导读:本文包含了表面传导电子发射论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:表面传导电子发射,负电阻特性,颗粒膜,纳米缝隙
表面传导电子发射论文文献综述
蔡沛峰[1]（2015）在《表面传导电子发射显示器件的负阻特性研究》一文中研究指出表面传导电子发射显示器件(SED)在能耗、分辨率、视角等方面较其他平板显示(LCD/PDP)存在明显的优势。但是,表面传导电子发射显示器件的阴极电子发射阵列的发射效率以及寿命阻碍了其发展,并且有研究者发现表面传导电子发射显示器件在电形成时,其传导电流与器件电压呈现重复的压控负阻(VCNR)现象。而且VCNR与器件的发射电流存在某种联系——不出现VCNR则没有发射电流。因此,揭示VCNR的形成机理且理清VCNR现象与电子发射特性的内在规律可以为制备出性能优异的SED提供理论基础。本文以颗粒膜AlN/Al作为表面传导电子发射显示器件的阴极发射极材料,通过真空电形成,研究VCNR特性及其形成机理。采用磁控溅射和光刻技术制备发射阴极为AlN/Al材料的表面传导显示原理器件,研究了电形成次数、颗粒膜制备工艺、器件结构、电形成环境、外加电场以及颗粒膜材料成份等,对器件的电学特性影响,根据电学特性的演变规律,探讨了颗粒膜的电子发射机理以及器件VCNR特性,主要获得以下结论：研究了不同电形成环境对VCNR的影响。实验表明在低真空和高真空两种不同真空环境下,给器件加载相同的电压电形成所呈现的现象不相同。具体表现为在低真空下,器件的传导电流达到电流源额定上限且VCNR现象不可重复,传导电流变化剧烈且在薄膜阴极形成一条远大于2μm的狭缝：在高真空下,器件传导电流很稳定且VCNR现象可重复,并在薄膜表面形成一条狭缝且宽度为952nm。研究了不同外加电场模式下器件电学特性的影响,对以Al-AlN为阴极发射极薄膜的基底上的背电极分别加载不同电压(-5V、0V、+5V)。研究其对电子发射效率的影响以及对VCNR现象的影响。实验发现加载-5V电压时,器件的VCNR现象较明显,器件的发射电流和发射效率增加。相反加载+5V时,器件的发射电流和发射效率下降。研究了不同器件结构对电学特性的影响,即制备不同膜层结构的器件1(先制备铜电极后制备发射阴极)、器件2(先制备发射阴极再制备铜电极)。实验表明器件1的传导电流低于器件2,出现VCNR现象时对应的器件电压大于器件2,且传导电流稳定,形成的狭缝尺寸适合表面电子发射。研究了材料成份对器件电学特性的影响。在气体流量N2：Ar为3:90sccm的前提下,利用磁控溅射设备分别在工作气压为0.85Pa和1Pa下,制备了两种不同性质的发射极薄膜(颗粒膜),然后在真空中进行电形成。结果表明0.85Pa下制备的颗粒膜导电性良好,但是传导电流比较大且电形成后狭缝大于2μm,且观测不到发射电流。其出现了VCNR现象较1Pa的早许多(相对于器件电压)。但是1Pa下制备的器件与其相反,传导电流比较稳定且形成的狭缝较为理想在2μm以内,出现了明显的发射电流。利用扫描式电子显微镜X光微区分析(SEM-EDS)研究了电形成之后器件的颗粒膜元素含量的变化,结果发现器件颗粒膜电形成后,A1元素发生了改变且其含量增加了4.29%。结合以上不同条件下器件宏观电学特性以及颗粒膜的变化,确定器件VCNR特性和器件颗粒膜中导电元素A1含量直接相关。(本文来源于《西安工业大学》期刊2015-05-25）
杨小艳,沈志华,吴胜利[2]（2014）在《纳米裂缝位置可控的表面传导电子发射薄膜》一文中研究指出提出一种新型结构的表面传导电子发射导电薄膜,该导电薄膜在中间位置向内有凹陷,基于电形成过程中焦耳热引起薄膜龟裂的原理,会在凹陷附近诱导纳米级裂缝形成,控制纳米裂缝形成位置。分析了此结构导电薄膜对裂缝产生位置的影响及2种不同电形成方法对裂缝形貌的影响,测试了电子发射性能,得到了发射电流特性曲线和发光图像。实验结果表明,这种新型导电薄膜能一定程度上控制纳米裂缝的形成位置,有利于改进表面传导电子发射的均匀性,在阳极高压2.0kV、阴极板电子发射单元施加的器件电压14V时,新型结构导电薄膜实现了均匀发光,发射电流最大为18μA。(本文来源于《液晶与显示》期刊2014年06期）
张永爱,林锑杭,曾祥耀,张杰,周雄图[3]（2013）在《平栅型氧化锡表面传导电子发射源的制备及场发射性能研究》一文中研究指出利用磁控溅射、光刻和剥离技术在玻璃基底上成功制备了平栅型氧化锡表面传导电子发射源,并测试其场发射性能。扫描电镜和光学显微镜测试表明,沉积在阴极和栅极之间的氧化锡为不连续薄膜,直径大约在100~200 nm。场发射测试表明,电子发射源的传导电流和发射电流完全被栅压控制。在阳压和栅压分别为3200 V和210 V时,阴阳间距为500 Lm时,平栅型氧化锡表面传导电子发射源的电子发射效率为0.85%,发光亮度为850 cd/m2,表明氧化锡薄膜在表面传导电子发射源方面有着较好的应用潜力。(本文来源于《真空科学与技术学报》期刊2013年12期）
沈志华,王晓,刘婷,吴胜利[4]（2013）在《表面传导电子发射电子源电形成过程分析》一文中研究指出本文针对表面传导电子发射显示器件制备中,在导电膜上加电形成纳米级裂缝的这一过程从电压、电流变化方面进行分析。实验中发现在形成裂缝过程中,由于焦耳热效应作用,导电膜结构发生变化,电流电压特性上表现出明显的负阻效应。在整个形成过程中,电流变化明显,最后趋于稳定。本文中关于加电形成过程的分析对于形成理想的纳米裂缝有一定指导意义。(本文来源于《中国电子学会真空电子学分会第十九届学术年会论文集（下册）》期刊2013-08-22）
王晓,杨小艳,周子云,张劲涛,吴胜利[5]（2013）在《表面传导电子发射显示器件发射特性及发光亮度测试》一文中研究指出本文主要介绍了表面传导电子发射显示器件(SED)在两种测试环境下的电子发射特性和发光亮度测试工艺和测试结果,并对实验现象进行系统分析和总结,经过分析后给出了提高64×64阵列SED器件电子发射性能和发光亮度的有效方法,并提出了利用器件电压占空比控制器件亮度的方法。(本文来源于《中国电子学会真空电子学分会第十九届学术年会论文集（下册）》期刊2013-08-22）
盛蕾[6]（2013）在《颗粒膜表面传导电子发射机理研究》一文中研究指出表面传导电子发射显示技术是场致发射显示的一种,其在综合功耗、响应速度等方面较其他平板显示存在明显的优势。但是,表面传导电子发射显示器件的阴极电子发射阵列的发射效率以及寿命是阻碍其发展的最根本问题,造成以上问题的主要原因是对器件阴极发射极的材料研究较少以及相关电子发射机理理论研究不明确。因此,本文以颗粒膜作为表面传导电子发射器件的阴极发射极材料,对其表面电子发射的机理进行研究。采用溅射技术制备了C-Ti颗粒膜和Al-AlN颗粒膜,采用光刻工艺制造了表面传导电子发射显示的原理器件,研究了不同颗粒膜制备工艺、不同器件结构、不同电形成环境、不同外加电场模式以及不同颗粒膜材料等,对器件的电学特性影响,根据电学特性的演变规律以及相关理论,探讨了颗粒膜的电子发射机理,获得主要结果如下。研究了不同器件结构对电学特性的影响,即制备不同厚度下的颗粒膜作为表面传导电子阴极发射极薄膜,对器件加载不同电压的等幅叁角波,并对其电形成。结果表明,颗粒膜厚度为69nm的器件开启电压为32 V,在33V时具有最大发射效率。颗粒膜厚度为855nm的器件开启电压为15 V, 在23 V时发射效率最高。制备了C-Ti颗粒膜作为表面传导电子阴极发射薄膜,将其在空气中进行电形成,观察颗粒膜的变化过程,再将上述器件置于真空中,对其加载不同电压下的等幅叁角波,研究了不同电形成环境对器件电学特性的影响。结果表明,电压幅值加载到45 V时,器件的电子发射效率最高。由于颗粒膜在空气中电形成,虽然其电子发射效率很高,但是稳定性很差。研究了不同外加电场模式下器件电学特性的影响,对以Al-AlN为阴极发射极薄膜的硅片基底分别加载不同电压下的负压,研究其对电子发射效率的影响。结果表明,基底上不加载负压时,电压幅值加载到39 V时,电子发射效率最高。在为硅片基底加载-3 V电压时,电压加载到36V时电子发射效率最高。加载-5V负压时,电压在34V时其电子发射效率最高。并且,可以明显的得到,随着硅片基底负压的增加,其电子发射效率有明显的提高。研究了不同材料对器件电学特性的影响,分别以C-Ti颗粒膜和Al-AIN颗粒膜作为表面传导电子阴极发射极薄膜。C-Ti颗粒膜无法在硅基底上形成电子发射,而在相同情况下的Al-AIN颗粒膜可以在硅基底上形成电形成。主要是因为硅片改变了颗粒膜的性能以及器件的热结构。结合以上不同条件下器件的传导电流和电子发射电流的特性规律,以及场发射电子所遵循的F-N规律,表明颗粒膜表面电子发射电流来源于部分的器件电流,发射电流和器件电压遵循场发射电子的F-N规律,表明颗粒膜的表面电子发生确实是场发射电子。而颗粒膜传导电流和器件电压不遵循F-N规律,是因为器件电流中部分电流是通过颗粒膜的导电网络传输的,而部分电流是通过场发射在纳米缝隙间隧穿输运的。(本文来源于《西安工业大学》期刊2013-04-28）
盛蕾,梁海锋,蔡长龙[7]（2013）在《颗粒膜厚度对表面传导电子发射的影响》一文中研究指出制备了不同厚度下的C-Ti颗粒膜用作表面传导电子发射的阴极发射薄膜,研究了不同颗粒膜厚度对电子发射特性的影响。将所制备阴极器件加载不同电压幅值下的等幅叁角波,对器件进行电形成,结果表明:颗粒膜厚度为69nm的器件开启电压为32V,在33V时具有最大发射效率;颗粒膜厚度为855nm的器件开启电压为15V,在23V时发射效率最高;颗粒膜厚度为69nm的器件所形成的电压范围和电子发射效率都明显高于颗粒膜厚度为855nm的器件。(本文来源于《强激光与粒子束》期刊2013年02期）
刘婷,周子云,吴胜利,胡文波[8]（2012）在《表面传导电子发射显示器件制备工艺研究》一文中研究指出介绍了表面传导电子发射显示器件阴极基板和阳极基板的制备方法及其详细的真空封接工艺。所封接器件排气到高真空后,首先对其阴极基板进行了电形成工艺处理以形成纳米裂缝作为电子发射源,然后测试了器件的发光显示,得到了比较均匀的阵列发光。最后,针对发光显示图像从叁个方面分别进行了分析,为整个器件性能的改进提供了很好的参考价值。(本文来源于《真空科学与技术学报》期刊2012年05期）
朱丹,李德杰,赵勇,胡强,王健[9]（2012）在《基于C-W复合膜/无定形碳纳米岛的表面传导电子发射阴极》一文中研究指出介绍了基于C-W复合膜/无定形碳纳米岛的表面传导电子发射阴极,并对其制备工艺和发射性能进行讨论。利用低熔点纳米Bi岛作为掩模刻蚀得到无定形碳的纳米岛结构,在保留大岛形貌的同时,去除了一定量的小岛结构;同时在无定形碳中掺入少量的W原子,制作导电性极佳的C-W复合膜作为上层发射层,利于激活形成电子发射区域。通过对工艺参数的优化,得到了稳定、均匀的电子发射,电子发射率在阴阳极间距2mm、阳极电压为3 kV时达到0.9%,向器件实用化方向迈出了重要的一步。(本文来源于《真空科学与技术学报》期刊2012年05期）
梁海锋,张玉娟[10]（2010）在《镍硅颗粒膜的表面传导电子发射特性》一文中研究指出本文提出采用镍硅颗粒薄膜作为表面传导电子发射显示的发射体材料,通过光刻和磁控溅射在两电极(10μm间隙)之间制备30 nm厚的镍硅颗粒膜。施加叁角波电压进行电形成工艺,并测试了器件的电学特性。获得主要结果有,在器件阳极电压2000 V和器件阴极电压13 V的作用下,可以重复探测到稳定的器件发射电流,并且随器件阴极电压的增加而明显增加,最大的发射电流达到了1.84μA(共18个单元);电形成过程中,单个发射体单元的薄膜电阻从13Ω增加到10913Ω;通过对器件发射电流的Fowler-Nordheim结分析,可以确定电子发射机理属于场致电子发射。(本文来源于《真空》期刊2010年06期）
表面传导电子发射论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
提出一种新型结构的表面传导电子发射导电薄膜,该导电薄膜在中间位置向内有凹陷,基于电形成过程中焦耳热引起薄膜龟裂的原理,会在凹陷附近诱导纳米级裂缝形成,控制纳米裂缝形成位置。分析了此结构导电薄膜对裂缝产生位置的影响及2种不同电形成方法对裂缝形貌的影响,测试了电子发射性能,得到了发射电流特性曲线和发光图像。实验结果表明,这种新型导电薄膜能一定程度上控制纳米裂缝的形成位置,有利于改进表面传导电子发射的均匀性,在阳极高压2.0kV、阴极板电子发射单元施加的器件电压14V时,新型结构导电薄膜实现了均匀发光,发射电流最大为18μA。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
表面传导电子发射论文参考文献
[1].蔡沛峰.表面传导电子发射显示器件的负阻特性研究[D].西安工业大学.2015
[2].杨小艳,沈志华,吴胜利.纳米裂缝位置可控的表面传导电子发射薄膜[J].液晶与显示.2014
[3].张永爱,林锑杭,曾祥耀,张杰,周雄图.平栅型氧化锡表面传导电子发射源的制备及场发射性能研究[J].真空科学与技术学报.2013
[4].沈志华,王晓,刘婷,吴胜利.表面传导电子发射电子源电形成过程分析[C].中国电子学会真空电子学分会第十九届学术年会论文集（下册）.2013
[5].王晓,杨小艳,周子云,张劲涛,吴胜利.表面传导电子发射显示器件发射特性及发光亮度测试[C].中国电子学会真空电子学分会第十九届学术年会论文集（下册）.2013
[6].盛蕾.颗粒膜表面传导电子发射机理研究[D].西安工业大学.2013
[7].盛蕾,梁海锋,蔡长龙.颗粒膜厚度对表面传导电子发射的影响[J].强激光与粒子束.2013
[8].刘婷,周子云,吴胜利,胡文波.表面传导电子发射显示器件制备工艺研究[J].真空科学与技术学报.2012
[9].朱丹,李德杰,赵勇,胡强,王健.基于C-W复合膜/无定形碳纳米岛的表面传导电子发射阴极[J].真空科学与技术学报.2012
[10].梁海锋,张玉娟.镍硅颗粒膜的表面传导电子发射特性[J].真空.2010