导读:本文包含了通用器件模型论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:电迁移,失效模型,失效机理
通用器件模型论文文献综述
赵宇,谢劲松[1]（2005）在《半导体器件的通用电迁移失效物理模型》一文中研究指出电迁移是半导体器件的一个主要失效机理,在国内外已积累了大量的研究成果。但在物理模型和定量的研究方面,国内尚未有研究报告给出通用的物理模型以及使用这一模型对具体半导体器件进行定量化可靠性评估的案例。本文详细地讨论了电迁移的影响因素,对不同条件下电迁移失效模型之间的联系进行了分析,给出了电迁移失效模型的通用模型并进行了半导体器件可靠性评估的案例研究。(本文来源于《第十一届全国可靠性物理学术讨论会论文集》期刊2005-10-01）
林兆骥,赵虎,罗亮,许进[2]（2005）在《叁端分子电子器件通用模型》一文中研究指出叁端分子器件对于需要功率增益和信号还原的分子电路来说是非常重要的,本文提出了一种一般的叁端分子器件的通用器件模型(UniversalDeviceModel,简记为UDM),用于在纳米尺度下的分子电路仿真和设计。同时,本文还给出了基于UDM的电路的理论设计流程,并通过电路实例以从实际上说明了UDM的作用。(本文来源于《电子器件》期刊2005年03期）
林兆骥[3]（2005）在《分子器件及通用分子器件模型（UDM）的理论研究》一文中研究指出尽管在今后的十年内,传统硅电子学仍将是工业界的主导,但是全新的分子电子学有望超越当今半导体技术在物理学和经济学上的阻碍而继续沿着Moore 定理向前指数发展。虽然如今大部分分子电子学的解决方案仍处于起步阶段,但是它们在集成度、低功耗计算以及和其他生化功能的结合等方面有不可低估的潜力。关于分子电子学的研究已经取得了不少令人振奋的成果。尤其在过去的几年里,分子电子学步上了一个新的台阶,但是作为一个全新的前沿科学,除了对实验技术提出了很高的要求外,还亟需理论上的支撑。分子电子学研究的是分子水平上的电子学,其目标是用单个分子、超分子或分子簇代替硅基半导体晶体管等固体电子学元件组装逻辑电路,乃至组装完整的分子计算机。它的一个研究方向包括各种分子电子器件的设计、合成、性能测试以及如何将它们组装在一起以实现一定的逻辑功能电路等等。本文重点在于导电分子及分子电子器件的一些理论探索和研究。本文首先介绍了一些常见的导电分子,包括无机分子、有机分子和生物分子,并对它们的电气特性进行了比较,同时还从理论上介绍了分子的导电机理; 文章的第二部分重点介绍了几种常用的分子电子器件及其工作原理; 其中叁端分子器件对于需要功率增益和信号还原的分子电路来说是非常重要的,本文基于Matthew 和Garrett 等人提出的两端分子器件的通用器件模型(Universal Device Model,简记为UDM),创造性地提出了一种一般的叁端分子器件的UDM,用于在纳米尺度下的分子电路仿真和设计。同时,本文还给出了基于UDM 的电路的理论设计流程,并通过电路实例以从实际上说明了UDM 的作用。I-V 特性的计算也是分子器件理论研究的一个难点之一。本文着重介绍了了一种基于Büttiker 多端响应公式的量子力学方法,并用于计算基于金属电极-分子-金属电极(Metal-Molecular-Metal, 以下简记为:MMM)系统结构的分子电子器件的I-V特性。这为分子电子器件的研究提供了强有力的理论指导。本文对分子电子器件的设计以及组合分子电子器件的一些难点做出了充分的估(本文来源于《华中科技大学》期刊2005-03-01）
通用器件模型论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
叁端分子器件对于需要功率增益和信号还原的分子电路来说是非常重要的,本文提出了一种一般的叁端分子器件的通用器件模型(UniversalDeviceModel,简记为UDM),用于在纳米尺度下的分子电路仿真和设计。同时,本文还给出了基于UDM的电路的理论设计流程,并通过电路实例以从实际上说明了UDM的作用。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
通用器件模型论文参考文献
[1].赵宇,谢劲松.半导体器件的通用电迁移失效物理模型[C].第十一届全国可靠性物理学术讨论会论文集.2005
[2].林兆骥,赵虎,罗亮,许进.叁端分子电子器件通用模型[J].电子器件.2005
[3].林兆骥.分子器件及通用分子器件模型（UDM）的理论研究[D].华中科技大学.2005