导读:本文包含了工艺依赖性论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:计量科学研究,工艺条件,实验室,国际单位制
工艺依赖性论文文献综述
田锋,李准,孙天宝,刘靖辉,关心[1]（2015）在《现代计量实验室对环境工艺条件依赖性探讨》一文中研究指出随着人类社会现代化进程的快速推进,计量需求在全球范围内快速增长,计量也成为推动科技创新、加快经济发展、维护贸易公平、促进社会进步、保障国家安全的重要技术支撑和整个国家经济和社会有序、持续发展的重要技术基石。我国《国家中长期科学和技术发展规划纲要(2006-2020年)》中提出"研究建立高精确度和高稳定性的计量基标准和标准物质体系"的要求,可见,计量作为我国实现创新型国家战略目标、推动战略型(本文来源于《中国计量》期刊2015年01期）
王青鹏[2]（2013）在《GaN MOSFET表征方法及工艺依赖性研究》一文中研究指出GaN作为第叁代半导体,和传统的Si相比具有更大的禁带宽度,更高击穿电场、更高的电子饱和速度等优点,使得其在高温,高频,大功率等场合具有令人瞩目的应用前景。研究人员已经做出了性能优良的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs),但它的常开特性使得其功耗较大。在这种情况下,可以做成常关型器件的GaN MOSFET成为了近年来的研究热点。然而实际制作的GaN MOSFET的沟道迁移率仍然较低,迁移率评价方法存在高估或者低估的问题。因此对GaN MOSFET制作工艺的优化并对其性能进行合理表征是十分重要的。本文研究主要分为两个部分,分别为测试表征方法的研究和工艺依赖性的研究。在测试表征部分,实验中在条形GaN MOSFET中发现了由不良隔离工艺所导致的平行沟道现象。在运用传统C-G_m方法时,这种平行沟道现象将导致两段迁移率现象并最终导致迁移率被高估。另一方面,经过ICP干法刻蚀,沟道的长度会出现展宽。这将导致迁移率被低估,特别对沟道比较短的MOSFET尤为明显。在本文中,实验证实且分析了以上这些现象,并提出了一种改进的方法来评价沟道迁移率和沟道长度变化量。通过改进方法所提取出的迁移率为152.3cmV-1s-1,这个结果能很好地吻合从长沟道环形器件提取到的被认为比较合理的迁移率结果。在器件工艺依赖性的研究中,采用了多种不同器件结构及制作工艺条件。首先,实验中采用了叁种不同结构的GaN MOSFET,结果显示,采用n掺杂并带有GaN帽层的异质结结构的MOSFET,具有最大的沟道电子迁移率和最低的界面态密度,是比较理想的GaN MOSFET的结构。同时实验中进行了不同ICP条件下的沟槽干法刻蚀实验,发现并分析了沟槽刻蚀过程中产生的侧墙附近过度刻蚀(沟槽)效应。找到了相对优化的ICP沟槽刻蚀条件。采用优化的工艺条件制作的GaN MOSFET的最大沟道迁移率达到151cm2V-1s-1,界面态密度为1.31×1011cm-2eV-1,取得了较为理想的成果。基于上述系列实验,本文提出了一套具有一定普适化的迁移率评价方案,能在不同类型的器件中得到一致的迁移率计算结果,有效地解决了由于器件尺寸偏差导致的迁移率被高估或者低估的问题。采用优化后的器件结构及ICP沟槽刻蚀条件能有效地提高GaN MOSFET的沟道迁移率。(本文来源于《大连理工大学》期刊2013-05-01）
邹艾岑[3]（2013）在《葫芦素B与呋喃唑酮合用对酒精依赖性动物的作用及其薄膜包衣剂制备工艺的研究》一文中研究指出目的观察给药后实验动物饮酒引起的呕吐反应；利用高效液相色谱法测定给药后实验动物血清中硝基苯乙醛（ACE-DNPH)的浓度，分析实验动物呕吐与血清中乙醛浓度之间的关系；研究上述药物戒酒的效果。研究葫芦素B和呋喃唑酮复方薄膜包衣片剂的制备工艺。方法分笼饲养的实验动物在第1周，每种动物每份100mL水里掺加25mL60度的白酒，第四周递增至100mL水中掺加100mL60度的白酒，持续2个月。实验期间减少动物其他水分来源，确保实验动物将含酒的水全部饮用。实验酒精依赖性动物分笼饲养，共分5组，(n=2)。分别为葫芦素B组（阳性药对照组）、呋喃唑酮组（阳性药对照组）、葫芦素B联合呋喃唑酮低剂量、葫芦素B联合呋喃唑酮中剂量及葫芦素B联合呋喃唑酮高剂量。给上述药物一周后，给予各组实验动物犬60度白酒80mL,猫60度白酒50mL，一次饮用。观察服饮酒后1.5h内的呕吐反应的程度与次数。采用高效液相色谱法测定给药前及给药动物饮酒后30、60、90min时间实验动物血清中ACE-DNPH浓度。L-2000Elite型高效液相色谱仪，色谱柱：HypersilODS2C18，柱温：35℃度，流动相为甲醇：水=80:20，检测波长为360nm,流速为1mL/min。将适量瓜蒂经粉碎后，研制成粗粉，然后用10倍量的水回流提取3次，一为次1.5h,滤过，提取液合并，得滤液，弃去滤渣，得到浓缩液。向浓缩液中缓慢加无水乙醇，边加边搅拌，使含醇量达70%，静置36h,得到上清液，将醇沉淀滤过，滤渣用等体积乙醇洗涤过滤，合并滤液。回收乙醇，浓缩，减压干燥，得干膏，为处方一。将处方二的呋喃唑酮片适量药片粉碎，添加处方一，混合过15目筛。加入混合辅料（可溶性淀粉：微晶纤维素=1:1，用量为混合浸膏的2.11倍），适量85%乙醇，适量的硬脂酸镁和蔗糖，进行整粒，后压片。用喷枪向包衣锅内匀速喷Ⅳ号丙烯酸树脂液，缓慢干燥48h,固化后制得成品。对葫芦素B和呋喃唑酮复方薄膜包衣片剂制备工艺的研究，通过考察使用不同辅料对片剂成型工艺的影响，筛选优化制剂最佳处方。结果经过90日饮酒后，实验动物逐渐对酒精产生依赖性，表现为选择性饮用含酒精的水。服用葫芦素B和呋喃唑酮的酒精依赖性动物饮酒后比单纯服用葫芦素B，呋喃唑酮的动物呕吐反应明显（P<0.01)，说明两药合用有协同作用。应用高效液相色谱法测定动物血清中ACE-DNPH含量，其在4-10μg/mL范围内与峰面积线性关系良好(n=7，r=0.9993)，平均回收率为0.98%。呋喃唑酮组动物饮酒后血清中ACE-DNPH含量较高，葫芦素B和呋喃唑酮组动物较低，表明两药使酒精依赖型动物饮酒后呕吐次数增加的作用与血液中的乙醛含量无关。对葫芦素B和呋喃唑酮的片芯进行处方的优化设计，以葫芦素B和呋喃唑酮为主要的片芯处方，以蔗糖，硬脂酸镁等为辅料，以Ⅳ号丙烯酸树脂为包衣液材料，进行薄膜包衣片剂的制备。结论合用葫芦素B和呋喃唑酮的酒精依赖性动物饮酒后比单纯服用葫芦素B，呋喃唑酮的动物呕吐反应明显（P<0.01)，说明两药合用有协同作用。显示出对酒精依赖性患者潜在的治疗作用，具有良好的应用前景。高效液相色谱法测定动物血清中ACE-DNPH含量专属性强，灵敏度高，重现性好；葫芦素B与呋喃唑酮合用对酒精依赖型动物饮酒后呕吐有协同作用；葫芦素B增加呋喃唑酮酒精依赖性动物饮酒后呕吐的作用与血中乙醛浓度无关。葫芦素B和呋喃唑酮复方薄膜包衣片剂制备工艺合理可行，成品稳定性好。(本文来源于《辽宁医学院》期刊2013-03-01）
宋名实,陈罕,胡桂贤,杨琳[4]（1993）在《自增强高性能聚合物的成型工艺同力学性能间相关性研究——5.自增强高聚物的起始熔点对超牵伸比和结晶形态的依赖性》一文中研究指出本文从可结晶性聚合物缠结网或交联-缠结网的应力诱导结晶理论和高分子内旋转构象理论出发,研究了自增强高聚物的形变自由能对应力诱导结晶机理的依赖性,计算了两种晶型(伸直链晶和串晶)的自增强高聚物处于形变态和自由态下的形变自由能,得到了自增强高聚物的起始熔点同成型中牵伸比和温度、结晶形态和结晶度及非晶区中高分子链构象分数等间的定量关系式。并用该式分析了自增强聚乙烯的实验数据,证明理论同实验能较好的符合。(本文来源于《材料科学进展》期刊1993年04期）
工艺依赖性论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
GaN作为第叁代半导体,和传统的Si相比具有更大的禁带宽度,更高击穿电场、更高的电子饱和速度等优点,使得其在高温,高频,大功率等场合具有令人瞩目的应用前景。研究人员已经做出了性能优良的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs),但它的常开特性使得其功耗较大。在这种情况下,可以做成常关型器件的GaN MOSFET成为了近年来的研究热点。然而实际制作的GaN MOSFET的沟道迁移率仍然较低,迁移率评价方法存在高估或者低估的问题。因此对GaN MOSFET制作工艺的优化并对其性能进行合理表征是十分重要的。本文研究主要分为两个部分,分别为测试表征方法的研究和工艺依赖性的研究。在测试表征部分,实验中在条形GaN MOSFET中发现了由不良隔离工艺所导致的平行沟道现象。在运用传统C-G_m方法时,这种平行沟道现象将导致两段迁移率现象并最终导致迁移率被高估。另一方面,经过ICP干法刻蚀,沟道的长度会出现展宽。这将导致迁移率被低估,特别对沟道比较短的MOSFET尤为明显。在本文中,实验证实且分析了以上这些现象,并提出了一种改进的方法来评价沟道迁移率和沟道长度变化量。通过改进方法所提取出的迁移率为152.3cmV-1s-1,这个结果能很好地吻合从长沟道环形器件提取到的被认为比较合理的迁移率结果。在器件工艺依赖性的研究中,采用了多种不同器件结构及制作工艺条件。首先,实验中采用了叁种不同结构的GaN MOSFET,结果显示,采用n掺杂并带有GaN帽层的异质结结构的MOSFET,具有最大的沟道电子迁移率和最低的界面态密度,是比较理想的GaN MOSFET的结构。同时实验中进行了不同ICP条件下的沟槽干法刻蚀实验,发现并分析了沟槽刻蚀过程中产生的侧墙附近过度刻蚀(沟槽)效应。找到了相对优化的ICP沟槽刻蚀条件。采用优化的工艺条件制作的GaN MOSFET的最大沟道迁移率达到151cm2V-1s-1,界面态密度为1.31×1011cm-2eV-1,取得了较为理想的成果。基于上述系列实验,本文提出了一套具有一定普适化的迁移率评价方案,能在不同类型的器件中得到一致的迁移率计算结果,有效地解决了由于器件尺寸偏差导致的迁移率被高估或者低估的问题。采用优化后的器件结构及ICP沟槽刻蚀条件能有效地提高GaN MOSFET的沟道迁移率。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
工艺依赖性论文参考文献
[1].田锋,李准,孙天宝,刘靖辉,关心.现代计量实验室对环境工艺条件依赖性探讨[J].中国计量.2015
[2].王青鹏.GaNMOSFET表征方法及工艺依赖性研究[D].大连理工大学.2013
[3].邹艾岑.葫芦素B与呋喃唑酮合用对酒精依赖性动物的作用及其薄膜包衣剂制备工艺的研究[D].辽宁医学院.2013
[4].宋名实,陈罕,胡桂贤,杨琳.自增强高性能聚合物的成型工艺同力学性能间相关性研究——5.自增强高聚物的起始熔点对超牵伸比和结晶形态的依赖性[J].材料科学进展.1993