导读:本文包含了纳米多层结构论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:纳米复合,热稳定性,非晶态,电阻率
纳米多层结构论文文献综述
吴卫华,翟继卫[1]（2019）在《纳米复合多层ZnSb/GeSb相变存储薄膜的性能与结构研究》一文中研究指出通过磁控溅射方法成功出制备纳米复合多层ZnSb/GeSb相变薄膜。采用原位电阻-温度-时间(R-T-t)测量系统研究了ZnSb和GeSb厚度比和界面数等物理结构参数对多层ZnSb/GeSb薄膜的晶化温度、结晶激活能、十年数据保持力、非晶态和晶态电阻率的影响规律,利用X射线衍射仪(XRD)分析了多层ZnSb/GeSb薄膜在热致作用下的相结构演变过程,运用皮秒脉冲激光测试系统探讨了多层ZnSb/GeSb薄膜光致作用下的快速可逆相变过程,应用X射线反射仪(XRR)研究了多层ZnSb/GeSb薄膜结晶前后的密度变化率。研究结果表明,通过调节ZnSb和GeSb层的厚度比和界面数可以实现多层ZnSb/GeSb薄膜的非晶态热稳定性和电阻率等相变性能的调控。多层[ZnSb(8nm)/GeSb(4nm)]4薄膜的结晶温度、结晶激活能、十年数据保持力分别达到220℃、2.61eV、168℃,非晶态热稳定性的提高主要缘于多层Zn Sb/GeSb薄膜中的界面效应及ZnSb层厚度的增加:一方面是多层结构薄膜中界面之间的相互夹持,使得相变过程中的晶粒生长受到抑制;另一方面是ZnSb薄膜具有高热稳定性特征。同时,晶粒尺寸效应和界面缺陷的存在加速了多层ZnSb/GeSb薄膜的异质成核和结晶,从而提高薄膜的相变速度。多层[ZnSb(8nm)/GeSb(4nm)]4薄膜在激光诱导下的晶化和非晶化相转变速度分别为6.2和3.9ns,体现了多层Zn Sb/GeSb薄膜的快速可逆相变特性。多层[ZnSb(8nm)/GeSb(4nm)]4薄膜结晶前后的密度变化率仅为3.9%,预示着相变薄膜可以与上下电极及周围包覆层之间紧密接触,从而提高信息存储的高可靠性。(本文来源于《TFC'19第十五届全国薄膜技术学术研讨会摘要集》期刊2019-11-15）
尹佩[2]（2019）在《镁合金纳米多层膜微观结构与力学性能的模拟研究》一文中研究指出近年来,镁基非晶合金因轻质,高强度,高弹性极限以及较强的玻璃形成能力等独特的力学性能成为全世界科学研究的热点。然而,其类似于脆性材料的力学行为严重限制了它在航空航天、电子、国防和能源等领域的快速发展。因此,如何有效地提高镁基非晶合金的塑性,是使得它得以广泛应用的关键。众所周知,剪切带的形核与快速扩展是造成镁基非晶合金低塑性和脆性断裂的主要原因。因此,阻碍剪切带的快速扩展是提高塑性的有效手段。为了实现这一目的,以镁基非晶合金为基体,我们在本文中提出了构建两种不同多层膜样品的思想,并采用分子动力学模拟方法研究了在拉伸载荷下影响多层膜力学行为的相关因素,主要研究内容和结果如下:(1)研究了层厚度和纵横比等对非晶/晶体MgAl/Mg纳米多层膜(NACMs)的变形行为的影响。结果表明,随着层厚度的增加,NACMs的塑性变形模式由以交叉广义剪切带为主的变形最终转变为以单剪切带为主的变形。由于晶体相,非晶相以及非晶/晶体界面(ACIs)的耦合作用,多层膜(中间层厚度)发生变形,被视为过渡阶段。结果也显示,无论层厚度如何变化,NACMs的峰值应力均大于大块非晶的峰值应力,这是由于强晶相的增加和ACIs的强化作用所致。结果还指出通过选择合适的层厚度,可以有效地提高NACMs的塑性和强度。此外,本文还定量地研究和分析了NACMs的变形行为。(2)研究了层厚度和类流动缺陷浓度(AFDC)对非晶/非晶(A1/A2)纳米多层膜力学行为的影响。结果表明,当层厚度较小时(从1.8到8.5 nm),对于任意给定的层厚度,随着AFDC的增加,A1/A2纳米多层膜的塑性变形由“剪切局部化”向“均匀变形”模式演变,最终再次发生“剪切局部化”的变形。与大块非晶相比,具有最佳AFDC的A1/A2纳米多层膜均匀变形,实现了高强度和高塑性的完美结合。此外,对于每个层厚度下的样品,总是可以找到最佳的AFDC,并且随层厚度的增加呈上升趋势。当层厚度较大时(13.0和25.0 nm),无论AFDC如何变化,对于确定的层厚度,最佳AFDC消失。在这种情况下,塑性变形行为被局限在A1软相层,导致强烈的剪切局部化,塑性降低。(本文来源于《西安石油大学》期刊2019-06-14）
欧凯[3]（2019）在《纳米结构ZnSe/ZnS多层薄膜的光致发光及电致发光性能研究》一文中研究指出随着信息时代的快速发展,对发光材料和显示器件的要求越来越高。虽然目前显示领域有了很多新的突破和进展,但仍然面临一些问题需要解决。自从GaN基蓝光LED问世以后,蓝宝石衬底、SiC衬底以及Si衬底LED相继被报道,性能也得到很大提升。但是,Si衬底与GaN之间具有16.7%的晶格失配,同时Si的热膨胀系数与GaN之间也存在很大的差异,所以在Si衬底上外延生长得到的GaN薄膜容易产生缺陷、裂纹、位错或者弯曲等现象。虽然通过引入AlN作为缓冲层能够从技术领域基本克服这些问题,但是这会进一步增加制备工艺的难度。在有机发光二极管(OLEDs)领域,器件的寿命和有机材料的稳定性制约着OLEDs的发展。此外,基于量子点具有很好的光稳定性、发光效率高、发光光谱可调等优点,量子点器件也成为新的研究热点。在量子点的合成材料方面,目前研究成熟的主要是基于Cd。Cd本身的毒性,使得量子点和相关的量子点发光器件的应用领域受到限制,尤其是生物领域。所以制备出无毒高效的量子点和量子点器件是新的挑战。找到新的替代材料,制备出稳定、无毒、发光效率高和寿命长的电致发光器件对于显示行业的发展有着很重要的意义,尤其是蓝色发光。作为无毒、宽带隙的ZnSe(2.7eV),一直是研制蓝绿色发光器件的热门材料。ZnSe材料目前已经被广泛应用到激光、非线性光学、光电探测和发光等领域。本论文通过电子束蒸发技术制备了纳米结构的ZnSe/ZnS多层薄膜,并以此作为发光层,制备了蓝色电致发光器件。既利用了ZnSe本身的性质,又利用了纳米结构的优良特性。这为蓝色电致发光的研究提供了新思路,同时也对白光LED的研究做出贡献。本论文的研究工作主要得到以下成果:(1)单层ZnSe薄膜性质的研究。通过电子束蒸发沉积了单层的ZnSe薄膜,属于立方结构,更趋向于(111)晶向生长。首先,在氮气环境中退火处理,薄膜在蓝光区域有着强的吸收,但未得到ZnSe的蓝色发光。我们研究了退火温度对晶体结构、透射光谱、折射率、吸收系数与反射系数、光学带隙等参数的影响。其次,在氧气环境中退火处理,立方结构的ZnSe薄膜被完全氧化成六方纤锌矿结构的ZnO薄膜。ZnO薄膜的PL光谱由370 nm的强发射峰和525 nm的弱发射峰组成,这分别对应于ZnO的带间发射和缺陷相关的发射。通过优化处理退火温度和时间,得到ZnSe氧化成ZnO的最优条件。此外,我们还研究了低温环境对于ZnO薄膜光致发光的影响。(2)通过电子束蒸发法制备了纳米结构ZnSe/ZnS多层薄膜,得到蓝色光致发光。薄膜晶体结构为立方结构的ZnSe和纤锌矿结构的ZnS。纳米结构ZnSe/ZnS多层薄膜的激发峰位于350 nm处,光致发光光谱包含两个发射峰:441nm处强且窄的发射峰源于ZnSe的近带边发射;550nm处弱且宽的发射峰是与缺陷相关的发射,例如填隙,空位,晶格畸变和结构缺陷。从不同方面对纳米结构ZnSe/ZnS多层薄膜的光致发光性能进行优化,包括ZnS层厚度、ZnSe层厚度、退火温度、退火时间、退火气流量等。此外,对纳米结构ZnSe/ZnS多层薄膜薄膜的低温光谱和稳定性也进行了表征测试。(3)将纳米结构ZnSe/ZnS多层薄膜作为发光层,制备出多层结构(ITO/PEDOT:PSS/EML/MgO/n-Si/Ag)的有机/无机复合的蓝色电致发光器件。对器件性能进行表征测试,如XRD、SEM、PL、EL、Ⅰ-Ⅴ测试,并对其发光机理进行研究。器件的电致发光机理是电子和空穴注入式复合发光。引入MgO层能够明显改善器件的性能:其一,改善发光层的结晶质量,提升发光层的发光强度;其二,作为空穴阻挡层,提升空穴浓度,降低载流子的猝灭,提升器件的电致发光性能。最后,我们从退火温度、硅片电阻率、MgO厚度、P型层厚度等方面对器件性能进行了进一步的改善。(本文来源于《北京交通大学》期刊2019-05-31）
翟晴晴,李伟,刘平,张柯,马凤仓[4]（2019）在《(AlCrTiZrNb)N/Si_3N_4纳米多层膜的微观结构和力学性能研究》一文中研究指出采用多靶磁控溅射系统,使用AlCrTiZrNb合金靶和Si靶制备了不同Si_3N_4厚度的(AlCrTiZrNb)N/Si_3N_4纳米多层膜,样品基底为单晶硅。通过X射线衍射仪(XRD)、高透射电子显微镜(HRTEM)、扫描电子显微镜(SEM)和纳米压痕仪对样品进行微观组织的表征和力学性能的测量。实验结果表明,随着Si_3N_4层厚度的增加,样品的结晶度和力学性能均先增加后减小,XRD图谱中出现面心立方相结构。在Si_3N_4层厚度为0.5 nm时,(111)衍射峰强度达到最大值。说明薄膜结晶度最强,薄膜的硬度和弹性模量也达到最高值,分别为30.6,298 GPa。通过对样品的横截面的形貌观察,发现当Si_3N_4层厚度为0.5 nm时,多层膜的多层结构生长良好。在(AlCrTiZrNb)N层的模板作用下,Si_3N_4层从非晶态转变为面心立方结构,与(AlCrTiZrNb)N层之间形成共格外延生长结构,(AlCrTiZrNb)N/Si_3N_4纳米多层膜的强化可归因于两调制层之间形成的共格界面。(本文来源于《功能材料》期刊2019年04期）
杨波波,孙珲,杨田林,郑小龙,徐涛[5]（2019）在《结构调制超硬Ti/TiN纳米多层膜的制备及其尺寸效应》一文中研究指出使用多弧离子镀技术在高速钢基体上制备了调制周期为5～40 nm的Ti/TiN纳米多层膜,用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)、纳米压痕仪和划痕仪等手段表征薄膜的微观结构和性能,研究了调制周期对Ti/TiN纳米多层膜性能的影响,并讨论了在小调制周期条件下Ti/TiN纳米多层膜的超硬效应和多弧离子镀技术对纳米多层膜硬度的强化作用。结果表明,与单层TiN相比,本文制备的Ti/TiN纳米多层膜分层情况良好,薄膜均匀致密,没有明显的柱状晶结构,TiN以面心立方结构沿(111)方向择优生长。随着调制周期的减小薄膜的硬度呈现先增大后减小的趋势,并在调制周期为7.5 nm时具有最大的硬度42.9 GPa和H/E值。这表明,Ti/TiN在具有最大硬度的同时仍然具有良好的耐磨性和韧性。Ti/TiN纳米多层膜的附着力均比单层TiN薄膜的附着力高,调制周期为7.5 nm时多层膜的附着力为(58±0.9) N。(本文来源于《材料研究学报》期刊2019年02期）
许迎东[6]（2019）在《基于碳纳米管/硅橡胶复合材料的多层结构微波吸收性能研究》一文中研究指出现代环境中的电磁问题日益严重,给人们的健康和设备的正常工作带来了极大的危害。微波吸收材料是解决电磁干扰等问题的主要方法之一。碳纳米管(Carbon Nanotubes,CNTs)由于其特殊的管状结构而具有独特的电磁特性,在吸波实际应用中有着巨大的潜力,因此对碳纳米管微波吸收性能的探讨已经成为吸波材料的重要方向。本文以多壁碳纳米管(Multi-wall Carbon Nanotube,MWCNTs)为吸收剂,硅橡胶为基体制备了碳纳米管/硅橡胶复合吸波材料,探究此复合材料的微波吸收性能,并且以复合材料为基础,设计了叁种吸波结构,为实际应用中的相关问题提供解决方案。首先,本文设计和实现了复合材料同轴样品的制备方法,测试了复合材料的电磁参数;介绍了传输/反射法测量电磁参数的原理和方法,并对测量得到的电磁参数进行数据处理,得到了适用于HFSS电磁仿真建模的参数和文件,介绍了传输线原理以及其在多层结构中的应用。其次,制作了碳纳米管质量分数为0.5%、1%、1.5%、2%的复合材料同轴样品,并且使用传输/反射法测得了其复介电常数和复磁导率,探究了碳纳米管质量分数对复合材料电磁参数影响的规律。探究了厚度为2 mm时,上述几种复合材料贴片的吸波性能,其中碳纳米管质量分数为2%的复合材料贴片的吸收峰频点位于10.88 GHz处,最大损耗达到-28.81 dB,其-10 dB带宽为3.2 GHz(9.56-12.76 GHz)。探究了碳纳米管质量分数为2%的复合材料在不同厚度时的微波吸收规律,研究了碳纳米管/硅橡胶复合材料贴片的损耗机理和斜入射性能。接着,根据传输线理论,设计了一种阻抗性FSS-碳纳米管/硅橡胶复合材料贴片的复合结构,其顶层为阻抗性FSS,中间为蜂窝介质层,底层是碳纳米管质量分数为2%的复合材料贴片,整个结构厚度为11.95 mm,其中复合材料贴片的厚度为4.2 mm,蜂窝介质层厚度为7.6 mm,吸波结构-10 dB的吸波带宽达到了13.5 GHz(4-17.5 GHz),分析了整个结构的损耗机制,其中复合材料贴片在5 GHz和16 GHz处的谐振峰有效地拓宽了整个结构在低频和高频处的吸收带宽;另外设计了一种复合材料贴片-金属性FSS结构,整个结构厚度为6.65 mm,制作实物并测试得出其吸收峰位于3.1 GHz处,-10 dB带宽为1.0 GHz(2.7-3.7 GHz)。最后,对碳纳米管质量分数为4%的复合材料进行了图案化设计,探究了图案大小、材料厚度、蜂窝厚度等对其吸收性能的变化规律,得到了一种面密度为1.05 kg/8)~2厚度约为2.7 mm的复合结构,经过实测,其吸收峰位于7.37GHz处,-10 dB的带宽达到了2.42 GHz(6.3-8.72 GHz)。综上所述,本文依据吸波材料吸收强度、吸收带宽、质量、厚度等要求,基于碳纳米管/硅橡胶复合材料设计了叁种吸波结构,探究了这叁种结构的吸波规律,并且从损耗分布的角度分析了复合结构的吸波机理。(本文来源于《华中科技大学》期刊2019-01-01）
杨莉莎[7]（2018）在《稀土掺杂Ti/TiO_2-NTs基SnO_2多层纳米结构电极的制备及性能研究》一文中研究指出电催化电极材料的研制一直是电化学水处理技术的研究重点,电催化特性及稳定性是电极材料最重要的两个部分,且均与电极的制备工艺及其表面结构密切相关。因此,本论文以改性Ti/TiO_2-NTs/SnO_2-Sb多层纳米结构复合电极的制备与性能评价为主要研究内容,在电极涂层颗粒纳米尺度化对电极性能的影响、钛基二氧化钛纳米管基底(Ti/TiO_2-NTs)的生长特性对Ti/TiO_2-NTs/SnO_2-Sb复合电极催化活性及稳定性的调控机制、稀土掺杂Ti/TiO_2-NTs/SnO_2-Sb复合电极涂层中多重组分间的作用机制以及对含酚废水的电化学深度处理效能这四方面展开了研究。采用溶剂热法制备Ti/SnO_2-Sb多层纳米结构涂层电极并确定了最佳工艺参数。表征测试和电化学特性分析结果表明,该电极涂层表面呈纳米球簇状,颗粒分布均匀且致密。与非纳米结构涂层电极(106 nm)相比,该电极表面具有的较小晶粒尺寸(23 nm)促进了电极表面活性位点的暴露。多层纳米结构涂层的独特形貌与结构使其具有较高的析氧电位以及较低的电子转移内阻,其表面吸附氧含量为非纳米结构涂层电极的1.74倍,对苯酚的降解速率(16.3×10~(–3)/min)和加速寿命(16 h)分别为非纳米结构涂层电极的1.72倍和8.9倍。采用阳极氧化法在Ti基底表面原位生成TiO_2-NTs阵列层,考察了TiO_2-NTs阵列层的生长条件对其性能的影响。结果表明,阳极氧化电压作为TiO_2-NTs阵列层形貌及表面润湿度的主要影响因素,可对电极表面活性位点以及催化剂的负载量进行调控。适宜的生长条件(阳极氧化电压25 V,阳极氧化时间2 h)下制备的TiO_2-NTs阵列层能够明显提高Ti/TiO_2-NTs/SnO_2-Sb电极对苯酚的降解速率以及电极的使用寿命。对比分析了四种稀土(Ce、Nd、Gd、Ho)的掺杂对Ti/TiO_2-NTs/SnO_2-Sb电极催化活性、涂层形貌、元素组成及分布、晶形结构及粒径的影响。确定了每种稀土改性电极的最佳热处理温度和稀土掺杂量。结果表明,适量的稀土掺杂均能改善电极形貌。稀土的掺杂可引起电极表层Sb元素向涂层表面富集,同时稀土元素也呈现向涂层表面富集的趋势,且四种稀土元素的引入对SnO_2晶粒的长大起到了不同程度的抑制作用。以稀土Gd为代表,考察了稀土掺杂对Ti/TiO_2-NTs/SnO_2-Sb电极降解苯酚的影响。结合XPS和EPR以及活性自由基团生成能力等测试,探讨了稀土掺杂对SnO_2复合电极表面结构及性能的影响,阐明了电极涂层中多重组分间的作用机制。以稀土Gd掺杂的Ti/TiO_2-NTs/SnO_2-Sb电极为代表,对工业含酚废水进行了电化学深度处理研究,以出水的COD浓度为指标,确定了电催化氧化系统的最佳运行参数为电流密度12.5 mA/cm~2和反应时间4 h。该条件下,废水中的总酚可完全去除,废水COD含量由115 mg/L下降到27.4 mg/L,即符合工业排放标准,又满足了企业回用需求。废水中TOC含量(由50.38 mg/L下降至21.9mg/L)及TN含量(由53.4 mg/L下降至11.6 mg/L)均呈现明显下降。通过GC-MS分析了深度处理前后主要有机物质的变化,结果表明,电催化氧化过程可明显减少废水中有机污染物的数量,说明所制备的稀土改性多层纳米结构复合电极在低浓度难降解有机污染物的电化学深度处理过程中具备一定的优势。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2018-12-01）
王耀东,李建军,李春[8]（2018）在《异质纳米Cu/Ni多层结构的分子动力学模拟》一文中研究指出随着微电子以及微机械系统的发展,金属纳米多层结构因其独特的力学、电学、磁学特性进入了人们的视野,特别是其超高的强度更是成为了一个研究热点。由于金属纳米多层结构中强弱材料之间在变形过程中的不协调性容易造成剪切失稳,对此我们进行了等应变压缩的分子动力学模拟研究。在模拟中,我们通过将尺寸差异较大的厚层和薄层组合起来,形成了一种新的异质结构,如图1(a)所示。一般的纳米金属多层结构均由两种不同材料的等厚层组成,这种结构在变形过程中,由于两种材料强度的不同,会首先在较软的材料中出现塑性变形,而此时较硬的材料依然处于弹性变形阶段。在模拟中我们发现在新的异质结构中,新加入的薄层能起到缓冲和调节作用,使得两个厚层之间的位错运动变得协调起来。如图1(b-d)所示,观察与比较24nm厚的铜层和镍层不同应变下的微观结构,我们可以发现位错几乎是同时在两层内部出现并且开始扩展。可见,通过这种新的异质结构的设计,可以有效的改善厚层之间的变形的不协调性。我们提供了一种可能的思路来改善金属多层材料的韧性,即通过厚层与薄层的合理组合。(本文来源于《2018年全国固体力学学术会议摘要集（上）》期刊2018-11-23）
李锐,刘腾,陈翔,陈思聪,符义红[9]（2018）在《界面结构对Cu/Ni多层膜纳米压痕特性影响的分子动力学模拟》一文中研究指出金属多层膜调制周期下降到纳米级时,其力学性质会发生显着改变. Cu-Ni晶格失配度约为2.7%,可以形成共格界面和半共格界面,实验中实现沿[111]方向生长的调制周期为几纳米且具有异孪晶界面结构的Cu/Ni多层膜,其力学性质发生显着改变.本文采用分子动力学方法对共格界面、共格孪晶界面、半共格界面、半共格孪晶界面等四种不同界面结构的Cu/Ni多层膜进行纳米压痕模拟,研究压痕过程中不同界面结构类型的形变演化规律以及位错与界面的相互作用,获取Cu/Ni多层膜不同界面结构对其力学性能的影响特征.计算结果表明,不同界面结构的样品在不同压痕深度时表现出的强化或软化作用机理不同,软化机制主要是由于形成了平行于界面的分位错以及孪晶界面的迁移,强化机制主要是由于界面对位错的限定作用以及失配位错网状结构与孪晶界面迁移时所形成的弓形位错之间的相互作用.(本文来源于《物理学报》期刊2018年19期）
韩泽欣,张伟伟,赵翠翠,宋玉军[10]（2018）在《ITO/CoFeB/ITO/Ag多层异质磁纳米结构薄膜的制备及其磁光克尔效应的研究》一文中研究指出本文在单层CoFeB(36 nm)薄膜上构建了氧化铟锡(ITO)(10 nm)/CoFeB(36 nm)/ITO(x)/Ag(56 nm)多层异质磁纳米结构。研究发现,通过优化中间层ITO厚度(15 nm)多层异质磁纳米结构在波长为660 nm的线偏振光中的纵向克尔偏转角是单层CoFeB(36nm)薄膜磁光克尔角的2.34倍。该结构提供了一种简单实用的利用多个光学腔体调控磁性薄膜磁光克尔信号的方法,该方法将会使磁光纳米结构薄膜在生物技术、光电器件以及磁光器件等领域得到广泛应用。(本文来源于《电子测试》期刊2018年17期）
纳米多层结构论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
近年来,镁基非晶合金因轻质,高强度,高弹性极限以及较强的玻璃形成能力等独特的力学性能成为全世界科学研究的热点。然而,其类似于脆性材料的力学行为严重限制了它在航空航天、电子、国防和能源等领域的快速发展。因此,如何有效地提高镁基非晶合金的塑性,是使得它得以广泛应用的关键。众所周知,剪切带的形核与快速扩展是造成镁基非晶合金低塑性和脆性断裂的主要原因。因此,阻碍剪切带的快速扩展是提高塑性的有效手段。为了实现这一目的,以镁基非晶合金为基体,我们在本文中提出了构建两种不同多层膜样品的思想,并采用分子动力学模拟方法研究了在拉伸载荷下影响多层膜力学行为的相关因素,主要研究内容和结果如下:(1)研究了层厚度和纵横比等对非晶/晶体MgAl/Mg纳米多层膜(NACMs)的变形行为的影响。结果表明,随着层厚度的增加,NACMs的塑性变形模式由以交叉广义剪切带为主的变形最终转变为以单剪切带为主的变形。由于晶体相,非晶相以及非晶/晶体界面(ACIs)的耦合作用,多层膜(中间层厚度)发生变形,被视为过渡阶段。结果也显示,无论层厚度如何变化,NACMs的峰值应力均大于大块非晶的峰值应力,这是由于强晶相的增加和ACIs的强化作用所致。结果还指出通过选择合适的层厚度,可以有效地提高NACMs的塑性和强度。此外,本文还定量地研究和分析了NACMs的变形行为。(2)研究了层厚度和类流动缺陷浓度(AFDC)对非晶/非晶(A1/A2)纳米多层膜力学行为的影响。结果表明,当层厚度较小时(从1.8到8.5 nm),对于任意给定的层厚度,随着AFDC的增加,A1/A2纳米多层膜的塑性变形由“剪切局部化”向“均匀变形”模式演变,最终再次发生“剪切局部化”的变形。与大块非晶相比,具有最佳AFDC的A1/A2纳米多层膜均匀变形,实现了高强度和高塑性的完美结合。此外,对于每个层厚度下的样品,总是可以找到最佳的AFDC,并且随层厚度的增加呈上升趋势。当层厚度较大时(13.0和25.0 nm),无论AFDC如何变化,对于确定的层厚度,最佳AFDC消失。在这种情况下,塑性变形行为被局限在A1软相层,导致强烈的剪切局部化,塑性降低。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
纳米多层结构论文参考文献
[1].吴卫华,翟继卫.纳米复合多层ZnSb/GeSb相变存储薄膜的性能与结构研究[C].TFC'19第十五届全国薄膜技术学术研讨会摘要集.2019
[2].尹佩.镁合金纳米多层膜微观结构与力学性能的模拟研究[D].西安石油大学.2019
[3].欧凯.纳米结构ZnSe/ZnS多层薄膜的光致发光及电致发光性能研究[D].北京交通大学.2019
[4].翟晴晴,李伟,刘平,张柯,马凤仓.(AlCrTiZrNb)N/Si_3N_4纳米多层膜的微观结构和力学性能研究[J].功能材料.2019
[5].杨波波,孙珲,杨田林,郑小龙,徐涛.结构调制超硬Ti/TiN纳米多层膜的制备及其尺寸效应[J].材料研究学报.2019
[6].许迎东.基于碳纳米管/硅橡胶复合材料的多层结构微波吸收性能研究[D].华中科技大学.2019
[7].杨莉莎.稀土掺杂Ti/TiO_2-NTs基SnO_2多层纳米结构电极的制备及性能研究[D].哈尔滨工业大学.2018
[8].王耀东,李建军,李春.异质纳米Cu/Ni多层结构的分子动力学模拟[C].2018年全国固体力学学术会议摘要集（上）.2018
[9].李锐,刘腾,陈翔,陈思聪,符义红.界面结构对Cu/Ni多层膜纳米压痕特性影响的分子动力学模拟[J].物理学报.2018
[10].韩泽欣,张伟伟,赵翠翠,宋玉军.ITO/CoFeB/ITO/Ag多层异质磁纳米结构薄膜的制备及其磁光克尔效应的研究[J].电子测试.2018