本文主要研究内容
作者孙嵩泉（2019）在《半导体隧穿钝化技术及其工艺装备LPCVD在半导体和光伏领域的应用》一文中研究指出：1.量子隧穿效应在半导体芯片工艺中有一层1～2nm的隧道层（通常为二氧化硅SiO2薄膜）,此膜层的存在可以在半导体器件中实现量子隧穿效应,而此膜层的均匀性及结构可以直接影响器件的量子隧穿效应。根据量子隧穿效应制造的场效应晶体管称为隧穿场效应晶体管Tunneling Field-Effect Transistor简称TFET;根据量子隧穿效应制造的太阳能电池称为隧穿氧化钝化接触太阳能电池Tu
Abstract
1.liang zi sui chuan xiao ying zai ban dao ti xin pian gong yi zhong you yi ceng 1～2nmde sui dao ceng （tong chang wei er yang hua gui SiO2bao mo ）,ci mo ceng de cun zai ke yi zai ban dao ti qi jian zhong shi xian liang zi sui chuan xiao ying ,er ci mo ceng de jun yun xing ji jie gou ke yi zhi jie ying xiang qi jian de liang zi sui chuan xiao ying 。gen ju liang zi sui chuan xiao ying zhi zao de chang xiao ying jing ti guan chen wei sui chuan chang xiao ying jing ti guan Tunneling Field-Effect Transistorjian chen TFET;gen ju liang zi sui chuan xiao ying zhi zao de tai yang neng dian chi chen wei sui chuan yang hua dun hua jie chu tai yang neng dian chi Tu
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自第三届粤港澳大湾区真空科技创新发展论坛暨2019年广东省真空学会学术年会的孙嵩泉，发表于刊物第三届粤港澳大湾区真空科技创新发展论坛暨2019年广东省真空学会学术年会2019-11-28论文，是一篇关于,第三届粤港澳大湾区真空科技创新发展论坛暨2019年广东省真空学会学术年会2019-11-28论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自第三届粤港澳大湾区真空科技创新发展论坛暨2019年广东省真空学会学术年会2019-11-28论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。