导读:本文包含了热退火行为论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:硼掺杂直拉单晶硅,微缺陷,洁净区,快速热处理
热退火行为论文文献综述
贾栓[1]（2019）在《硼掺杂单晶硅微缺陷及其快速热退火行为研究》一文中研究指出本文利用快速热处理(Rapid thermal processing,RTP)技术及低—高常规热处理工艺,对硼掺杂单晶硅中的微缺陷进行了系统研究。重点探讨了轻掺硼和重掺硼直拉(CZ)单晶硅在Ar、O_2气氛中进行单步或两步RTP及后续低—高热处理工艺后,单晶硅体内微缺陷(BMD)和近表面有源区洁净区(DZ)的形成情况。同时对表面有原生微缺陷的硼掺杂单晶硅进行快速热处理(RTP)研究,进一步分析了RTP技术对单晶硅中微缺陷的调控作用和近表面洁净区(DZ)形成的促进作用。通过在Ar气氛和O_2气氛中进行单步RTP及低—高热处理,研究了RTP退火气氛、退火时间及降温速率对硼掺杂单晶硅中BMD和DZ形成的影响。在Ar气氛中,研究发现随着RTP时间的增加轻掺硼单晶硅BMD密度和DZ宽度均增加,随着RTP降温速率的增大,BMD密度增加,DZ宽度减小;而重掺硼单晶硅随着RTP时间的增加BMD密度增加,无DZ出现,随着RTP降温速率的增大,BMD密度在下降,同样无DZ出现。在O_2气氛中,发现随着RTP时间的延长,轻掺和重掺硼单晶硅中BMD密度均下降,DZ宽度均增加;随着RTP降温速率的增大,轻掺和重掺硼单晶硅中BMD密度均增加,DZ宽度均减小。但是,在O_2气氛中热处理时单晶硅BMD密度过低不利于后期器件制造过程中的内吸杂。进一步研究了硼掺杂单晶硅在(Ar/O_2)或(O_2/Ar)气氛中进行两步RTP及后续低—高热处理,结果发现随着RTP时间和降温速率的变化,单晶硅BMD密度和近表面DZ宽度会发生相应的变化。通过改变RTP时间和降温速率就可以使单晶硅BMD得到合理分布,同时在近表面形成较宽的DZ,以满足后续器件制造过程中的内吸杂要求。(本文来源于《郑州大学》期刊2019-04-01）
金桥,李德兴,江潮[2]（2012）在《有机小分子并五苯单层薄膜热退火下的分子扩散行为和自组装形成高质量纳米晶粒》一文中研究指出有机小分子单晶场效应晶体管在研究器件传输性质和探索有机材料极限性能方面有其独特的优势,因而被广泛关注。然而,传统的制备方式得到的有机晶体需要用转移的方式制备成器件,这非常容易破坏晶体与介电层之间的界面完整性。最近,我们发现沉积于不同衬底上的并五苯单层薄膜,经退火可以转变成纳米晶体——其形状与传统气相沉积得到的并五苯单晶形状相似。(本文来源于《第十六届全国晶体生长与材料学术会议论文集-08纳米晶体及其表征》期刊2012-10-21）
何文军,闵光辉,奥列格·托罗辛科[3]（2009）在《长时间热退火对Ti-Ni-Cu合金条带马氏体相变行为的影响》一文中研究指出采用快速凝固法制备了Ti53.5Ni22.8Cu23.7合金非晶薄带,研究了长时间热退火对合金条带马氏体相变行为的影响。结果表明,经450～500℃保温退火1～10h条带的相变热滞对保温时间不敏感,约为13～15℃,相变热在4～8J/g之间。随着保温时间延长,500℃退火下的条带相变峰值温度移向高温区而450℃退火下则移向低温区。条带在低于晶化温度的400℃保温10h后晶化程度显着提高,体现出明确的马氏体相变,其相变热滞为13.9℃。合金条带在400℃退火10h形成具有织构(001)的TiCu-B11析出物和Ti2Cu型析出物,在450～500℃退火形成Ti2Cu型析出物。长时间退火下的条带相变特征的差异与退火条带的织构、析出物类型及析出物改变合金基体相的化学成分有关。(本文来源于《功能材料》期刊2009年10期）
刘磁辉,林碧霞,王晓平,刘宏图,傅竹西[4]（2003）在《Si中Nd离子热退火行为的深能级瞬态谱研究》一文中研究指出本文采用高能离子注入技术将两种剂量的稀土元素钕(Nd)引入外延n-Si片中,并借助非相干光快速热退火(RTA)方法使注入层再结晶并电激活;利用深能级瞬态谱(DLTS)测量方法对Si中Nd离子的深能级行为进行了研究。结果发现:经几秒钟的BTA处理,Nd能在Si中被激活并形成深能级中心,测量到较宽的DLTS谱峰。Nd在n-Si中的深能级行为与Si衬底材料的浅能级杂质基本无关。在低于1285℃的RTA时,Nd形成的深能级中心均为施主型。深能级中心的位置随注入剂量和退火温度不同而有所变化;高温退火后,Nd在硅中有一个能级位置为E_c-(0.32±0.04)eV稳定的施主型深中心,对它的成因进行了讨论。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2003年05期）
程雪梅,郑有炓,韩平,刘夏冰,朱顺明[5]（2000）在《Si基富Ge含量Si_(1-x-y)Ge_xC_y异质结构的热退火行为研究》一文中研究指出研究了Si基富Ge含量的Si1 x yGexCy 异质结构的热退火行为。采用等离子体增强化学气相淀积 (PECVD)法在Si(10 0 )衬底上淀积一层厚度为 170nm的Si1 x yGexCy 薄膜 (x～ 0 .7,y～ 0 .15) ,并在其上覆盖一Ge层。将样品分别在 6 50℃和 80 0℃下进行N2氛围下热退火 2 0min。用拉曼谱 (Raman)、俄歇电子能谱 (AES)以及X射线光电子能谱(XPS)等方法对样品进行研究。研究结果表明 ,低温PECVD法生长的Si1 x yGexCy 薄膜是一种亚稳结构 ,Ge/Si1 x yGexCy/Si异质结构在 6 50℃下呈现不稳定性 ,薄膜中的Ge、C相对含量下降 ,且在界面处出现Ge、C原子的堆积。经过 80 0℃下退火 2 0min的样品中C含量基本为 0 ,Ge相对含量下降至约 2 0 %左右 ,且薄膜的组分比较均匀。(本文来源于《高技术通讯》期刊2000年10期）
陈存礼,曹明珠,蒋宏伟,徐伟文,华文裕[6]（1989）在《共溅射钨硅化合物真空快速热退火行为(英文)》一文中研究指出The behavior of co-sputtering tungsten silicide after vacuum rapid annealing at 1000-1100℃ for 15s is investigated by Raman scattering, scanning electron microscope, X-ray diffraction, Auger electron spectrum and resistivity measurements. There are two Raman peaks at 331 and 450cm-1, and their intensities increase with the temperature rise of rapid thermal annealing. Scanning electron micrograph exhibits crystallization at 1000℃ and its enhancement with increase of annealing temperature. In addition to the (002), (101), (110), (103), (112) and (200) diffraction peaks of WSi2, there are some W5Si3 peaks in X-ray diffraction pattern. However, the composition of WSi2 is found in Auger electron spectrum at 1000℃, and the measurement results of sheet resistance also conclude WSi2 characteristics.(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊1989年04期）
林成鲁,倪如山,邹世昌[7]（1989）在《BF_2~+注入的多晶硅薄膜快速热退火后氟行为的研究》一文中研究指出本文报道BF_2~+注入的多晶硅薄膜经快速热退火后的物理和电学性质。发现造成氟异常分布的原因是由于快速热退火过程中氟的外扩散以及在多晶硅/二氧化硅界面处的聚集。在注入剂量为1×10~(15)和5×10~(15)cm~(-2)的样品中,经快速热退火后可以观察到氟泡。(本文来源于《电子科学学刊》期刊1989年04期）
金澍,刘洪图,赵特秀,吴志强,沈波[8]（1989）在《Au、Al/a-Si:H热退火行为研究》一文中研究指出本文借助改进的干涉增强喇曼散射技术、AES分析和高温金相显微镜在位观察研究了Au、Al/a-Si∶H系统的真空热退火行为.发现受金属复盖的a-Si∶H的晶化温度和其激活能均比未复盖的a-Si∶H要低得多;a-Si∶H上的Al-Si互溶温度也比C-Si上的低,并且该互溶作用在350℃退火后加剧;Al诱导的a-Si∶H晶化后,在表面上有一连续的低阻Si(Al)析出层,它可Al/a-Si∶H的肖特基结转为欧姆结.(本文来源于《半导体学报》期刊1989年03期）
谭春雨,夏日源,郑胜男,阎建华,王豫生[9]（1987）在《高剂量的~(40)Ar~+离子注入硅热退火行为的研究》一文中研究指出用沟道—卢瑟福背散射技术(RBS)研宄了能量为50 KeV,剂量为3.8×10~(16)/cm~2和1.9×10~(16)/cm~2的~(40)Ar~+离子注入(111)硅衬底中的恒温等时热退火行为。结果表明,离子注入层中Ar 原子的扩散和释放以及非晶硅层的再结晶行为明显地依赖于~(40)Ar~+离子的注入剂量和退火温度。注入剂量为3.8×10~(16)/cm~2的样品,当退火温度为700℃时,表面层硅的密度明显减小,退火温度为750℃时,注入层中的大部分Ar 发生外扩散并从样品表面释放。注入剂量为1.9×10~(16)/cm~2的样品,退火过程中没有发现衬底硅表面密度的变化,而且当退火温度为900℃时,残留在注入层中的Ar 仍旧比较多。最后对这些现象进行了讨论和解释。(本文来源于《山东大学学报(自然科学版)》期刊1987年04期）
热退火行为论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
有机小分子单晶场效应晶体管在研究器件传输性质和探索有机材料极限性能方面有其独特的优势,因而被广泛关注。然而,传统的制备方式得到的有机晶体需要用转移的方式制备成器件,这非常容易破坏晶体与介电层之间的界面完整性。最近,我们发现沉积于不同衬底上的并五苯单层薄膜,经退火可以转变成纳米晶体——其形状与传统气相沉积得到的并五苯单晶形状相似。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
热退火行为论文参考文献
[1].贾栓.硼掺杂单晶硅微缺陷及其快速热退火行为研究[D].郑州大学.2019
[2].金桥,李德兴,江潮.有机小分子并五苯单层薄膜热退火下的分子扩散行为和自组装形成高质量纳米晶粒[C].第十六届全国晶体生长与材料学术会议论文集-08纳米晶体及其表征.2012
[3].何文军,闵光辉,奥列格·托罗辛科.长时间热退火对Ti-Ni-Cu合金条带马氏体相变行为的影响[J].功能材料.2009
[4].刘磁辉,林碧霞,王晓平,刘宏图,傅竹西.Si中Nd离子热退火行为的深能级瞬态谱研究[J].人工晶体学报.2003
[5].程雪梅,郑有炓,韩平,刘夏冰,朱顺明.Si基富Ge含量Si_(1-x-y)Ge_xC_y异质结构的热退火行为研究[J].高技术通讯.2000
[6].陈存礼,曹明珠,蒋宏伟,徐伟文,华文裕.共溅射钨硅化合物真空快速热退火行为(英文)[J].固体电子学研究与进展.1989
[7].林成鲁,倪如山,邹世昌.BF_2~+注入的多晶硅薄膜快速热退火后氟行为的研究[J].电子科学学刊.1989
[8].金澍,刘洪图,赵特秀,吴志强,沈波.Au、Al/a-Si:H热退火行为研究[J].半导体学报.1989
[9].谭春雨,夏日源,郑胜男,阎建华,王豫生.高剂量的~(40)Ar~+离子注入硅热退火行为的研究[J].山东大学学报(自然科学版).1987