导读:本文包含了随机存储器论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:单粒子翻转效应,截面,Geant4,重离子
随机存储器论文文献综述
高丽娟,白彩艳[1]（2019）在《静态随机存储器单粒子翻转效应截面的蒙特卡罗模拟》一文中研究指出单粒子翻转(SEU)效应是离子入射静态随机存储器(SRAM)使其逻辑状态发生改变的一种效应.依据地面单粒子翻转实验数据构建合适的模型可以对器件的在轨运行错误率进行预估.文章主要针对0.15μm工艺的SRAM,基于蒙特卡罗软件Geant4,构建经验模型,模拟其单粒子翻转效应截面,并将模拟结果与实验结果进行对比,结果表明该经验模型可以应用于亚微米器件单粒子翻转效应的模拟.(本文来源于《山西师范大学学报(自然科学版)》期刊2019年03期）
王硕,常永伟,陈静,王本艳,何伟伟[2]（2019）在《新型绝缘体上硅静态随机存储器单元总剂量效应》一文中研究指出静态随机存储器作为现代数字电路系统中常见且重要的高速存储模块,对于提升电子系统性能具有重要作用.到目前为止,关于静态随机存储器单元总剂量辐射效应的数据依然有待补充完善.本文采用130 nm绝缘体上硅工艺,设计制备了一种基于L型栅体接触场效应晶体管器件的6晶体管静态随机存储器单元.该L型栅体接触器件遵循静态随机存储器单元中心对称的版图特点,使得存储单元面积相比于采用同器件尺寸的T型栅体接触器件的静态随机存储器单元减小约22%.文中对比研究了L型栅体接触器件与其他场效应晶体管之间的电学性能差异,以及基于不同场效应晶体管静态随机存储器单元的漏电流和读状态下静态噪声容限随辐射总剂量增加的变化规律.测试结果表明, L型栅体接触器件与T型栅体接触器件的器件性能接近,但前者具有面积更小的优势;同时基于L型栅体接触场效应晶体管的静态随机存储器单元的基本电学性能以及抗总剂量辐射效应均优于传统基于浮体场效应晶体管的静态随机存储器单元,因而具有稳定可靠的实用价值.(本文来源于《物理学报》期刊2019年16期）
[3]（2019）在《铁电随机存储器F-RAM在动力电池管理上的应用》一文中研究指出随着电动汽车技术的发展,以及政府的政策鼓励与扶持,电动汽车(混动+纯电动)以每年超过50%的速度高速增长,电池以及电池管理系统作为电动汽车的核心组件,其市场需求也获得相应的快速增长。本文将就电池管理系统对存储器的需求进行分析电池管理系统(Battery Management System,即BMS)主要实现叁大核心功能:电(本文来源于《中国电子商情(基础电子)》期刊2019年05期）
孔令雨[4]（2019）在《静态随机存储器灵敏放大器失调电压降低技术研究》一文中研究指出在如今科技水平飞速发展的环境下,移动终端和智能家居已经普及在人们的生活中。为了满足人工智能对硬件设施的需求,工艺节点的持续更新换代,相同面积的晶圆中集成的晶体管也呈现出指数型增长的趋势。SRAM作为速度最快的存储设备,在SoC中所占比重也逐渐的增加,伴随着SRAM容量的增大,SRAM受到晶体管阈值电压不匹配的影响也越来越大。本文为了有效的降低灵敏放大器的失调电压,提出了一种自适应分布数字校准型灵敏放大器,进而加快SRAM的读取速度,减少功耗。本文主要工作如下:一、介绍了SRAM的整体架构,分析了读、写和保持叁种工作状态,其中读操作为SRAM的时序关键路径。然后说明了灵敏放大器在读操作中发挥的作用,根据输入端数据的类型,灵敏放大器主要分为电压型灵敏放大器和电流型灵敏放大器两种。电压型灵敏放大器具备较为简单的电路结构,性能稳定高效,但是输入端需要一定的差分电压,因此受位线负载电容的影响较大。电流型灵敏放大器输入位线电流,速度快,不受位线负载电容的影响,但是电路结构较为复杂,工艺波动会严重影响其稳定性。对比分析了叁种常见的灵敏放大器结构的优势,仿真验证了传统耦合锁存型灵敏放大器具备较为优异的抗工艺波动能力。二、分析差分型灵敏放大器失调电压产生原理,叙述了几种通过不同途径降低失调电压的校准方法,详细介绍了各种方案的电路原理和工作方式,通过仿真验证各种设计的失调电压改善效果,分析各自存在的优点和不足。叁、本文提出了一种自适应分布数字校准型灵敏放大器,详细分析了电路结构,理论推导和工作原理。在增加少量外围电路的条件下,通过控制内部节点之间传输门NMOS栅压,可以减小晶体管失配的影响。校准后失调电压可以有效降低57.1%(TT工艺角下),并且在不同工艺角和温度下仿真验证自适应分布数字校准型灵敏放大器的效果,蒙特卡洛仿真结果显示校准后失调电压改善效果达49.9%～58.3%。(本文来源于《安徽大学》期刊2019-02-01）
戈勇,高一,梅博,于庆奎,孙毅[5]（2018）在《磁阻式随机存储器(MRAM)重离子单粒子效应试验研究》一文中研究指出磁阻式随机存储器(MRAM)作为非电荷存储的非易失存储器在抗辐射性能上有一定的优势,在空间有较好的应用前景。文章分析了MRAM的工作原理,选取典型的MR0A08BCYS35型MRAM存储器为研究对象,进行了重离子单粒子效应敏感性试验研究,在此基础上,利用专用软件Fore CAST计算预估了该种器件空间应用条件下的单粒子在轨翻转率,给出了在轨应用的具体建议。(本文来源于《航天器环境工程》期刊2018年06期）
张明阳,晏坚,王帅,匡麟玲[6]（2018）在《静态随机存储器型可编程门陈列中轨应用可靠性分析》一文中研究指出静态随机存储器(SRAM)型可编程门阵列(FPGA)在空间应用面临严重的单粒子效应问题,已有的研究大多集中在GEO和LEO轨道。由于中轨(MEO)卫星的星上大容量信号处理需求日益增长,迫切需要寻求在容量、寿命与可靠性、成本之间折中的有效解决方案,SRAM型FPGA能否满足中轨应用的可靠性需求成为关键问题。基于1/2恒星日回归轨道的中轨应用场景,选取了四款Xilinx FPGA,在日常辐射环境与太阳质子事件相结合的情况下进行了FPGA的可靠性分析,给出了叁模冗余与定期刷新容错手段的选取策略;并讨论了对抗太阳质子事件的可行方案。结果表明,即使在最恶劣的辐射环境下,采用叁模冗余结合周期刷新的加固手段,商业级FPGA也可达到同宇航级FPGA相当的可靠性水平。(本文来源于《科学技术与工程》期刊2018年24期）
李新月,赵凯东,石凯熙,许喆,王中强[7]（2018）在《基于ZnO纳米线/PMMA复合材料的柔性阻变式随机存储器》一文中研究指出基于ZnO纳米线/有机PMMA复合材料体系制备了柔性阻变式随机存储器,由于复合材料体系的低杨氏模量及高柔性特点,该器件展示了超高的机械耐受性.器件在大角度下弯折104次以上而未见性能退化,且数据保持性良好.器件的阻变存储机制可归因于导电细丝的形成与断裂,其中ZnO纳米线表面上的缺陷在导电细丝构建中起重要作用.(本文来源于《物理实验》期刊2018年03期）
李丽丽,汪栋,刘夏杰,吕永红,李坤锋[8]（2018）在《65nm双阱CMOS静态随机存储器多位翻转微束及宽束实验研究》一文中研究指出利用微束和宽束辐照装置分别对两款65nm双阱CMOS静态随机存储器(SRAM)进行重离子垂直辐照实验,将多位翻转(multiple-cell upset,MCU)类型、位置、事件数与器件结构布局相结合对单粒子翻转(single-event upset,SEU)的截面、MCU机理进行深入分析。结果表明,微束束斑小且均匀性好,不存在离子入射外围电路的情况;NMOS晶体管引发的MCU与总SEU事件比值高达32%,NMOS晶体管间的电荷共享不可忽略;实验未测得PMOS晶体管引发的MCU,高密度阱接触能有效抑制PMOS晶体管间的电荷共享;减小晶体管漏极与N阱/P阱界面的间距能降低SRAM器件SEU发生概率;减小存储单元内同类晶体管漏极间距、增大存储单元间同类晶体管漏极间距,可减弱电荷共享,从而减小SRAM器件MCU发生概率。(本文来源于《原子能科学技术》期刊2018年07期）
王桂珍,李瑞宾,齐超,杨善潮,刘岩[9]（2017）在《电源噪声对静态随机存储器瞬时辐射响应的影响》一文中研究指出对电源模块和静态随机存储器组成的电子系统开展了脉冲X射线辐射响应的实验研究,分析了电源模块辐射响应对SRAM电路抗辐射性能的影响。研究发现,瞬时辐照时电源模块的输出扰动会严重影响SRAM的抗辐射性能,导致SRAM剂量率损伤翻转降低。(本文来源于《中国核科学技术进展报告（第五卷）——中国核学会2017年学术年会论文集第6册（核化工分卷、核化学与放射化学分卷、辐射物理分卷）》期刊2017-10-16）
蔡江铮,黑勇,袁甲,陈黎明[10]（2018）在《近阈值非预充静态随机存储器》一文中研究指出为了降低静态随机存储器在处理声音和视频数据时的功耗,提出一款新型的非预充单元.相比常规6管和8管单元,其读操作消除了预充机制,抑制了无效的翻转,因此功耗得到显着优化.本单元通过多阈值技术,在保证低电压区域读噪声容限的同时也加强了数据读出的能力.而且通过引入切断反馈环的机制,有效地提升了单元写能力.此外,在存储阵列中应用半斯密特反相器,大幅地提升了静态随机存储器读操作的性能.基于SMIC 130nm工艺,分别实现容量为6kbit的非预充和常规8管静态随机存储器测试芯片.测试和仿真数据表明,这种新型存储器相比常规8管存储器在功耗的抑制上具有显着优势,可以作为低功耗应用的良好选择.(本文来源于《西安电子科技大学学报》期刊2018年01期）
随机存储器论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
静态随机存储器作为现代数字电路系统中常见且重要的高速存储模块,对于提升电子系统性能具有重要作用.到目前为止,关于静态随机存储器单元总剂量辐射效应的数据依然有待补充完善.本文采用130 nm绝缘体上硅工艺,设计制备了一种基于L型栅体接触场效应晶体管器件的6晶体管静态随机存储器单元.该L型栅体接触器件遵循静态随机存储器单元中心对称的版图特点,使得存储单元面积相比于采用同器件尺寸的T型栅体接触器件的静态随机存储器单元减小约22%.文中对比研究了L型栅体接触器件与其他场效应晶体管之间的电学性能差异,以及基于不同场效应晶体管静态随机存储器单元的漏电流和读状态下静态噪声容限随辐射总剂量增加的变化规律.测试结果表明, L型栅体接触器件与T型栅体接触器件的器件性能接近,但前者具有面积更小的优势;同时基于L型栅体接触场效应晶体管的静态随机存储器单元的基本电学性能以及抗总剂量辐射效应均优于传统基于浮体场效应晶体管的静态随机存储器单元,因而具有稳定可靠的实用价值.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
随机存储器论文参考文献
[1].高丽娟,白彩艳.静态随机存储器单粒子翻转效应截面的蒙特卡罗模拟[J].山西师范大学学报(自然科学版).2019
[2].王硕,常永伟,陈静,王本艳,何伟伟.新型绝缘体上硅静态随机存储器单元总剂量效应[J].物理学报.2019
[3]..铁电随机存储器F-RAM在动力电池管理上的应用[J].中国电子商情(基础电子).2019
[4].孔令雨.静态随机存储器灵敏放大器失调电压降低技术研究[D].安徽大学.2019
[5].戈勇,高一,梅博,于庆奎,孙毅.磁阻式随机存储器(MRAM)重离子单粒子效应试验研究[J].航天器环境工程.2018
[6].张明阳,晏坚,王帅,匡麟玲.静态随机存储器型可编程门陈列中轨应用可靠性分析[J].科学技术与工程.2018
[7].李新月,赵凯东,石凯熙,许喆,王中强.基于ZnO纳米线/PMMA复合材料的柔性阻变式随机存储器[J].物理实验.2018
[8].李丽丽,汪栋,刘夏杰,吕永红,李坤锋.65nm双阱CMOS静态随机存储器多位翻转微束及宽束实验研究[J].原子能科学技术.2018
[9].王桂珍,李瑞宾,齐超,杨善潮,刘岩.电源噪声对静态随机存储器瞬时辐射响应的影响[C].中国核科学技术进展报告（第五卷）——中国核学会2017年学术年会论文集第6册（核化工分卷、核化学与放射化学分卷、辐射物理分卷）.2017
[10].蔡江铮,黑勇,袁甲,陈黎明.近阈值非预充静态随机存储器[J].西安电子科技大学学报.2018