导读:本文包含了超高真空扫描隧道显微镜论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:有机反应,偶联反应,超高真空扫描隧道显微镜
超高真空扫描隧道显微镜论文文献综述
刘培念[1]（2017）在《超高真空扫描隧道显微镜在有机反应研究中的应用》一文中研究指出在超高真空(10~(-8)Pa)环境下进行的表面有机反应是近几年来新兴的研究领域。表面有机反应的独特优势在于可以应用超高真空扫描隧道显微镜(UHV-STM)对反应的进程在原子分辨率下进行单分子水平的研究。对于表面有机反应而言,基底表面扮演着非常关键的角色。而在基底表面进行的有机反应的反应路径和机理也与相对应的在溶液中进行的有机反应有很大不同。另外,在超高真空环境下进行的表面有机反应能够在很广泛的温度下(本文来源于《中国化学会第十九届全国有机分析及生物分析学术研讨会论文汇编》期刊2017-03-30）
权泰龙[2]（2014）在《利用超高真空扫描隧道显微镜研究Si(3 3 7)-4×1结构的形成》一文中研究指出利用超高真空扫描隧道显微镜在Si(5512)表面上研究制作一维金属原子线的过程中发现了Si(337)-4×1结构。经研究发现Si(337)-4×1表面是一个非常稳定,非常规则的Si高指数面。重构的Si(337)-4×1表面具有缺陷密度低的优点,Si(337)-4×1表面可能是理想的纳米结构生长和异质外延的模板,能成为自组织生长具有相同尺度的金属纳米线和纳米点的基底。但到目前还没找到常规制作Si(337)-4×1结构的方法,所以找到Si(337)-4x1表面形成的原因,进而能常规制作出Si(337)-4×1表面就具有很大的现实意义。为了找到常规制作Si(337)-4×1结构的方法,从两个方面考虑了其可能性：一个是高温导致的相变,另一个是超高真空室内残留的C元素的污染。由此,对如下4个实验结果进行了分析：高温加热Si(5512)表面、在干净的Si(5512)表面上分别吸附Ge、C2H2、O2的实验。还研究了Si(5512)样品表面的平均面方向与大面积的Si(337)-4×1结构的形成的关系。从Si(5512)-2xl结构到Si(337)-4×1结构的转变需要通过大量原子获得能量后越过能量壁垒并且大面积的移动来实现,而且这种转变与(5512)平面到(113)平面的错位角(misorientation angle)的大小有关,与吸附的C元素无关。(本文来源于《延边大学》期刊2014-06-03）
陈曦[3]（2006）在《超高真空极低温强磁场扫描隧道显微镜的研制》一文中研究指出超高真空扫描隧道显微镜(STM)是进行单原子／分子识别和操纵的主要工具。极低温和强磁场是探测单原子,分子尺度上自旋自由度的必要条件。将极低温和强磁场与超高真空扫描隧道显微技术相结合是一项极富挑战性的工作。该研制工作的核心内容是设计与超高真空系统相匹配的氦-3恒温器及超导磁体。安装在下悬式氦-3恒温器下端的经过改进后的Besocke 式STM探头充分满足了极低温和强磁场的要求。下悬式的设计大大缩短了进行实验与更换样品的位置的距离,并且使氦-3部分在更换样品时保持在低温。为了向氦-3部分提供液氦-4 及防止在烘烤时超导磁体过热,恒温器的设计采用了叁个液氦存储单元的结构。为了避免液氮气化产生的噪音,恒温器使用了两层由氦蒸汽致冷的辐射屏蔽壳。该STM系统具有在极低温、强磁场和超高真空环境下研究单原子／分子的独特性能。(本文来源于《中国真空学会2006年学术会议论文摘要集》期刊2006-10-01）
李艳宁,安白,福山诚司,横川清志,吉村雅满[4]（2002）在《用超高真空扫描隧道显微镜UHV—STM研究多晶铌和单晶铌的表面结构》一文中研究指出作者使用超高真空扫描隧道显微镜UHV STM和表面成分分析仪器俄歇谱仪 (AugerElectronSpectroscopy(AES) )研究了多晶铌和Nb(0 0 1)。实验中采用净化样品的主要方法是离子轰击和高温加热。经过重结晶后 ,在多晶铌和Nb(0 0 1)表面形成了特征性的表面超结构。在多晶铌表面 ,作者观测到了 (110 )和 (10 0 )面 ,在 (10 0 )面上形成的是 (n× 1)超结构 ,而在 (110 )面上形成的是 0 2 8nm× 0 4 0nm的周期性超结构。在Nb(0 0 1)表面作者观测到C(2× 2 )的典型结构。AES实验表明 ,不纯物“氧”仍然以氧化物的形式存在于单晶和多晶铌样品中。基于这些实验结果 ,结合铌的微观晶格结构 ,作者给出了所观测到的超结构的合理的解释 ,并对有些结构提出了原子排列模型(本文来源于《电子显微学报》期刊2002年04期）
郑兆佳,王柱,刘育宁[5]（1999）在《为进口超高真空扫描隧道显微镜配备样品预处理室》一文中研究指出本文作者对进口英国VG公司的超高真空扫描隧道显微镜(UHVSTM)成功地进行了改造,配备了样品预处理室。这不仅维持了原有的各项技术指标,还改善了真空条件,增加了多种样品预处理功能。(本文来源于《现代仪器》期刊1999年04期）
江月山,王晓光,杨乃恒,刘宁,杨海强[6]（1997）在《超高真空扫描隧道显微镜控制系统的分析研究》一文中研究指出本文用根轨迹法和尼柯尔斯图法对超高真空扫描隧道显微镜的控制系统进行了分析研究，结果表明，在控制系统中加入积分环节和单极低通滤波环节以后，大大地改善了ＵＨＶ－ＳＴＭ系统的性能，在压电陶瓷的机械共振频率附近，获得了比较满意的控制特性(本文来源于《真空》期刊1997年01期）
江月山,王晓光,杨乃恒,刘宁,杨海强[7]（1996）在《超高真空扫描隧道显微镜定位系统的研制》一文中研究指出本文介绍了超高真空扫描隧道显微镜（ＵＨＶ－ＳＴＭ）定位系统的设计方法，并对误差进行了分析和修正。定位系统在操作范围为－５６０～＋５６０ｎｍ时的定位精度达到了０．１ｎｍ，该系统性能稳定，运行可靠。达到了设计要求(本文来源于《真空》期刊1996年05期）
超高真空扫描隧道显微镜论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
利用超高真空扫描隧道显微镜在Si(5512)表面上研究制作一维金属原子线的过程中发现了Si(337)-4×1结构。经研究发现Si(337)-4×1表面是一个非常稳定,非常规则的Si高指数面。重构的Si(337)-4×1表面具有缺陷密度低的优点,Si(337)-4×1表面可能是理想的纳米结构生长和异质外延的模板,能成为自组织生长具有相同尺度的金属纳米线和纳米点的基底。但到目前还没找到常规制作Si(337)-4×1结构的方法,所以找到Si(337)-4x1表面形成的原因,进而能常规制作出Si(337)-4×1表面就具有很大的现实意义。为了找到常规制作Si(337)-4×1结构的方法,从两个方面考虑了其可能性：一个是高温导致的相变,另一个是超高真空室内残留的C元素的污染。由此,对如下4个实验结果进行了分析：高温加热Si(5512)表面、在干净的Si(5512)表面上分别吸附Ge、C2H2、O2的实验。还研究了Si(5512)样品表面的平均面方向与大面积的Si(337)-4×1结构的形成的关系。从Si(5512)-2xl结构到Si(337)-4×1结构的转变需要通过大量原子获得能量后越过能量壁垒并且大面积的移动来实现,而且这种转变与(5512)平面到(113)平面的错位角(misorientation angle)的大小有关,与吸附的C元素无关。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
超高真空扫描隧道显微镜论文参考文献
[1].刘培念.超高真空扫描隧道显微镜在有机反应研究中的应用[C].中国化学会第十九届全国有机分析及生物分析学术研讨会论文汇编.2017
[2].权泰龙.利用超高真空扫描隧道显微镜研究Si(337)-4×1结构的形成[D].延边大学.2014
[3].陈曦.超高真空极低温强磁场扫描隧道显微镜的研制[C].中国真空学会2006年学术会议论文摘要集.2006
[4].李艳宁,安白,福山诚司,横川清志,吉村雅满.用超高真空扫描隧道显微镜UHV—STM研究多晶铌和单晶铌的表面结构[J].电子显微学报.2002
[5].郑兆佳,王柱,刘育宁.为进口超高真空扫描隧道显微镜配备样品预处理室[J].现代仪器.1999
[6].江月山,王晓光,杨乃恒,刘宁,杨海强.超高真空扫描隧道显微镜控制系统的分析研究[J].真空.1997
[7].江月山,王晓光,杨乃恒,刘宁,杨海强.超高真空扫描隧道显微镜定位系统的研制[J].真空.1996
标签：有机反应; 偶联反应; 超高真空扫描隧道显微镜;