导读:本文包含了成像器件论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:VPS,暗电流,串扰,读出噪声
成像器件论文文献综述
李煜乾[1]（2019）在《垂直电荷成像器件（VPS）及其系统的噪声研究》一文中研究指出CCD和CMOS是主流的两种图像传感器,其成像性能随着对它们内部噪声源研究的深入和噪声抑制方法的创新而不断提升。可见,对图像传感器进行噪声分析是必要的。垂直电荷成像器件(VPS)作为一种新型的图像传感器,其噪声过大的问题极大地限制了成像质量,改善噪声性能迫在眉睫。而目前并没有研究人员对VPS进行过系统的噪声分析,抑制噪声就更无从谈起了。因此,对VPS进行噪声分析有极其重要的意义,有利于新一代图像传感器的发展。本文首先分析了 VPS器件级上的噪声源,以器件工作原理和阵列连接方式为基础,通过软件仿真、理论计算和实验测试等一系列方法确定了 VPS器件具有49%的扩散串扰、33.2e-的暗电流、108μV的读出噪声和严重的FPN。最后从VPS系统读出电路的工作原理出发,分析了读出电路中存在的噪声源,用理论计算确定了读出电容的复位噪声和ADC的量化噪声,通过统计学的实验方法验证了读出电路中各控制信号对读出噪声的影响,确定了各控制信号的最佳的脉冲时长和彼此间的间隔时长,在减小噪声的前提下提高了成像的帧率。通过本文对VPS噪声的系统分析,确定了影响VPS成像质量的关键因素有VPS器件的暗电流、阵列的串扰、读出电容的复位噪声、ADC的量化噪声和系统的FPN。其中,复位噪声和量化噪声可分别通过增大读出电容和减小斜坡电源步进来进行相应的优化,FPN可通过均场校正等算法消去,而暗电流和串扰既是噪声最严重的部分,又是最难以抑制的因素,极大地制约了图像质量的提升。基于对VPS噪声的深入研究,探索了抑制暗电流和串扰的方案,为接下来进一步抑制噪声、增强VPS成像质量提供了理论依据,指明了研究改善的方向。(本文来源于《南京大学》期刊2019-05-23）
陈庆华,李艳梅,陈英俊[2]（2019）在《红外热成像的电子器件故障识别研究》一文中研究指出电子器件故障的类型多,变化复杂,使得当前电子器件故障的识别正确率低、速度慢,为了改善电子器件故障识别的效果,提出了红外热成像的电子器件故障识别方法。首先对当前电子器件故障识别研究现状进行了分析,找到引起电子器件故障识别识别效果差的原因,然后采集电子器件状态的红外热图像,并提取电子器件故障识别特征,最后采用数据挖掘技术构建电子器件故障识别器,并与其它电子器件故障识别方法进行了仿真对比实验。结果表明,本文方法能够有效识别各种电子器件故障,电子器件故障的误识率低,电子器件故障的整体识别效果要优于对比方法,具有更加广泛的应用前景。(本文来源于《激光杂志》期刊2019年04期）
符张龙,邵棣祥,张真真,李锐志,曹俊诚[3]（2019）在《太赫兹频率上转换成像器件研究》一文中研究指出太赫兹成像器件是太赫兹技术应用的关键之一.研制一种由分子束外延技术堆迭生长太赫兹量子阱探测器和近红外发光二极管制成的THz频率上转换成像器件,其45°入射角耦合器件峰值探测频率为5. 2 THz,峰值响应率为0. 22 A/W,噪声等效功率为5. 2×1012W/Hz0. 5,可实现对太赫兹量子级联激光器光斑的清晰成像;研制的金属光栅耦合器件可实现正入射成像,有效减小成像图形畸变,并且有利于制备大面积器件.阐述器件的工作原理、制备方法、基本性能和成像性能,并对器件电流-电压特性、成像质量、成像畸变原因等问题进行讨论.该器件利用无像素成像技术,无需低温读数电路,无需阵列倒装封装,为THz成像技术提供一种简便、高性能的途径.(本文来源于《深圳大学学报(理工版)》期刊2019年02期）
翟玉卫,郑世棋,刘岩,梁法国[4]（2018）在《半导体器件用显微红外热成像技术原理及应用》一文中研究指出对用于半导体器件温度测量的显微红外热成像技术的原理及应用情况进行了总结。显微红外热成像技术基于普朗克黑体辐射定律,依靠测量被测件表面发出的红外辐射确定温度。在中红外波段下,该技术具备最高1. 9μm的空间分辨力,配合发射率修正技术,能够测量非黑体的微小半导体器件的真实温度。该技术具备稳态温度成像测量能力、连续毫秒级甚至微秒级的高时间分辨力成像测量能力和脉冲条件下器件温度测量能力。在各类半导体器件不同工作条件下的温度测量方面得到了广泛的应用。(本文来源于《计测技术》期刊2018年06期）
孙永强,胡源,王月旗,王祺,付跃刚[5]（2019）在《数字微镜器件在会聚成像光路中的像差分析》一文中研究指出数字微镜器件(DMD)应用于会聚成像光路中时,其表面微镜绕各自旋转轴做偏转运动,且微镜相对平面反射镜呈非连续分布,这导致了经过DMD反射后的光束轴外视场主光线与轴上视场主光线存在光程差。利用几何光学和像差理论,在基于DMD的会聚成像光路中得到了DMD面上的像高、光线入射角度、DMD像素大小及偏转角与最终光程差之间的关系。分析了影响光学系统像质的因素及补偿方法,并通过仿真模拟和实验验证了理论的正确性。该研究结果对采用DMD器件的光学系统设计和装调均具有重要意义。(本文来源于《光学学报》期刊2019年03期）
袁理,韩冰,李俊霖,杨永强,唐延甫[6]（2018）在《CMOS成像器件MTF测试系统的研制》一文中研究指出调制传递函数(MTF)用于评价CMOS成像器件的成像质量的好坏,是CMOS成像器件的核心指标。目前,国内外尚无通用性好的、已商业化的CMOS成像器件MTF测试设备,严重阻碍了CMOS成像器件的研制进程。在此背景下,本文研制了一套CMOS成像器件MTF测试系统。该系统采用对比度法来测试CMOS的MTF,其实物图如图1所示。光纤灯发出的光依次经过光纤、滤光片和积分球后,对条纹靶标进行均匀照明。条纹靶标位于反射式平(本文来源于《第十七届全国光学测试学术交流会摘要集》期刊2018-08-20）
高辉[7]（2018）在《基于几何相位超表面的超分辨成像功能器件研究》一文中研究指出更高的分辨率一直是光学成像、光刻等诸多光学系统的设计目标,但由于衍射极限的存在,光学系统分辨率存在理论限制。科学家开发的多种超分辨成像技术取得了巨大的成就,但往往由于系统设计复杂,不利于集成化设计。如受激辐射损耗(Stimulated emission depletion,STED)荧光显微系统,需要同时对双光束分别进行光场调制,难以实现小型化和集成化。超表面是一种超薄二维光学器件,由亚波长结构组成,可以实现对光场振幅、相位和偏振等诸多参数的调制,便于设计传统光学加工手段难以实现的功能器件(如奇异相位器件),也更方便光学系统的集成化设计,因此超表面可以用于超分辨成像器件的设计。在各类超表面器件中,几何相位型超表面具有设计简单、容差大、超薄、易于实现大数值孔径大光焦度元件、无材料色散、工作波段宽等优势。针对当前超分辨成像系统中存在的复杂度高、集成设计困难等问题,本文展开了对几何相位型超表面超分辨功能器件的研究,主要内容包括:1.提出了一种基于全息相位迭加原理的消色差超表面设计方法,并通过叁波长消色差聚焦透镜的设计验证了该方法的可行性。在此基础上,设计了一种应用于STED荧光显微超分辨成像系统的超表面STED器件,通过单片超表面器件对双波长实现了不同的光场调制,分别在同一观察平面上的同一空间位置得到了聚焦的空心和实心光斑,实现了STED器件的目标功能。2.提出了一种新型的轨道角动量光束自成像效应(为表述方便,论文中将其命名为“准泰伯效应”),并研究了准泰伯效应的数学模型和物理特性。准泰伯效应中,少量的轨道角动量光束环形光斑能够产生大量的环形光斑阵列,具有几十上百倍的倍增效应。因此利用准泰伯效应极为可观的倍增系数,可以产生大量的轨道角动量光束阵列。设计了超表面环形空心光斑阵列产生器件,通过数值仿真与实验验证了设计。在此基础上,对超表面器件进行了分区域设计,双波长响应区域不同,分别产生了环形空心光斑阵列和实心光斑阵列。通过数值仿真计算和实验测试,实现了设计的功能。3.设计了平面轴锥透镜和平面聚焦透镜,验证了平面轴锥透镜的超分辨聚焦效果。提出了平面“贝塞尔透镜”的概念,将聚焦透镜和轴锥透镜相位迭加,通过超表面实现该奇异相位分布,制成一个平面光学器件。该器件可以直接用于成像系统中,并能够获得0.7倍衍射极限的分辨率。(本文来源于《中国科学院大学(中国科学院光电技术研究所)》期刊2018-06-01）
张海舟[8]（2018）在《EBCMOS微光成像器件性能测试平台的设计及研究》一文中研究指出微光图像数字化已成为微光夜视技术的主要发展方向之一,而电子轰击型器件EBCMOS(Electron Bombardment Complementary Metal Oxide Semiconductor)在超弱星光或更低光照条件下也能完成对目标物体的清晰成像,同时其低噪声以及纳秒级门控带来的时间和空间高分辨率等优势都是目前固体成像器件无法替代的。EBCMOS是一种新型的数字化微光成像器件,具有体积小、重量轻、高灵敏度以及超低照度下可工作等诸多优势,因此对电子轰击型器件EBCMOS的研究成为了今后微光成像器件的主要发展趋势。目前国内对EBCMOS微光成像器件的研究尚处于理论研究阶段,且国内有关其性能的测试平台没有相应的研究报道。为了展开对EBCMOS微光成像器件的相关研究,本文依据EBCMOS微光成像器件的工作原理构建其性能测试平台,设计性能提取电路的逻辑时序,进行真空电子轰击实验对其性能进行测试与验证,实现器件性能的数字化描述。为了完成以上研究工作,本文围绕电子倍增机理、性能提取电路及逻辑时序设计、真空电子轰击实验等关键技术展开研究,主要分为以下叁个部分:第一部分:从半导体电子倍增层中电子倍增机理出发,依据低能电子与固体间相互作用模型结合Monte-Carlo模拟方法,研究EBCMOS不同表面氧化层厚度对入射光电子能量损失的影响;模拟研究入射光电子在倍增层处的电子运动轨迹,并依此分析倍增区内倍增电子的分布情况;模拟研究电荷收集效率随倍增层指数掺杂结构变化时的情况,理论优化的器件结构电荷收集效率可达92%。同时对EBCMOS电子倍增层的背减薄处理工艺展开研究,这为EBCMOS微光成像器件性能测试平台的研究提供了坚实的理论与技术基础。第二部分:对EBCMOS微光成像器件的性能提取电路展开研究,设计并制作以FPGA为控制器的性能提取电路硬件系统—图像传感器模块、信号接收与处理模块、数据存储模块以及VGA显示模块四部分组成;在此基础上,针对EBCMOS微光成像器件设计独有的逻辑时序,完成模拟图像到数字图像的转换过程,探究EBCMOS微光成像器件性能数字化描述的实现方法。第叁部分:构建EBCMOS微光成像器件性能测试平台,进行真空电子轰击实验,完成器件性能提取电路的验证性实验及相关性能参数的测试;根据真空电子轰击实验测试结果,优化并校正其性能提取电路的逻辑时序设计,实现对EBCMOS微光成像器件性能的数字化描述,并获取到符合预期的图像信息,进而为EBCMOS微光成像器件的性能表征提供理论与技术支撑。本文的研究成果希望可以为EBCMOS微光成像器件性能测试的相关研究提供一些参考和帮助。(本文来源于《长春理工大学》期刊2018-06-01）
吕昂,陈怡,方晋甬,朱仲杰[9]（2018）在《基于红外热成像的电路板载器件故障检测》一文中研究指出现有红外热成像电路故障检测方法一般需要与同型号电路的标准红外热图像进行参考比对,使用范围受到限制。为此提出一种无需标准红外热图像的电路板载器件故障情况自动检测算法。算法采用生长—消除法分割提取红外热图像中发热区域,采用最小二乘法四次多项式拟合计算发热器件表面温度,配合环境温度和器件封装计算发热器件内部PN结温,从而判定器件故障。在Ubuntu 16.04和Open CV 3.0环境下进行了实验测试,验证了所提算法的有效性。(本文来源于《激光与红外》期刊2018年05期）
陈瑶瑶[10]（2018）在《基于DNA分子器件的细胞表面膜蛋白及细胞内miRNA的成像新方法研究》一文中研究指出细胞中各类组分的变化与人类疾病息息相关,因此对引起细胞生命活动改变的细胞组分如蛋白质和miRNA进行研究具有重要意义。细胞成像技术及各类分析方法,如免疫荧光、免疫印迹、荧光原位杂交等,为人们深入了解细胞组分的变化提供了有力工具。但随着研究的深入,对细胞成像及分析技术也提出了更多新的要求。DNA不仅是重要的生命遗传物质,由于其独特的生化功能和物理性质,DNA被作为天然纳米材料而得到了广泛关注。基于DNA构建的DNA分子开关、DNA分子马达、DNA步行器等分子器件的出现为细胞成像及分析技术的发展注入了新的活力。在本论文的研究中,我们构建了两种DNA分子器件分别实现了对肿瘤膜蛋白的原位成像分析以及单细胞水平miRNA成像,具体内容如下:1.基于双标记脱氧核酶构建的DNA分子器件实现肿瘤细胞表面膜蛋白无损的原位成像及定量分析肿瘤细胞表面膜蛋白的表达水平和定位信息的综合分析对评价肿瘤细胞的状态具有重要的意义。目前对肿瘤细胞表面膜蛋白的分析技术可大致分为非原位检测和原位成像两种类型,前者最常用的技术为免疫印迹(western blot),后者最常用的技术为免疫荧光。要对肿瘤细胞进行全面的综合分析,这两类检测方法缺一不可。但目前常用的技术手段都有一定局限性,最重要的一点就是无法实现对同一批细胞的综合分析。基于上述考虑,我们设计了一段双标记的脱氧核酶序列(DNAzyme),并以该序列为材料构建了一种集成的、简单的、能对同一批细胞进行原位成像和定量分析的DNA分子器件。通过与western blot结果的比较,该DNA分子器件的荧光定量分析结果表现出可靠性、通用性及较好的灵敏度。该器件不仅能在一个体系中满足成像和定量的要求,其分析过程对细胞的无损性也在流式分析结果,细胞药敏性结果,细胞生长状态分析结果中得以验证。2.双酶驱动的DNA步行器实现单细胞水平的miRNA成像在单个细胞水平实现miRNA的成像能帮助我们更好地理解miRNA在细胞回路调节及疾病个体化差异中扮演的角色。但是由于miRNA序列短,在细胞中的丰度低,存在高度同源序列,构建一种灵敏的、精确的miRNA在细胞内成像的方法是一个挑战。基于金纳米颗粒优良的负载作用以及DNA“可编程”的特点,我们将带有荧光标记的DNA链修饰于金纳米颗粒上,构建了一种能实现miRNA在细胞中成像的DNA分子器件。简单来说,在核酸聚合酶Vent的催化作用下,miRNA会以荧光修饰的DNA链为模板进行扩增,产生切刻内切酶Nb.Bsm I的酶切位点。在识别-扩增-酶切-再识别-再酶切的作用下,荧光信号得以放大,同时成像的特异性得以保障。其成像结果与qRT-PCR定性的结果有较好的一致性,该DNA分子器件为我们研究miRNA在细胞中的成像了新方法。(本文来源于《上海大学》期刊2018-05-01）
成像器件论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
电子器件故障的类型多,变化复杂,使得当前电子器件故障的识别正确率低、速度慢,为了改善电子器件故障识别的效果,提出了红外热成像的电子器件故障识别方法。首先对当前电子器件故障识别研究现状进行了分析,找到引起电子器件故障识别识别效果差的原因,然后采集电子器件状态的红外热图像,并提取电子器件故障识别特征,最后采用数据挖掘技术构建电子器件故障识别器,并与其它电子器件故障识别方法进行了仿真对比实验。结果表明,本文方法能够有效识别各种电子器件故障,电子器件故障的误识率低,电子器件故障的整体识别效果要优于对比方法,具有更加广泛的应用前景。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
成像器件论文参考文献
[1].李煜乾.垂直电荷成像器件（VPS）及其系统的噪声研究[D].南京大学.2019
[2].陈庆华,李艳梅,陈英俊.红外热成像的电子器件故障识别研究[J].激光杂志.2019
[3].符张龙,邵棣祥,张真真,李锐志,曹俊诚.太赫兹频率上转换成像器件研究[J].深圳大学学报(理工版).2019
[4].翟玉卫,郑世棋,刘岩,梁法国.半导体器件用显微红外热成像技术原理及应用[J].计测技术.2018
[5].孙永强,胡源,王月旗,王祺,付跃刚.数字微镜器件在会聚成像光路中的像差分析[J].光学学报.2019
[6].袁理,韩冰,李俊霖,杨永强,唐延甫.CMOS成像器件MTF测试系统的研制[C].第十七届全国光学测试学术交流会摘要集.2018
[7].高辉.基于几何相位超表面的超分辨成像功能器件研究[D].中国科学院大学(中国科学院光电技术研究所).2018
[8].张海舟.EBCMOS微光成像器件性能测试平台的设计及研究[D].长春理工大学.2018
[9].吕昂,陈怡,方晋甬,朱仲杰.基于红外热成像的电路板载器件故障检测[J].激光与红外.2018
[10].陈瑶瑶.基于DNA分子器件的细胞表面膜蛋白及细胞内miRNA的成像新方法研究[D].上海大学.2018