao dian dao lv cheng wei zong dian dao lv de zhu dao bu fen ,cong er zeng da bing bi de tong shi ye hui jiang di jie zhi dian dao lv ,dao zhi ji shi 3mmlv bing bi xia reng ke neng chu xian jie jin 107 V/mde chang jiang feng zhi 。

论文参考文献

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  • 论文详细介绍

    论文作者分别是来自航空学报的原青云,王松,黄欣鑫,发表于刊物航空学报2019年09期论文,是一篇关于航天器论文,介质内带电论文,三维仿真论文,介质盘环结构论文,屏蔽厚度论文,航空学报2019年09期论文的文章。本文可供学术参考使用,各位学者可以免费参考阅读下载,文章观点不代表本站观点,资料来自航空学报2019年09期论文网站,若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权,请联系我们删除。

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