导读:本文包含了存储器单元论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:静态随机存储器单元,总剂量辐射效应,绝缘体上硅,体接触
存储器单元论文文献综述
王硕,常永伟,陈静,王本艳,何伟伟[1]（2019）在《新型绝缘体上硅静态随机存储器单元总剂量效应》一文中研究指出静态随机存储器作为现代数字电路系统中常见且重要的高速存储模块,对于提升电子系统性能具有重要作用.到目前为止,关于静态随机存储器单元总剂量辐射效应的数据依然有待补充完善.本文采用130 nm绝缘体上硅工艺,设计制备了一种基于L型栅体接触场效应晶体管器件的6晶体管静态随机存储器单元.该L型栅体接触器件遵循静态随机存储器单元中心对称的版图特点,使得存储单元面积相比于采用同器件尺寸的T型栅体接触器件的静态随机存储器单元减小约22%.文中对比研究了L型栅体接触器件与其他场效应晶体管之间的电学性能差异,以及基于不同场效应晶体管静态随机存储器单元的漏电流和读状态下静态噪声容限随辐射总剂量增加的变化规律.测试结果表明, L型栅体接触器件与T型栅体接触器件的器件性能接近,但前者具有面积更小的优势;同时基于L型栅体接触场效应晶体管的静态随机存储器单元的基本电学性能以及抗总剂量辐射效应均优于传统基于浮体场效应晶体管的静态随机存储器单元,因而具有稳定可靠的实用价值.(本文来源于《物理学报》期刊2019年16期）
康耀鹏,汪鹏君,张会红,李刚[2]（2018）在《基于CNFET的叁值内容寻址存储器单元设计》一文中研究指出通过对叁值静态随机存储器(Static Random Access Memory,SRAM)单元和数据比较电路结构以及碳纳米场效应晶体管(Carbon Nanotube Field Effect Transistor,CNFET)的研究,提出了基于CNFET的叁值内容寻址存储器单元设计方案。首先利用CNFET阈值可调特性和开关信号理论设计叁值缓冲器,采用反馈控制连接技术实现叁值SRAM存储;然后结合叁值SRAM单元和叁值逻辑原理设计叁值内容寻址存储器单元;最后实验验证,所设计的叁值内容寻址存储器单元具有正确的逻辑功能,且与叁态内容寻址存储器单元相比功耗延时积(Power-Delay Product,PDP)降低约83%。(本文来源于《华东理工大学学报(自然科学版)》期刊2018年05期）
[3]（2017）在《斯坦福大学开发单晶体管单阻变存储器单元》一文中研究指出美国斯坦福大学的研究人员证明,由单层钼二硫化钼制成的场效应晶体管能够驱动阻变存储器。近日,在美国电气与电子工程师协会国际电子器件会议上,该研究成果被报告。这是个关键里程碑,意味着在单片叁维集成芯片中存储与逻辑器件能够融为一体。斯坦福大学研究人员开发的芯片被称为"单晶体管单阻变存储器"(1T1R)单元。这种1T1R存储单元相对于含有阻变存储器但没有晶体管的存储单元,能够提供极大好处。没有晶体管的情况下,阻变存储芯片中的所有存储单元都被连接到不同的(本文来源于《半导体信息》期刊2017年06期）
霍如如,蔡道林,陈一峰,王玉婵,王月青[4]（2015）在《操作电流对相变存储器单元疲劳特性的影响》一文中研究指出基于中芯国际40 nm工艺制备的64 Mbit相变存储器,设计并进行了两组对比实验。分别使用不同幅值和脉宽的RESET电流脉冲对存储器单元进行疲劳操作,对相变存储器单元的疲劳性能与RESET操作电流的关系进行了研究。实验结果表明,存储单元的疲劳寿命和RESET脉冲幅值的平方呈反比关系,和脉冲宽度呈反比关系。在相变存储器的操作过程中,高阻态下的电阻值出现先减小后增大的漂移现象,这是因为操作电流会对相变材料组分产生影响,在相变材料层中会出现逐渐增大的孔洞,孔洞最终导致相变器件失效,与实验中高阻态阻值漂移现象相吻合,同时可以用来预测存储单元的疲劳寿命。(本文来源于《半导体技术》期刊2015年12期）
李震,赖志博[5]（2015）在《相变存储器单元测试用擦写脉冲电流源的设计》一文中研究指出相变存储器有望成为下一代非易失性存储器,擦写脉冲电流源是相变存储器单元性能测试的重要组成部分,论文根据要求设计一种简易实用的脉冲电流源。它是由激光二极管驱动芯片、可编程电阻芯片和外配置的脉冲电压发生器构成,实现了可编程脉冲宽度的脉冲电流源。(本文来源于《计算机与数字工程》期刊2015年06期）
周伟[6]（2015）在《相变存储器单元热扩散特性及其测试系统研究》一文中研究指出相变存储器被认为是最具有竞争力的新型半导体存储器之一,随着存储器密度和操作速度的提升,擦写过程累积的热量会导致器件内部温度的变化,进而影响器件的性能。实验已经证明,连续脉冲作用下热累积效应是存在的。利用热累积效应,双脉冲调制实现了相变存储单元的多值存储。而脉冲间隔器件内部热量的扩散直接影响了器件内部热量的累积和温度的变化。所以对相变单元热扩散热性的研究不仅对相变单元的正常工作有促进作用,同时也有利于实现相变存储器单元速率的提升和更广泛的引用。本文的内容就是通过实验和仿真的方法研究热扩散过程,主要是研究热扩散相关参数的计算方法,并设计一种相变存储器单元的测量装置。本文首先提出一种相变存储器单元的简化模型,用于描述脉冲序列作用下相变层由晶态逐渐转变为非晶化过程。然后,使用4200-SCS半导体特性测试仪对相变存储器单元施加RESET脉冲序列,随着脉冲个数的增加,单元电阻逐渐增大。依据单元的简化模型和温度计算公式推导出热容和热阻的求取公式。接着,利用HSPICE模型,在考虑热累积效应的影响的条件下,仿真单元电阻-脉冲个数曲线,并分别研究热容和累积温度的变化对单元电阻的影响。实验结果和仿真结果很接近,表明脉冲序列作用下,单元电阻逐渐增加时,相变存储器单元内部累积温度会呈现先快速升高后缓慢升高的变化趋势,近似符合对数函数曲线,并且随着脉冲序列中的脉冲数目增加,相变存储单元热阻缓慢增加,热容逐渐减小。本文还基于DSP芯片设计开发了一套相变单元的脉冲I-V测试系统,使用该系统测量得到的Ge2Sb2Te5单元的I-V曲线与4200-SCS测量结果接近,验证了该系统的可行性。但是该系统还存在问题,需要进一步的研究改进.(本文来源于《华中科技大学》期刊2015-05-01）
赖志博[7]（2015）在《相变存储器单元电压和电流激励下特性研究》一文中研究指出相比于其他非易失性存储器,高密度、低功耗和高速擦写是相变存储器的主要特点。对相变存储器进行测试是了解其特性的有效方法,在相变存储器的测试中,常使用电压或者电流来测量其特征参数。然而,在实验过程中,测量某些参数时由于电压和电流的选择不当常常导致特征参数测量不准确,甚至损坏器件。因此分析相变存储器测试时使用电流和电压激励的差异更有利于研究PCRAM的特性。本论文主要研究电压和电流激励下相变存储器的特性。介绍了利用4200-SCS半导体特性分析系统,示波器和具有选址功能的芯片外围测试电路板所组成的相变存储器测试系统,以及相变存储器的各种建模方法。利用相变存储器的HSPICE模型结合仿真控制程序实现PCRAM在连续擦写测试中的热量累积仿真。根据相变存储器的特性,利用4200-SCS的4205-PG2脉冲发生模块和AD9665激光二极管驱动芯片搭建脉冲幅值和脉冲宽度可调的脉冲电流源,以实现对相变存储器的电流测试。使用相变存储器的电学模型和实验研究相变单元在电压和电流激励下的特性,如SET/RESET操作,电流和电压扫描,阈值点波动,误差分析等,总结相变单元在不同激励源下差异。从单元结构分析PCRAM中的寄生电容,并对其测试,研究这种寄生电容对电脉冲特性参数的影响。归纳总结上述实验和仿真结果,分析相变单元在电压和电流激励下所表现出来的特性,并对比他们之间的差异。(本文来源于《华中科技大学》期刊2015-01-19）
翟亚红,李威,李平,胡滨,李俊宏[8]（2013）在《铁电存储器单元信号的测试与研究》一文中研究指出基于电子科技大学研制的铁电电容的参数,修正了HSIM软件中的铁电电容模型,利用此模型,设计了2T-2C铁电存储单元的读写电路,分析了位线电容的匹配性问题。完成了铁电电容工艺与标准CMOS工艺的集成,并进行了芯片测试。通过调节位线寄生电容值,得到所设计电路的最大信号电压差(即读出容差)为1.3V,实现了集成铁电存储器单元的正确读写,成功验证了电路读写功能的正确性和模型的准确性,为进一步开发铁电存储器奠定了基础。(本文来源于《微电子学》期刊2013年06期）
陈伟[9]（2013）在《相变存储器单元脉冲I-V特性测量方法及分析》一文中研究指出相变存储器（PCRAM）具有功耗低、速度快、擦写次数高、稳定性好、与MOS工艺兼容良好、可多值存储等优点，被视为下一代主流存储器中最具竞争力的新型非易失性半导体存储器。PCRAM单元的电学性能一直是半导体信息存储领域的重要研究内容，而电流-电压（I-V）特性是它最重要的电学特性之一。通常，PCRAM单元的I-V特性曲线是采用直流扫描的方式测量得到的，直流I-V存在自热和能量累积效应，因为阶梯状电流或电压激励会对PCRAM单元持续地输入能量，相变材料具有储热能特性，那么前面所有历史台阶产生的热量会迭加到下一个台阶产生的热量上。实际上，这种效应不仅存在PCRAM单元的直流I-V测量中，还存在脉冲I-V及电阻-电流和电阻-电压（R-I/R-V）测量中，其导致的直接后果就是破坏它的内部特性。实验证明，经过多次I-V测量后的大部分样品都无法继续正常工作，受到不可逆的损坏。所以开展PCRAM单元的自热和能量累积效应的研究是非常有意义的。本论文采用的方法就是研究PCRAM单元的脉冲I-V特性。由于相变材料以Ge2Sb2Te5（GST）的性能最佳且被最广泛研究，所以采用存储介质为GST的PCRAM样品。利用4200-SCS半导体特性分析仪、高精度泰克数字示波器DPO70064和自主设计的PCB板搭建一个测量系统，开关速度快的MOS管、BNC头、开关、PCRAM芯片等都集成在PCB板上。通过调节PCB板上的开关，测量系统不仅可以测量PCRAM单元的脉冲I-V特性，还能测量它的一般电学性能。采用以上装置分别测量了相变层厚度为150nm、75nm和25nm的PCRAM单元的直流I-V特性曲线和脉冲I-V特性曲线。对比曲线发现脉冲I-V测量得到的阈值电压比直流I-V的大很多，同时也得出脉冲宽度和脉冲周期都是表征PCRAM单元脉冲I-V特性不可或缺的参变量结论。假设PCRAM单元活动区域的温度上升引起电子活跃性和势垒的改变，就提出了由自热效应建立的物理模型。(本文来源于《华中科技大学》期刊2013-01-01）
王苹,黄冬麒,李震,缪向水[10]（2012）在《相变存储器单元皮秒测试信号完整性研究》一文中研究指出针对相变存储器皮秒测试系统由于矩阵开关电路分布参数以及信号通道中阻抗突变所引起的反射,严重影响了皮秒脉冲信号的完整性,使施加在相变单元上的皮秒脉冲信号严重失真,为了消除失真,改善信号完整性,从2个方面提出了解决方案:一是采用性能优良的高频继电器构成矩阵开关;二是减小反射,采取了源端阻抗匹配、负载分支端阻抗补偿、菊花链双线拓扑结构等措施,使得反射的影响减小到最小.理论分析与仿真结果表明:皮秒脉冲信号波形质量良好,满足测试要求.本测试系统为研究皮秒编程脉冲作用下相变存储器的存储机理、速度、可靠性等提供了良好的平台,也可作为电阻式随机擦写存储器单元测试系统.(本文来源于《华中科技大学学报(自然科学版)》期刊2012年09期）
存储器单元论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
通过对叁值静态随机存储器(Static Random Access Memory,SRAM)单元和数据比较电路结构以及碳纳米场效应晶体管(Carbon Nanotube Field Effect Transistor,CNFET)的研究,提出了基于CNFET的叁值内容寻址存储器单元设计方案。首先利用CNFET阈值可调特性和开关信号理论设计叁值缓冲器,采用反馈控制连接技术实现叁值SRAM存储;然后结合叁值SRAM单元和叁值逻辑原理设计叁值内容寻址存储器单元;最后实验验证,所设计的叁值内容寻址存储器单元具有正确的逻辑功能,且与叁态内容寻址存储器单元相比功耗延时积(Power-Delay Product,PDP)降低约83%。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
存储器单元论文参考文献
[1].王硕,常永伟,陈静,王本艳,何伟伟.新型绝缘体上硅静态随机存储器单元总剂量效应[J].物理学报.2019
[2].康耀鹏,汪鹏君,张会红,李刚.基于CNFET的叁值内容寻址存储器单元设计[J].华东理工大学学报(自然科学版).2018
[3]..斯坦福大学开发单晶体管单阻变存储器单元[J].半导体信息.2017
[4].霍如如,蔡道林,陈一峰,王玉婵,王月青.操作电流对相变存储器单元疲劳特性的影响[J].半导体技术.2015
[5].李震,赖志博.相变存储器单元测试用擦写脉冲电流源的设计[J].计算机与数字工程.2015
[6].周伟.相变存储器单元热扩散特性及其测试系统研究[D].华中科技大学.2015
[7].赖志博.相变存储器单元电压和电流激励下特性研究[D].华中科技大学.2015
[8].翟亚红,李威,李平,胡滨,李俊宏.铁电存储器单元信号的测试与研究[J].微电子学.2013
[9].陈伟.相变存储器单元脉冲I-V特性测量方法及分析[D].华中科技大学.2013
[10].王苹,黄冬麒,李震,缪向水.相变存储器单元皮秒测试信号完整性研究[J].华中科技大学学报(自然科学版).2012