导读:本文包含了球状缺陷论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:铜互连,等待时间,球状缺陷,器件失效
球状缺陷论文文献综述
彭坤,呼翔,罗登贵,王飚[1]（2014）在《长等待时间下铜互连线形成球状缺陷的机理研究及解决方案》一文中研究指出随着集成电路向高密度小尺寸方向发展,铜互连已成为目前集成电路主要使用的互连技术,但球状缺陷的形成会影响产品的质量.本文研究了长等待时间下铜互连线中球状缺陷的形成机理,分析了其造成器件失效的原因,并提出了相应的解决方案.研究显示,前道工序应力残留致铜晶界处应变再结晶是这种形式球状缺陷形成的主要原因.球状缺陷会使两层金属之间形成额外通孔,从而引起短路或漏电,导致器件失效.最后提出了相应的解决方案,通过正交实验发现铜电镀退火温度降低50℃,氮化硅淀积速率降低1 nm/s,氮化硅的膜厚提高10 nm能够有效改善这一现象.(本文来源于《纳米技术与精密工程》期刊2014年01期）
桂鹏[2]（2011）在《大马士革铜互连工艺中氮化硅薄膜层球状缺陷形成机制的研究》一文中研究指出随着集成电路向着高密度化和高性能化方向发展，电路特征尺寸不断缩小，互连层数不断上升．由于铜的电阻率较低，抗电迁移和应力迁移能力强，且其镶嵌制造工艺的兼容性好、成本低，因此铜互连己取代铝互连成为新型主导互连技术．新的互连结构和工艺，如铜电镀(elecllr()一copper platlng，EcP)和化学机械抛光(chemical-mechanicalpolishing，cMP)等，以及新的互连材料，如低k介质、阻挡层和覆盖层材料等，也相继被开发并应用于集成电路互连技术，从而大大提高了集成电路的性能，但也由此引发了一系列的互连可靠性问题在铜互连工艺中，常出现由于生成铜的硅化物和应力迁移形成的球状缺陷。由于铜的硅化物而造成的漏电短路和在铜晶界应变而诱生空洞是铜互连失效的重要现象之一。本文着重介绍介质层中由于存在铜的硅化物而造成的漏电失效和应力迁移而形成的空洞失效部分。本论文首先就球状缺陷的产生原因及其失效机理作了分析，其次通过对氨等离子体预处理和氮化硅预沉积的这两步骤进行实验研究，利用田口分析判断的实验方法，找到主要影响因素，从而优化气体流量、等离子喷头到晶圆表面的距离、射频功率、预处理和预沉积的时间等工艺参数，再次通过实际生产过程中数据找出热应力产生的原因，并通过实验来优化工艺参数，从而解决问题。最终解决O 13微米以下深亚微米铜互连工艺中的球状缺陷问题，提高产品的良率和可靠性。(本文来源于《上海交通大学》期刊2011-05-21）
吕祥飞[3]（2008）在《浅沟道隔离层小球状缺陷的改善研究》一文中研究指出在半导体湿法蚀刻中,氢氟酸广泛的用于对氧化硅的去除工艺和清洗,是比较成熟的工艺,然而实践中发现氢氟酸氧化硅的去除和清洗还很是会出现很多异常的问题。本文从生产实践中出现的缺陷出发,分析了影响蚀刻率和清洗的各个因素,并通过实验分析了各个因素对蚀刻率和清洗的具体影响。根据目前广泛应用于生产中的技术,介绍如何对相关因素进行控制调节,给得到稳定而良好的氢氟酸清洗效果。本文主要针对0.18Nor Flash前段的制造工艺在STI Oxide Pre Clean清洗过程中所遇到的浅沟道隔离层出现的小球状缺陷(tiny ball)进行分析研究,通过大量的的对比性实验,进行排查与分析,并利用各种先进的实验的设备和器材,Wet bench,高倍度电子扫描设备,先进的光学仪器和缺陷分析设备等,找到产生缺陷的原因,并且找到避免缺陷的产生的方法。从0.18 FLASH制程中的缺陷早期检测及缺陷的解决和预防的角度,提出一系列的解决方案,最终达到良率提升的目的,从而达到更优化制造工艺。(本文来源于《上海交通大学》期刊2008-12-01）
球状缺陷论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
随着集成电路向着高密度化和高性能化方向发展，电路特征尺寸不断缩小，互连层数不断上升．由于铜的电阻率较低，抗电迁移和应力迁移能力强，且其镶嵌制造工艺的兼容性好、成本低，因此铜互连己取代铝互连成为新型主导互连技术．新的互连结构和工艺，如铜电镀(elecllr()一copper platlng，EcP)和化学机械抛光(chemical-mechanicalpolishing，cMP)等，以及新的互连材料，如低k介质、阻挡层和覆盖层材料等，也相继被开发并应用于集成电路互连技术，从而大大提高了集成电路的性能，但也由此引发了一系列的互连可靠性问题在铜互连工艺中，常出现由于生成铜的硅化物和应力迁移形成的球状缺陷。由于铜的硅化物而造成的漏电短路和在铜晶界应变而诱生空洞是铜互连失效的重要现象之一。本文着重介绍介质层中由于存在铜的硅化物而造成的漏电失效和应力迁移而形成的空洞失效部分。本论文首先就球状缺陷的产生原因及其失效机理作了分析，其次通过对氨等离子体预处理和氮化硅预沉积的这两步骤进行实验研究，利用田口分析判断的实验方法，找到主要影响因素，从而优化气体流量、等离子喷头到晶圆表面的距离、射频功率、预处理和预沉积的时间等工艺参数，再次通过实际生产过程中数据找出热应力产生的原因，并通过实验来优化工艺参数，从而解决问题。最终解决O 13微米以下深亚微米铜互连工艺中的球状缺陷问题，提高产品的良率和可靠性。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
球状缺陷论文参考文献
[1].彭坤,呼翔,罗登贵,王飚.长等待时间下铜互连线形成球状缺陷的机理研究及解决方案[J].纳米技术与精密工程.2014
[2].桂鹏.大马士革铜互连工艺中氮化硅薄膜层球状缺陷形成机制的研究[D].上海交通大学.2011
[3].吕祥飞.浅沟道隔离层小球状缺陷的改善研究[D].上海交通大学.2008