导读:本文包含了器件仿真论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:仿真计算,惯性平台,液浮陀螺,动压马达
器件仿真论文文献综述
刘俊利,牛文韬,魏宗康,李亮[1]（2019）在《惯性器件工程计算仿真难点及应用需求分析》一文中研究指出惯性器件内部结构复杂，电磁、热、力等多场紧密耦合。传统的流场控制方法是将非线性系统近似为线性系统，主要考虑温度控制而忽略电磁场的影响，以上简化设计导致惯性系统误差机理认识深度不够，设计手段、误差补偿措施、精度提升空间受限。为提高惯性器件的使用精度、改进设计，采用精细工程计算等仿真是一个有效的手段。本文介绍了惯性器件在仿真过程中遇到的典型问题，包括跨尺度复杂结构网格智能划分、变介质多途径耦合传热高效算法、多物理场交叉耦合仿真等，分析了对工程计算软件的应用需求，以期通过与高性能计算硬件和软件开发单位共同努力，能在较短时间内提升惯性器件的超精密计算和仿真能力，为改进设计和加快惯性器件精度的有效提升奠定基础。(本文来源于《惯性技术与智能导航学术研讨会论文集》期刊2019-10-23）
王章文,方国东,白光辉,霍艳艳,易法军[2]（2019）在《宽温域无氧环境下热电器件性能实验及仿真》一文中研究指出针对热电器件在高温无氧环境下的应用特点,对方钴矿/碲化铋两级热电器件的热电转换效率进行实验测试。采用石英灯辐射加热和强制水冷散热的方式提供稳定的宽温域条件,全程不断注入氩气的方式制造无氧环境,设计测试电路利用伏安法获得该器件的热电输出性能。根据热电转换原理推导出热、电物理场的耦合控制方程,并通过数值方法对实验过程中的传热及热电转换进行模拟。对比分析发现实验装置中不同组件之间存在的接触热阻直接影响了热电器件上下表面的温差,从而影响了热电器件的发电效率,为热电器件在宽温域无氧环境下的应用奠定实验及理论基础。(本文来源于《电子元件与材料》期刊2019年10期）
黄学龙,贾云鹏,李劲,苏宏源[3]（2019）在《功率VDMOS器件抗SEGR的仿真研究》一文中研究指出针对功率垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS)器件单粒子辐射在空间辐射环境下的要求,从重粒子对VDMOS器件的辐射机理及作用过程出发,通过对200 V抗辐射VDMOS器件进行大量仿真研究发现,器件的元胞间距对VDMOS的抗单粒子栅穿(SEGR)能力有很大的影响,由分析结果可以看出,当元胞间距减小为1μm时对于栅氧层表面电场的改善最为明显,但是导通压降会明显提高。为了在提高抗SEGR能力的同时,使器件的导通压降值适当,在两个元胞之间加入了结型场效应晶体管(JFET)电荷泄放区结构,在保证器件的基本特性的同时,抗SEGR能力也得到明显改善。(本文来源于《电力电子技术》期刊2019年08期）
支越,方来旺,王之哲,罗宏伟,王小强[4]（2019）在《微型化器件中多晶Cu晶向排布对其受压力学特性的影响仿真研究》一文中研究指出为系统研究多晶Cu材料晶向排布对其受压力学特性的影响,通过采用晶体塑性有限元的方法模拟了不同晶向Cu的纳米压痕试验过程。仿真结果表明,从受力变形特点来看,当载荷为几何对称压入时,对称于压入面的两对滑移系呈现对称滑移,对应于各个方向的滑移系产生的塑性变形也呈现对称分布;当压入模式为非对称压入时,不同滑移面的各个滑移系产生的塑性应变均不对称;从受力响应来看,压入方向越趋向于垂直于密排面{111},压入载荷水平越高,在压入深度从100 nm增加至500 nm过程中,伴随压入方向与密排面夹角从0°增加至54.732°,压入载荷从5.090 mN增加至5.674 mN。上述结论对Cu晶向择优和微互连设计具有重要的指导意义,有利于微互连结构可靠性的提升。(本文来源于《电子元件与材料》期刊2019年08期）
张永威,郭涛,谭秋林,张利威[5]（2019）在《基于COMSOL的声表面波器件叁维结构仿真》一文中研究指出基于铌酸锂基底的声表面波传感器电极材料设计,采用COMSOL Multiphysics仿真分析软件对声表面波传感器单对叉指进行叁维建模,并进行固体力学和静电学物理场的有限元仿真分析。结果表明,不同电极材料和厚度对其反对称模态频率、对称模态频率、导纳特性曲线及阻抗特性曲线的影响较大,且通过改变电极材料的厚度有效抑制寄生谐振为进一步的研究提供了理论依据。(本文来源于《压电与声光》期刊2019年04期）
彭超,雷志锋,张战刚,何玉娟,黄云[6]（2019）在《基于TCAD的绝缘体上硅器件总剂量效应仿真技术研究》一文中研究指出绝缘体上硅(Silicon-on-Insulator,SOI)器件的全介质隔离结构改善了其抗单粒子效应性能,但也使其对总剂量效应更加敏感.为了评估SOI器件的总剂量效应敏感性,本文提出了一种基于TCAD (Technology Computer Aided Design)的总剂量效应仿真技术.通过对SOI器件叁维结构进行建模,利用TCAD内置的辐射模型开展瞬态仿真,模拟氧化层中辐射感应电荷的产生、输运和俘获过程,从而分别评估绝缘埋层(Buried Oxide,BOX)和浅沟槽隔离(Shallow Trench Isolation,STI)氧化层中辐射感应陷阱电荷对器件电学性能的影响.基于该仿真技术,本文分别研究了不同偏置、沟道长度、体区掺杂浓度以及STI形貌对SOI MOSFET器件总剂量辐射效应的影响.仿真结果表明高浓度的体区掺杂、较小的STI凹槽深度和更陡峭的STI侧壁将有助于改善SOI器件的抗总剂量效应性能.(本文来源于《电子学报》期刊2019年08期）
殷浩洋,尹忠东[7]（2019）在《石墨烯复合材料对功率器件散热性能影响的仿真与实验研究》一文中研究指出对功率器件基板在自然对流换热条件下的散热特性进行了仿真分析和实验验证。首先利用ANSYS软件建立功率器件散热系统的仿真模型,仅改变绝缘层导热系数的大小研究其对系统散热性能的影响。然后制备不同石墨烯填充量的复合材料,涂敷于金属基板上作为金属基覆铜板的绝缘导热层。并且通过电学法测试结温与热阻的实验平台,测量功率器件散热系统中的二极管结温与热阻随绝缘层材料的变化情况。实验测试结果与仿真数据一致,验证了仿真模型的正确性。结果表明,石墨烯复合材料具有增强散热的特性,石墨烯质量分数为4%的复合材料散热性能最好。(本文来源于《电子元件与材料》期刊2019年07期）
曾祥耀[8]（2019）在《基于TracePro的狭缝光栅自由立体LED显示器件的串扰仿真》一文中研究指出利用TracePro仿真软件对狭缝光栅自由立体LED显示器件的串扰进行仿真。首先,通过对狭缝光栅的设计原理分析,并基于LED模块的发光像素面积2 mm×2 mm,黑矩阵的面积1 mm×1 mm,设定最佳观看距离为5 m的两视点狭缝光栅自由立体LED显示器件,计算出光栅的狭缝宽度和挡光宽度都为2.87 mm。其次,利用这些参数,通过TracePro软件建立狭缝光栅自由立体LED显示器件的仿真模型,通过仿真运算得到左、右视频的光照度分布图,并通过归一化发现它们的光照度均匀性较差,观看时会导致"眩晕"现象。最后,借助自由立体显示器件串扰的测量方法,根据仿真左、右视频照度分布图的交叉曲线,定性分析了仿真结果,并结合Orign 9.1软件定量对仿真的串扰值进行计算,得出其串扰值为42.4%。这为进一步优化狭缝光栅自由立体LED显示器件的设计和性能提供了理论依据和技术支持。(本文来源于《发光学报》期刊2019年07期）
梁承权[9]（2019）在《电子器件测试设备信息远程监控方法仿真》一文中研究指出远程监控可高效掌握设备运行状态,对设备故障的检测与维护意义重大。针对当前相关方法存在异常报警准确率低、延迟时间长的问题,提出基于中间件的电子器件测试设备信息远程监控方法。首先,将设备信息监控构架划分成两层,一层由监控中心服务器、设备运行现场局域网络和设备现场主机构成。一层利用监控中心服务器和主干网以及监控管理设备构成,通过现场主机得到设备工作状态数据信息,监控通讯程序利用指令传输通道获取设备的运行状态数据信息,并依据先入先出的信息队列控制模式通过指令通道迭代式地向监控中心各联网部分传输状态查询命令,以此判断设备正常与否。在此基础上将因果条件和稳定性条件作为监控数据传输信道数字滤波器构建的约束条件,得到IIR数字滤波器,实现监控信息传输信道的滤波。使用故障树模型实现监控中心的异常告警,将监控流量报警划分为危险报警与故障报警,得到测试设备远程监控报警信息。实验结果表明,上述方法除了异常报警准确率高、延迟短之外,还具有很强的抗干扰能力。(本文来源于《计算机仿真》期刊2019年07期）
任碧雷[10]（2019）在《凹槽栅结构的AlGaN/GaN异质结MISFET器件的仿真与工艺研究》一文中研究指出GaN作为第叁代半导体,其材料本身具有禁带宽度大、电子饱和漂迁移率高、临界击穿电场大以及耐高温等优势,非常适合制作微波、高温和大功率器件。并且由于压电极化和自发极化的作用,在AlGaN/GaN异质结界面处偏GaN的一侧会产生高密度的二维电子气,使得AlGaN/GaN异质结HEMT器件具有大电流密度,开关速度快的优势。然而常规结构HEMT器件是常开型器件,在实际应用中需要提供额外的负压驱动电路,提升了电路设计的复杂度,增加了额外的功耗,系统的可靠性也大幅降低。因此,GaN基常关型(增强型)HEMT器件成为研究的重点,其中凹槽栅结构的AlGaN/GaN MISFET(MOSFET)作为增强型HEMT器件的一种,具有栅极漏电小,栅电压工作范围大,开关比高、不需要额外的驱动电路且容易制作成增强型器件等优势,使之成为研究的重中之重。凹槽栅结构的MISFET器件需要进行凹槽刻蚀和引入新的栅介质层,而凹槽表面的界面态和栅介质中的固定电荷使得器件的性能恶化,比如输出电流减小、电流崩塌、阈值回滞以及阈值电压负移等。基于此,本论文采用原子层沉积系统(ALD)生长A1203作为栅介质,对器件的凹槽刻蚀和表面处理工艺展开研究,主要的研究内容如下:(1)首先基于常规HEMT器件工艺流程制备了耗尽型的HEMT器件,阈值电压-2.3V,最大输出电流密度大于200mA/mm,不存在阈值迟滞现象。在大栅压、大漏压的工作状态下,器件的输出电流有下降的趋势(负跨导效应),结合Silvaco-TACD仿真得到热电子效应是造成电流下降的主要原因之一。通过转移特性的测试还发现栅长和源漏距离的增加对阈值电压影响较小,但会造成漏极电流的下降。通过栅漏电测试发现对于常规HEMT器件,环形栅器件的栅击穿电压更大,且具有较大的输出电流密度(239mA/mm)。(2)其次仿真了常规场板对HEMT器件击穿特性的影响,仿真得到器件导电沟道中电场的峰值点在栅下偏漏极的一侧,场板可以使沟道中的电场峰值点降低,并且使电场在沟道中的分布更均匀。仿真还发现随着场板长度的增加,击穿电压先增加后减小,场板的长度存在一个最优值,此现象产生的原因是场板的增加导致器件的击穿点由栅极附近转移到漏极附近。对于凹槽栅MISFET器件的仿真看出在AlGaN势垒层未完全刻蚀的情况下,阈值电压很难做到0V以上。对界面态的仿真得出凹槽表面界面态是造成器件阈值电压负移的又一个重要因素。(3)在凹槽栅MISFET器件的制备中,凹槽刻蚀工艺中采用ICP循环慢刻的方法,刻蚀速率降低到15nm/min,凹槽表面损伤的修复采用550℃/N2快速热退火和KOH/70℃水浴热相结合的方法,使得凹槽表面均方根粗糙度(RMS)下降到0.306nm。在此条件下采用A1203做栅介质制备的器件,阈值电压达到了2V,栅击穿电压14V,阈值回滞小于0.3V。对于凹槽栅结构MISFET器件,环形栅更容易发生栅击穿。(本文来源于《南京大学》期刊2019-05-24）
器件仿真论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
针对热电器件在高温无氧环境下的应用特点,对方钴矿/碲化铋两级热电器件的热电转换效率进行实验测试。采用石英灯辐射加热和强制水冷散热的方式提供稳定的宽温域条件,全程不断注入氩气的方式制造无氧环境,设计测试电路利用伏安法获得该器件的热电输出性能。根据热电转换原理推导出热、电物理场的耦合控制方程,并通过数值方法对实验过程中的传热及热电转换进行模拟。对比分析发现实验装置中不同组件之间存在的接触热阻直接影响了热电器件上下表面的温差,从而影响了热电器件的发电效率,为热电器件在宽温域无氧环境下的应用奠定实验及理论基础。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
器件仿真论文参考文献
[1].刘俊利,牛文韬,魏宗康,李亮.惯性器件工程计算仿真难点及应用需求分析[C].惯性技术与智能导航学术研讨会论文集.2019
[2].王章文,方国东,白光辉,霍艳艳,易法军.宽温域无氧环境下热电器件性能实验及仿真[J].电子元件与材料.2019
[3].黄学龙,贾云鹏,李劲,苏宏源.功率VDMOS器件抗SEGR的仿真研究[J].电力电子技术.2019
[4].支越,方来旺,王之哲,罗宏伟,王小强.微型化器件中多晶Cu晶向排布对其受压力学特性的影响仿真研究[J].电子元件与材料.2019
[5].张永威,郭涛,谭秋林,张利威.基于COMSOL的声表面波器件叁维结构仿真[J].压电与声光.2019
[6].彭超,雷志锋,张战刚,何玉娟,黄云.基于TCAD的绝缘体上硅器件总剂量效应仿真技术研究[J].电子学报.2019
[7].殷浩洋,尹忠东.石墨烯复合材料对功率器件散热性能影响的仿真与实验研究[J].电子元件与材料.2019
[8].曾祥耀.基于TracePro的狭缝光栅自由立体LED显示器件的串扰仿真[J].发光学报.2019
[9].梁承权.电子器件测试设备信息远程监控方法仿真[J].计算机仿真.2019
[10].任碧雷.凹槽栅结构的AlGaN/GaN异质结MISFET器件的仿真与工艺研究[D].南京大学.2019