导读:本文包含了等离子体充电损伤论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:氧化门,等离子体,充电损伤,碰撞电离
等离子体充电损伤论文文献综述
刘之景,曹继,王克逸[1]（2002）在《超薄氧化门的等离子体充电损伤机理》一文中研究指出探讨了金属氧化物半导体场效应管超薄氧化门在等离子体加工中造成的充电损伤机理,应用碰撞电离模型解释了超薄氧化门对充电损伤比厚氧化门具有更强免疫力的原因。(本文来源于《半导体技术》期刊2002年05期）
刘之景,刘晨[2]（2000）在《等离子体充电损伤对氧化门厚度的依赖关系》一文中研究指出介绍了氧化门厚度在 8～ 2 0nm范围内等离子体充电损伤随其厚度减小而变得严重。但是 ,当氧化门厚度减小到 4nm以下时 ,这种超薄氧化门比起厚一些的氧化门对充电损伤具有更好的免疫性 ,对隧道电流具有极好的承受能力。分析了上述两种氧化门厚度范围内等离子体充电损伤的不同机理。(本文来源于《仪表技术与传感器》期刊2000年03期）
等离子体充电损伤论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
介绍了氧化门厚度在 8～ 2 0nm范围内等离子体充电损伤随其厚度减小而变得严重。但是 ,当氧化门厚度减小到 4nm以下时 ,这种超薄氧化门比起厚一些的氧化门对充电损伤具有更好的免疫性 ,对隧道电流具有极好的承受能力。分析了上述两种氧化门厚度范围内等离子体充电损伤的不同机理。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
等离子体充电损伤论文参考文献
[1].刘之景,曹继,王克逸.超薄氧化门的等离子体充电损伤机理[J].半导体技术.2002
[2].刘之景,刘晨.等离子体充电损伤对氧化门厚度的依赖关系[J].仪表技术与传感器.2000