导读:本文包含了在线终点检测论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:化学机械抛光,终点检测,扭矩,摩擦力
在线终点检测论文文献综述
徐驰[1]（2011）在《基于摩擦力在线测量的化学机械抛光终点检测技术研究》一文中研究指出化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing, CMP)技术是目前集成电路(IC)制造中制备多层铜互连结构不可或缺的关键技术之一。随着集成电路制造技术的飞速发展,特征线宽不断减小,互连层数不断增加,为了降低RC延迟,从0.18μm技术节点开始Cu已经取代A1作为互连线材料。在制备多层铜互连结构过程中,应用CMP技术去除多余的材料时,往往会产生“欠抛”和“过抛”,“欠抛”需要返工,“过抛”会导致铜的碟形缺陷和绝缘层的侵蚀。能准确判断CMP过程中何时达到理想临界状态的终点检测技术,是保证既不“过抛”又不“欠抛”,提高铜CMP加工质量和效率的—项关键技术。铜CMP过程中最重要的加工参数是抛光垫与晶圆间的抛光摩擦力,它是实现材料去除的关键,利用摩擦力或摩擦力引起的扭矩的变化来判断铜CMP过程中何时达到理想终点,被认为是最合适的终点检测方法。然而,目前对CMP过程中扭矩和摩擦力的一些理论研究还不够深入,通常的检测方法也很难满足300mm晶圆CMP系统结构上的要求。因此,本文在深入研究CMP过程中晶圆所受扭矩及摩擦力等理论问题的基础上,对CMP过程中扭矩和摩擦力的在线监测技术进行了研究,主要研究内容和结论如下：建立了CMP过程中晶圆所受扭矩和摩擦力的计算模型。分析了抛光压力、抛光头和抛光盘转速等工艺参数对扭矩和摩擦力的影响,并进行了实验验证,理论与实验结果基本吻合。理论分析和实验结果表明：影响摩擦力的主要工艺参数是抛光压力和抛光盘转速；影响扭矩的主要工艺参数是抛光压力、抛光头和抛光盘的转速,在通常的CMP工艺参数范围内,扭矩的方向不变。提出了一种采用应变式扭矩和叁维力传感器测量CMP过程中扭矩、摩擦力和抛光压力的检测方法,并研制了相应的CMP终点检测系统。理论和实验结果表明：该系统基本可以满足300mm晶圆铜CMP过程终点检测的精度要求。提出了一种判断CMP终点的信号处理方法。该方法首先采用小波阂值降噪方法对原始信号进行降噪处理,然后从降噪后的信号中提取特征,使用根据车比雪夫不等式确定的阈值判断何时达到CMP终点。铜CMP过程的终点检测试验结果表明：该信号处理方法可以判断出CMP过程中抛光材料的变化情况并确定何时达到CMP终点。(本文来源于《大连理工大学》期刊2011-06-01）
宋文超,柳滨,种宝春[2]（2007）在《一种基于光学干涉原理的CMP在线终点检测装置》一文中研究指出化学机械抛光是晶片全局平坦化的关键技术,其中终点检测系统是影响抛光效果的关键。如果不能有效地检测抛光过程,便无法避免硅片产生抛光过度或抛光不足的缺陷。基于光学干涉薄膜测厚原理,给出了一种CMP在线终点检测装置。(本文来源于《电子工业专用设备》期刊2007年10期）
在线终点检测论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
化学机械抛光是晶片全局平坦化的关键技术,其中终点检测系统是影响抛光效果的关键。如果不能有效地检测抛光过程,便无法避免硅片产生抛光过度或抛光不足的缺陷。基于光学干涉薄膜测厚原理,给出了一种CMP在线终点检测装置。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
在线终点检测论文参考文献
[1].徐驰.基于摩擦力在线测量的化学机械抛光终点检测技术研究[D].大连理工大学.2011
[2].宋文超,柳滨,种宝春.一种基于光学干涉原理的CMP在线终点检测装置[J].电子工业专用设备.2007