导读:本文包含了沟槽结构论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:MOSFET,绝缘膜,SiC-MOSFET,功率半导体器件
沟槽结构论文文献综述
[1]（2019）在《叁菱电机开发出具有独特电场场限结构的沟槽型SiC-MOSFET》一文中研究指出叁菱电机株式会社开发出具有独特电场场限结构的沟槽型~([2])SiC~([3])-MOSFET~([4]),其耐压可达1500V以上,同时还具有全球领先水平~([1])的器件通态电阻率——1.84m·Ω·cm~2。将该功率半导体器件搭载于功率半导体模块中,有助于实现电力电子设备的小型化和节能化。叁菱电机于9月30日在日本京都国际会议中心举行的ICSCRM~([5])2019(9月29日～10月4日)会议上,发布(本文来源于《变频器世界》期刊2019年10期）
王万礼,刘晓芳,齐禹纯,孙欣,陈海洋[2]（2019）在《浅谈IGBT沟槽结构版图的设计》一文中研究指出随着应用终端需求的加强和能效要求的不断提升,对功率器件性能的要求也不断提升。于此同时推进了器件结构的不断发展,IGBT器件从平面结构向沟槽结构发展。目前国内功率器件晶圆厂商也开始进行沟槽器件的开发,于此同时IGBT及其衍生的结构也迅速发展,但是由于设备能力的限制以及沟槽的形貌和工艺的匹配性直接影响着器件的可靠性。作者通优化沟槽版图设计的方案来降低高密度器件结构对工艺的要求,降低沟槽设计和工艺匹配性不好带来的风险。(本文来源于《天津市电子工业协会2019年年会论文集》期刊2019-07-17）
张志智,韩志涛,于佳丘,张旭龙,陈栋[3]（2019）在《沟槽结构充液式冷辐射板性能实验研究》一文中研究指出本文研究了一种沟槽结构充液式辐射板供冷性能。采用90°度和130°两种肋壁夹角的吊顶式冷辐射板,在人工环境小室内开展了不同供水温度及环境湿度下的实验。主要测试了这两种新型辐射板供冷时翅片表面温度分布以及结露现象。结果表明:两种辐射板翅片表面各点最大温差约为1℃,翅片夹角影响表面最低点温度的位置。两种辐射板结露360 min后,液滴沿着倾斜辐射板表面向夹角顶端滑动,聚集并脱落。(本文来源于《建筑热能通风空调》期刊2019年06期）
卓彬,李盛,何川,王焕,王起才[4]（2019）在《沟槽式深覆土减载明洞衬砌结构受力特性及截面设计研究》一文中研究指出为了改善沟槽式高填黄土明洞衬砌结构内力,减小明洞衬砌厚度,文章通过数值模拟方法,从EPS板材料的力学性能和减载机制分析入手,研究了减载前后明洞各位置结构内力和结构衬砌厚度变化规律,以及边坡坡角对减载前后明洞结构内力和截面衬砌厚度的影响规律。结果表明,高填黄土明洞结构内力和结构衬砌厚度均随回填土高度的增加而增加;减载明洞结构内力和结构衬砌厚度减小效果均与EPS板厚度和EPS板材料的应力-应变曲线有关,在EPS板处于塑性阶段末期,减载效果最佳,并给出了该密度下EPS板减载的优化设计;边坡角度越大,减载前后明洞结构内力越小;除拱顶外,明洞衬砌截面厚度均有减小趋势;而减载后的洞顶衬砌厚度减小效果最明显,其余截面厚度减小量均呈加速减小趋势。文章最后建议对不同填土高度、不同边坡坡角的沟槽式高填明洞进行不同EPS板密度和厚度的优化设计。(本文来源于《现代隧道技术》期刊2019年03期）
陈天宇,吕玉山,车东泽,熊伟,李兴山[5]（2019）在《叶序排布超硬磨粒砂轮滚磨结构化沟槽表面的仿真》一文中研究指出基于生物学的叶序排布理论设计了叶序排布超硬磨粒砂轮,并提出了应用该砂轮滚磨外圆表面结构化沟槽的方法。对叶序排布超硬磨粒砂轮的滚磨加工过程进行运动学仿真研究,获得了磨削参数的变化对磨削区域结构化沟槽表面形貌的影响规律。仿真结果表明:砂轮与工件之间的转速比决定了沟槽的数量,且转速比越大沟槽间距越小;轴向进给速度越小,加工出沟槽表面的表面波纹度越低,当轴向进给速度超过临界轴向进给速度时,将无法形成沟槽表面;磨削深度越深,磨痕截面尺寸越大,磨痕长度越长。(本文来源于《工具技术》期刊2019年05期）
李梦杰[6]（2019）在《类骨单位同心圆微沟槽结构对成骨细胞和破骨细胞的调控作用》一文中研究指出拓扑结构,作为支架材料表面关键物理性质之一,对包括粘附、增殖、迁移、分化等众多细胞行为具有重要的调控作用。微纳米加工技术的发展使在材料表面可控构建特定微拓扑结构(微图案)成为可能,已成为研究表面拓扑结构与细胞相互作用关系的重要技术手段。但现有研究大多以微纳米沟槽、微岛和微柱等基本拓扑结构为模型,而忽略了对天然骨组织关键拓扑结构特征的仿生。天然密质骨是由大量被称为骨单位(哈弗氏系统)的重复结构单元组成。而骨单位又是由多层同心圆排列的哈弗氏骨螺旋环绕哈弗氏管所构成,骨细胞沿各层间胞窝呈相应的同心圆排布。由于骨修复的最终的目标是重建出天然密质骨的结构,类骨微图案结构表面可能会通过细胞的排布,对细胞骨修复相关行为和功能进行调控。因此,本论文利用光刻技术与熔融浇铸技术相结合的方法,在聚己内酯(PCL)表面构建同心圆微沟槽结构,在二维平面上实现对骨单位关键拓扑结构特征之一的同心圆结构进行仿生构建,并系统研究了类骨单位同心圆微沟槽结构对骨髓间充质干细胞(MSCs)成骨分化和巨噬细胞(RAW264.7)破骨分化的调控作用。研究结果表明相较于平整表面和具有平行微沟槽结构的表面,具有类骨单位同心圆微沟槽结构能够显着抑制RAW264.7细胞的破骨分化过程,主要表现为下调抗酒石酸酸性磷酸酶的活性和破骨分化特异性基因(TRAP,CATK和MMP9)的表达。进一步研究发现RANK-NFκB信号通路参与介导了类骨单位同心圆微沟槽结构对RAW264.7细胞破骨分化的调控。此外,类骨单位同心圆微沟槽结构虽然对MSCs成骨分化影响有限,却能调控间充质干细胞破骨分化相关调控因子的表达,通过显着性下调M-CSF、RANKL的表达及上调OPG的表达,抑制RAW264.7细胞的破骨分化。本研究成功地在二维平面上仿生构建了类骨单位同心圆微沟槽结构,并且证实了该结构能够在一定程度上促进MSCs的成骨分化;能够抑制RAW264.7细胞的破骨分化;能够调控间充质干细胞破骨分化相关旁分泌因子的表达,进而抑制RAW264.7细胞的破骨分化。这些研究结果显示出类骨同心圆微沟槽结构在骨修复支架材料表面构建中的重要作用及应用前景。(本文来源于《华南理工大学》期刊2019-04-10）
李山,姜楠,杨绍琼[7]（2019）在《正弦波沟槽对湍流边界层相干结构影响的TR-PIV实验研究》一文中研究指出利用高时间分辨率粒子图像测速(time-resolved particle image velocimetry, TR-PIV)技术,在不同雷诺数下对光滑壁面和二维顺流向、叁维正弦波(two/three dimensional, 2D/3D)沟槽壁面湍流边界层流场进行了实验测量,从不同沟槽对湍流边界层相干结构影响的角度分析了其减阻的机理.对比不同壁面的各阶统计量结果发现:沟槽降低了壁面摩擦阻力,存在减阻效果,正弦波沟槽的减阻率增大.运用相关函数、λ_(ci)检测准则等方法提取了不同壁面湍流边界层发卡涡和低速条带等典型相干结构的空间拓扑形态,结果表明:两种沟槽壁面的相干结构在流向和法向上的空间尺度均有不同程度的减小,且相干结构与主流之间的倾角趋于更小,流体在法向上的运动及结构的抬升受到明显抑制,发卡涡诱导喷射和扫掠的能力降低,从而影响了湍流中能量与动量的输运过程及湍流的自维持机制,且相比于2D沟槽, 3D正弦波沟槽作用效果更为明显.在同一雷诺数下,随着距离壁面法向位置的增加,不同壁面湍流边界层低速条带的展向间距都变宽;但同一法向位置处2D/3D沟槽壁面湍流边界层低速条带的间距与光滑壁面的相比更宽,沟槽的存在有效抑制了低速条带在展向上的运动,使得低速条带更稳定.(本文来源于《物理学报》期刊2019年07期）
赵倩[8]（2019）在《600V低损耗沟槽IGBT器件新结构研究》一文中研究指出在中高功率领域,IGBT以其优异的性能广泛应用于各种变频调速系统中,成为新能源汽车、电机控制、空调、机车牵引、高压直流输电等领域的核心功率开关器件之一。近年来,随着IGBT技术发展,业界对高功率密度低损耗器件提出了迫切需求。本文针对传统沟槽IGBT器件存在的问题,提出了两种新型低损耗结构,既改善了器件正向导通压降V_(CEON)与关断损耗E_(OFF)之间的折中特性,又改善了续流二极管(Free-wheeling diode,FWD)反向恢复时dV_(AK)/dt与IGBT导通损耗E_(ON)之间的折中特性。主要研究内容如下:1、提出一种具有浮空P型基区的双分裂栅沟槽IGBT(Dual split gate IGBT with floating p-well,DSG-FP IGBT)结构。通过在沟槽中引入与发射极等电位的双分裂电极,一方面避免了器件开启时浮空P型基区(Floating p-well)产生的位移电流I_(dis)对栅极驱动电流I_G的影响,降低了EMI(Electromagnetic Interfarence)效应;另一方面减小了器件的密勒电容(C_(GC)),降低了开关损耗;同时,沟槽底部厚氧化层的存在改善了载流子存储层(CS层)对器件耐压的影响,使得新结构的击穿电压(BV)提高。最终,新结构的C_(GC)比传统结构降低了97.9%;在相同V_(CEON)下,新结构的E_(OFF)比传统结构降低了64.3%;在相同FWD反向恢复dV_(AK)/dt下,新结构的E_(ON)比传统结构降低了38.2%;而在相同E_(ON)下,与新结构对应的FWD反向恢复dV_(AK)/dt比传统结构降低了45.9%。2、提出一种具有分裂栅沟槽结构的SGRET IGBT(Split gate recessed emitter trench IGBT)结构。一方面减小了密勒电容C_(GC),降低了开关损耗;另一方面沟槽底部厚氧化层的存在使得新结构的BV提高。最终,新结构的C_(GC)比传统结构降低了84.3%;在相同V_(CEON)下,新结构的E_(OFF)比传统结构降低了42.1%;在相同E_(ON)下,与新结构对应的FWD反向恢复dV_(AK)/dt比传统结构降低了24.5%,而在相同FWD反向恢复dV_(AK)/dt下,新结构的E_(ON)相比于传统结构降低了17.0%。3、对DSG-FP IGBT结构进行工艺仿真。一方面设计了满足耐压、正向导通压降、阈值电压等基本指标的元胞结构,并对元胞外延参数、P型基区参数、CS层参数、场阻止层(FS层)参数等进行了仿真分析。另一方面设计了满足耐压和可靠性要求的场限环加场板终端结构,并分析了终端击穿时的电场、电势分布以及电流路径等特性。最后,完成了DSG-FP IGBT结构的版图设计。(本文来源于《电子科技大学》期刊2019-04-01）
姜晨,张瑞,郝宇[9]（2019）在《微沟槽周期结构表面的磁性复合流体微纳光整研究及实验教学装置应用》一文中研究指出针对磁性复合流体黏度可控的特性,研究一种微纳沟槽表面可控抛光加工方法及工艺,实现低成本、可控微纳结构表面加工技术,并将其应用于微纳加工实验教学。采用磁性复合流体作为抛光液,设计端面式和圆周面式两种磁性复合流体抛光机构;根据周期性微米级沟槽表面结构特点,采用圆周面式磁性复合流体抛光机构进行微结构表面抛光加工实验;设计加工工艺,通过实验对比微沟槽周期结构表面加工效果,验证了实验装置及微结构可控抛光加工方法的有效性,实现微沟槽周期结构表面材料可控去除加工。该装置结构紧凑,使用与维护成本低,有效填补面向机械专业制造类课程的微纳加工实验教学装置技术空白。(本文来源于《上海理工大学学报》期刊2019年01期）
张金峰,封超,马芸慧,唐微,巩亚东[10]（2018）在《微铣金属表面微沟槽结构的粗糙度及形貌分析》一文中研究指出为了提高和改善微沟槽表面质量,设计了高速微铣削实验,研究了微沟槽底面表面粗糙度和侧壁残留毛刺的变化规律。从理论角度引入了已加工表面的形成机理,建立了微观表面粗糙度理论模型,提出了刀具跳动对侧壁形貌变化影响的规律。利用叁轴联动精密微细铣削机床加工微细直沟槽,并选取主轴转速、轴向切深、进给速度、刀具跳动量和材料组织结构为研究因素。采用多因素正交实验和极差分析法,对表面粗糙度值进行数值分析。铝合金,钢和钛合金叁类微沟槽底面对应的最佳表面粗糙度值变化范围分别为1.073~1.481μm,0.485~0.883μm,0.235~0.267μm;无刀具跳动钛合金微沟槽壁毛刺的最大高度为7.637μm,而当刀具存在0.3μm的径向综合跳动量时对应的微槽壁毛刺的最大高度为21.79μm。铣削参数对表面粗糙度值的影响按从大到小依次为进给速度、主轴转速、轴向切深,且随着进给速度和轴向切深的增大,表面粗糙度值增大;随着主轴转速的增大,表面粗糙度值先减小后增大;在相同加工条件下,若微圆弧刀刃无磨损,微刀具的跳动量对微直沟槽侧壁表面质量有较大影响。同时,不同金属材料特性也是影响微沟槽表面质量的潜在因素。(本文来源于《光学精密工程》期刊2018年12期）
沟槽结构论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
随着应用终端需求的加强和能效要求的不断提升,对功率器件性能的要求也不断提升。于此同时推进了器件结构的不断发展,IGBT器件从平面结构向沟槽结构发展。目前国内功率器件晶圆厂商也开始进行沟槽器件的开发,于此同时IGBT及其衍生的结构也迅速发展,但是由于设备能力的限制以及沟槽的形貌和工艺的匹配性直接影响着器件的可靠性。作者通优化沟槽版图设计的方案来降低高密度器件结构对工艺的要求,降低沟槽设计和工艺匹配性不好带来的风险。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
沟槽结构论文参考文献
[1]..叁菱电机开发出具有独特电场场限结构的沟槽型SiC-MOSFET[J].变频器世界.2019
[2].王万礼,刘晓芳,齐禹纯,孙欣,陈海洋.浅谈IGBT沟槽结构版图的设计[C].天津市电子工业协会2019年年会论文集.2019
[3].张志智,韩志涛,于佳丘,张旭龙,陈栋.沟槽结构充液式冷辐射板性能实验研究[J].建筑热能通风空调.2019
[4].卓彬,李盛,何川,王焕,王起才.沟槽式深覆土减载明洞衬砌结构受力特性及截面设计研究[J].现代隧道技术.2019
[5].陈天宇,吕玉山,车东泽,熊伟,李兴山.叶序排布超硬磨粒砂轮滚磨结构化沟槽表面的仿真[J].工具技术.2019
[6].李梦杰.类骨单位同心圆微沟槽结构对成骨细胞和破骨细胞的调控作用[D].华南理工大学.2019
[7].李山,姜楠,杨绍琼.正弦波沟槽对湍流边界层相干结构影响的TR-PIV实验研究[J].物理学报.2019
[8].赵倩.600V低损耗沟槽IGBT器件新结构研究[D].电子科技大学.2019
[9].姜晨,张瑞,郝宇.微沟槽周期结构表面的磁性复合流体微纳光整研究及实验教学装置应用[J].上海理工大学学报.2019
[10].张金峰,封超,马芸慧,唐微,巩亚东.微铣金属表面微沟槽结构的粗糙度及形貌分析[J].光学精密工程.2018
标签：MOSFET; 绝缘膜; SiC-MOSFET; 功率半导体器件;