导读:本文包含了碳化硅二极管论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:二极管,高能效,安森美半导体,高功率密度
碳化硅二极管论文文献综述
[1]（2019）在《安森美半导体的碳化硅(SiC)二极管提供更高能效、更高功率密度和更低的系统成本》一文中研究指出安森美半导体(ON Semiconductor)推出最新650V碳化硅(SiC)肖特基二极管系列产品,扩展了SiC二极管产品组合。这些二极管的尖端碳化硅技术提供更高的开关性能、更低的功率损耗,并轻松实现器件并联。安森美半导体最新发布的650VSiC二极管系列提供6A到50A的表面贴(本文来源于《半导体信息》期刊2019年03期）
黄毛毛,李瑞,李德明,魏居魁,武万锋[2]（2019）在《碳化硅二极管在高压电源的应用研究》一文中研究指出依据脉冲调制器高压电源的需要,研制基于平面绝缘芯变压器结构的高压充电电源。高压充电电源输出结构由多组输出线圈串联,所以电源输出整流二极管数量多,而二极管的功率损耗对电源密封输出结构的温升有直接的影响,所以分别对普通二极管、快恢复二极管和碳化硅肖特基二极管的工作特性进行仿真分析,分析了二极管的关断电流斜率和反向恢复峰值电流的关系,比较了叁种二极管在电路中的功率损耗,并依此确定了应用于高压低电流电源上选择二极管的原则。选择C4D05120E(1200V9A)作为高压电源的整流二极管,设计了高压整流电路,并在实验中验证了二极管功率损耗,整体的功率损耗符合二极管功率特性的分析。(本文来源于《核技术》期刊2019年05期）
[3]（2019）在《Littelfuse将于2019年APEC大会上推出650V碳化硅肖特基二极管该二极管提供新的封装尺寸以及6A至40A的额定电流》一文中研究指出Littelfuse,Inc.近日宣布推出两款二极管,进一步扩大了其二代650V、符合AEC-Q101标准的碳化硅肖特基二极管系列。相比传统的硅基器件,两个系列均为电力电子系统设计人员提供多种优势,包括可忽略不计的反向恢复电流、高浪涌保护能力以及175°C最高运行结温,因此是需要增强效率、可靠性与(本文来源于《半导体信息》期刊2019年02期）
[4]（2019）在《叁菱电机全新发布1200V碳化硅肖特基二极管》一文中研究指出近日,叁菱电机株式会社发布了1200V碳化硅肖特基二极管产品,该产品有利于降低太阳能发电系统、EV充电器等系统的损耗和体积。预计将于2019年6月提供样品,2020年1月开始发售。本产品将在"TECHNO-FRONTIER 2019-MOTORTECHJAPAN-"(4月17日～19日于日本幕张举行),"PCIM Europe 2019展"(5月7～9日于德国纽(本文来源于《半导体信息》期刊2019年02期）
[5]（2019）在《叁菱电机全新发布1200V碳化硅肖特基二极管》一文中研究指出早在20世纪90年代,叁菱电机便开始了对碳化硅材料的研究。自2010年起,叁菱电机陆续推出了搭载SiC-SBD[2]、SiC-MOSFET[6]的SiC功率半导体模块,广泛应用于空调以及工业机械、铁路车辆的逆变器系统等,为降低家电及工业机械的耗电量,缩小其体积和重量做出了贡献。近日,叁菱电机株式会社发布了1200V碳化硅肖特基二极管产品,该产品有利于降低太阳能发电系统、EV充电器等系统的损耗和体积。预计将于2019年6月提供样品,2020年1月开始发售。(本文来源于《变频器世界》期刊2019年04期）
唐泽伦,董健年,张军,徐麟[6]（2019）在《硅和碳化硅二极管在脉冲功率源中的对比研究》一文中研究指出碳化硅功率器件近年来发展很快,具有高击穿电压、高热导率等优点。通过仿真和实验研究了碳化硅二极管作为续流二极管应用在脉冲形成网络中的表现,并与硅二极管作对比。实验结果表明,碳化硅二极管在常温下抗浪涌电流能力不如硅二极管。在高温下两者抗浪涌电流能力均有所减弱,但硅超快恢复二极管的抗浪涌电流能力下降更多。可以预见在更高的温度下,碳化硅肖特基二极管的抗浪涌电流能力将超过硅快恢复二极管。(本文来源于《电子测量技术》期刊2019年02期）
[7]（2018）在《安森美半导体发布碳化硅(SiC)二极管用于要求严苛的汽车应用》一文中研究指出推动高能效创新的安森美半导体发布了碳化硅(SiC)肖特基二极管的扩展系列,包括专门用于要求严苛的汽车应用的器件。新的符合AEC-Q101车规的汽车级SiC二极管提供现代汽车应用所需的可靠性和强固性,以及等同于宽禁隙(WBG)技术的众多性能优势。(本文来源于《半导体信息》期刊2018年06期）
[8]（2018）在《Littelfuse完成对碳化硅二极管和MOSFET开发商Monolith的收购》一文中研究指出位于美国伊利诺伊州芝加哥市的Littelfuse公司已完成对美国德克萨斯州Round Rock的初创公司Monolith Semiconductor Inc的收购,该公司主要是对碳化硅(SiC)功率器件技术进行开发研究。Littelfuse于2015年便开始与Monolith合作,过去叁年中在开发了一系列技术和商业产品的同时,逐步增加了对(本文来源于《半导体信息》期刊2018年06期）
[9]（2018）在《Littelfuse推出五款GEN2碳化硅(SiC)肖特基二极管降低能源成本和空间要求》一文中研究指出Littelfuse公司新推出五款GEN2系列1200V3LTO-247肖特基二极管和叁款GEN2系列1200V2LTO-263肖特基二极管,扩充其碳化硅电源半导体产品组合。相比硅二极管,GEN2碳化硅肖特基二极管可显着降低开关损耗,并大幅提高电力电子系统的效率和可靠性。本次产品发布于纽伦堡举行的PCIM2018欧洲展会期间举办。碳化硅技术的高效性为电动汽车充电器、数据中心电源和可再生能源系统的设计师提供了多重优势。由于GEN2碳化硅肖特基二极管相比许多其他解决(本文来源于《半导体信息》期刊2018年04期）
仲雪倩[10]（2018）在《碳化硅超级结肖特基二极管的研究》一文中研究指出碳化硅(SiC)作为第叁代宽禁带半导体材料的典型代表,具有宽禁带宽度、高临界击穿场强、高热导率及高载流子饱和速率等特性。上述材料优势使得SiC功率半导体器件在新能源发电、高铁牵引设备、混合动力汽车等中高耐压等级应用领域具有广阔的发展前景。SiC器件优化进步的重要方向之一是不断降低器件的比导通电阻(Ron,sp)。尽管在过去近叁十年里,经过学术界和产业界科研团队的不懈努力,已经开发出了 一系列正向导通性能优良的SiC器件,但仍未从根本上打破SiC单极型器件理论一维极限的限制。对于1～15kV中高电压等级的SiC单极型器件而言,降低其比导通电阻的本质,就是降低其漂移区比导通电阻。而超级结技术毫无疑问是降低漂移区比导通电阻的最有效手段。硅基超级结器件的两种成熟技术路线,多次外延技术和沟槽刻蚀-外延回填技术,均因为工艺不完善、成本较高等原因未能在SiC材料中得到成功应用。本论文提出了一种基于SiC深槽刻蚀及离子注入方法的技术路线,对SiC超级结二极管器件开展了系统的理论研究和实验探索,具体包括:1)SiC超级结肖特基二极管的工作机理、参数设计和结构优化研究;2)SiC超级结肖特基二极管的关键工艺开发和研究;3)SiC超级结肖特基二极管的整体流片及器件制备;4)SiC超级结肖特基二极管器件的性能测试和表征。本论文的主要工作具有以下创新之处:本论文提出了一种基于SiC深槽结构、并采用倾斜离子注入的方式引入异型杂质离子以达到超级结器件电荷平衡的技术路线。在该技术路线中,器件耐压等级通过增加沟槽刻蚀深度而提升,避免了通过多次外延增加超级结结构纵向深度的技术障碍;相比于难度较大的外延回填技术,补偿型杂质可以通过离子注入的方式较为方便地引入器件漂移区。该技术路线为SiC超级结器件的早期实验探索,提供了现阶段最为有效而可行的发展路径。本论文对沟槽型SiC超级结器件进行了全面的结构设计研究,揭示了关键结构参数对器件电学性能的影响机理,并提出了一种使用退火温度调控电荷补偿程度的方法。本论文系统地研究了注入区电荷浓度、SiC台面宽度、SiC沟槽深度、侧壁倾斜角度等关键结构参数对器件反向阻断及正向导通性能的影响机理,从理论上证明了深槽刻蚀-侧壁离子注入路线制备的SiC超级结二极管器件能够实现对“SiC一维极限”的大幅度突破。同时,本工作提出一种注入区电荷浓度优化设计的实现方法,即通过调整退火温度来调整注入离子的激活程度,从而调控超级结电荷补偿程度。实验结果证明,该方法以较小的实验成本,较好地击中了仿真设计的超级结电荷平衡点。本论文提出了针对沟槽型SiC超级结器件的高深宽比、高密度的SiC深沟槽结构的刻蚀工艺优化方法。在探明微沟槽、角落凸起、侧壁粗糙等沟槽形貌缺陷对超级结器件电学特性的影响机理的基础上,本论文开展大量刻蚀工艺实验,通过掩膜工艺和ICP干法刻蚀工艺的协同优化,得到了深度大于6μm、深宽比大于2:1的理想沟槽结构,同时完全消除了微沟槽,得到了有利于器件反向阻断性能的圆滑“碗状”底部形貌。基于以上创新点,在开展了大量理论研究和实验探索工作的基础上,本论文成功制备了国际上首颗具有完整功能的SiC超级结功率半导体器件—1.35kV SiC超级结肖特基二极管。该SiC SJ-SBD器件的比导通电阻低达0.92 mΩ·cm2,该结果成功打破了 SiC单极型器件的理论一维极限。作为深槽刻蚀-倾斜离子注入型SiC超级结器件的较早探索,本论文的研究成果将为更高电压、更大电流的SiC超级结器件及叁端超级结元件的发展提供有益的理论基础和实践借鉴。可以预见,本论文及其后续研究,将全面推进SiC功率器件正向导通电阻、导通电流密度、器件品质因数等核心指标的突破性提升,对进一步推动SiC器件在轨道交通、智能电网、电动汽车、新能源并网等重要领域中的广泛应用具有至关重要的意义。(本文来源于《浙江大学》期刊2018-07-04）
碳化硅二极管论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
依据脉冲调制器高压电源的需要,研制基于平面绝缘芯变压器结构的高压充电电源。高压充电电源输出结构由多组输出线圈串联,所以电源输出整流二极管数量多,而二极管的功率损耗对电源密封输出结构的温升有直接的影响,所以分别对普通二极管、快恢复二极管和碳化硅肖特基二极管的工作特性进行仿真分析,分析了二极管的关断电流斜率和反向恢复峰值电流的关系,比较了叁种二极管在电路中的功率损耗,并依此确定了应用于高压低电流电源上选择二极管的原则。选择C4D05120E(1200V9A)作为高压电源的整流二极管,设计了高压整流电路,并在实验中验证了二极管功率损耗,整体的功率损耗符合二极管功率特性的分析。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
碳化硅二极管论文参考文献
[1]..安森美半导体的碳化硅(SiC)二极管提供更高能效、更高功率密度和更低的系统成本[J].半导体信息.2019
[2].黄毛毛,李瑞,李德明,魏居魁,武万锋.碳化硅二极管在高压电源的应用研究[J].核技术.2019
[3]..Littelfuse将于2019年APEC大会上推出650V碳化硅肖特基二极管该二极管提供新的封装尺寸以及6A至40A的额定电流[J].半导体信息.2019
[4]..叁菱电机全新发布1200V碳化硅肖特基二极管[J].半导体信息.2019
[5]..叁菱电机全新发布1200V碳化硅肖特基二极管[J].变频器世界.2019
[6].唐泽伦,董健年,张军,徐麟.硅和碳化硅二极管在脉冲功率源中的对比研究[J].电子测量技术.2019
[7]..安森美半导体发布碳化硅(SiC)二极管用于要求严苛的汽车应用[J].半导体信息.2018
[8]..Littelfuse完成对碳化硅二极管和MOSFET开发商Monolith的收购[J].半导体信息.2018
[9]..Littelfuse推出五款GEN2碳化硅(SiC)肖特基二极管降低能源成本和空间要求[J].半导体信息.2018
[10].仲雪倩.碳化硅超级结肖特基二极管的研究[D].浙江大学.2018