本文主要研究内容
作者刘启祥,刘文婷,鲁一荻,史奔,马艳恒（2019）在《压力作用下透明导电氧化物2H-CuGaO2的结构和性能》一文中研究指出：铜铁矿材料（CuMO2）性能优良,是具有本征p型半导体特性的透明导电氧化物,且有2H和3R两种结构。为研究2H-CuGaO2的结构和性能,基于密度泛函理论（DFT）框架下的平面波超软赝势法,计算了压力作用下2H-CuGaO2的晶体结构、弹性性质和电子结构。研究发现:1)压力增加能够导致2H-CuGaO2晶胞的收缩;2)在0～30 GPa压力范围内,2H-CuGaO2是延展性材料;3)当压力为20.83 GPa时,2H-CuGaO2变得不稳定;4)2H-CuGaO2是间接跃迁带隙半导体,价带主要由Cu的3d态及O的2p态电子构成,导带主要由Cu的3p态及O的2p态电子构成,且当压力增加时,带隙值线性增大。本研究对相关材料的使用有参考作用。
Abstract
tong tie kuang cai liao （CuMO2）xing neng you liang ,shi ju you ben zheng pxing ban dao ti te xing de tou ming dao dian yang hua wu ,ju you 2Hhe 3Rliang chong jie gou 。wei yan jiu 2H-CuGaO2de jie gou he xing neng ,ji yu mi du fan han li lun （DFT）kuang jia xia de ping mian bo chao ruan yan shi fa ,ji suan le ya li zuo yong xia 2H-CuGaO2de jing ti jie gou 、dan xing xing zhi he dian zi jie gou 。yan jiu fa xian :1)ya li zeng jia neng gou dao zhi 2H-CuGaO2jing bao de shou su ;2)zai 0～30 GPaya li fan wei nei ,2H-CuGaO2shi yan zhan xing cai liao ;3)dang ya li wei 20.83 GPashi ,2H-CuGaO2bian de bu wen ding ;4)2H-CuGaO2shi jian jie yue qian dai xi ban dao ti ,jia dai zhu yao you Cude 3dtai ji Ode 2ptai dian zi gou cheng ,dao dai zhu yao you Cude 3ptai ji Ode 2ptai dian zi gou cheng ,ju dang ya li zeng jia shi ,dai xi zhi xian xing zeng da 。ben yan jiu dui xiang guan cai liao de shi yong you can kao zuo yong 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自工业技术创新的刘启祥,刘文婷,鲁一荻,史奔,马艳恒，发表于刊物工业技术创新2019年03期论文，是一篇关于透明导电氧化物论文,压力论文,弹性常数论文,平面波超软赝势法论文,工业技术创新2019年03期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自工业技术创新2019年03期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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