导读:本文包含了光罩结晶论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:光罩,结晶状缺陷,存储环境,气体保护
光罩结晶论文文献综述
冯奎[1]（2014）在《深紫外线曝光光罩结晶状缺陷的生长机理和预防》一文中研究指出半导体制造工艺一直遵循摩尔定律向前发展,光刻工艺的应用让半导体制造在大直径晶圆、小关键尺寸、高套刻精度、生产高效率和低成本的商业模式下快速前进。光刻工艺中反复使用的光罩容易在表面长出微小结晶状颗粒,这些微小颗粒在曝光时可能被转移到晶圆上形成图形缺陷,引起晶圆良率降低。特别是近几年193nm深紫外线激光光刻机的大量应用,光罩结晶状缺陷引起的良率损失较之前有显着的增加,光罩结晶状缺陷造成的良率损失成了光刻工艺工程师的重大挑战。其生长原因和预防成为光刻工艺中必须立即改善的重要课题。光罩结晶状缺陷的成分分析表明,其主要成分为NH4+, SO42-,Cl-等。从公开发表的文献和实验结果中可知,光罩清洗工艺中吸附在光罩表面的微量SO42-,NH4+甚至环境中的NH4+、Cl-等离子在193nm波长曝光激光的照射下活性增加,从而发生酸、碱化学反应生成结晶态化合物。光罩结晶状缺陷的产生和发生频率与光罩材料、光罩制作工艺和清洗流程密切相关；与晶圆尺寸、曝光波长、光刻工艺因子、光罩存储环境甚至使用习惯等密切相关。而晶圆尺寸、曝光波长、光刻工艺因子是半导体制造技术发展的主流和趋势。因此光罩结晶状缺陷的解决方案重点放在改进光罩清洗工艺、改善光罩使用、存储环境和改进光罩使用方式上。本文通过改进光罩清洗工艺从传统的酸、碱清洗工艺到无酸、碱清洗工艺,以降低光罩表面化学离子粘附。提出采用超纯干燥空气对光罩使用、存储微环境的改进方案,提出“排队-等待时间(Queue-Time)"功能来管理光罩离开光刻机和存储保护架的时间,进一步提高超纯干燥空气保护的效果。该方案比改善光刻区大环境有明显、稳定的效果,维护费用也大幅度降低。根据光罩结晶状缺陷的形成原理和生长特性优化193nm深紫外线曝光光罩的检测方式和检测频率,在保证光罩品质的同时减少对光罩缺陷检测设备的需求。结合晶圆曝光工艺特性和晶圆图形缺陷检测技术,开发光罩结晶状缺陷检测的替代方案,不仅具有检测速度快、效率高、及时有效等特点,而且大幅度降低光罩缺陷检测机的费用支出,上述改进减少光罩结晶状缺陷对晶圆产品良率的影响,也为光罩品质的持续改善打下了良好的基础。本文针对光刻工艺中193nm深紫外线曝光光罩结晶状缺陷问题。找到其产生原理,并结合半导体生产实际,从改善效果和实施成本等方面综合考虑,最后提出符合晶圆厂需求的光罩结晶状缺陷解决方案。(本文来源于《复旦大学》期刊2014-02-25）
王小飞[2]（2009）在《深紫外光照射延缓光罩结晶生长的研究》一文中研究指出本文研究了在光刻制程过程中对于光罩结晶的控制优化问题,主要针对光罩使用过程中不可避免且很严重的结晶问题进行了研究和优化,找到了解决方法并成功地实现了有效延缓。具体内容如下:1.光刻工艺中光罩结晶的问题光罩的结晶缺陷在光刻制程中是一个不可避免且很严重的问题,结晶缺陷会影响光罩的穿透率从而造成晶片上重复性的缺陷,会使成品率大大降低。2.光罩结晶形成的原理及其负面影响产生结晶缺陷的原理是酸根与氨根结合产生的盐,通常结晶是在光罩使用2~5个月后产生,因为曝光机的光源对结晶的产生也起了催化剂的作用,尤其是光源波长越短结晶产生越快。这时需要清洗这块光罩,这不仅需要花费大量的金钱(线宽比较小的光罩清洗3~5次后就会报废,而且每清洗一块光罩需要更换新的保护膜,又是一笔费用),同时清洗过程所花费的时间对生产部的生产也是一个不可忽略的损失。3.光罩结晶的控制基于短波长对结晶的生长起到了催化的作用,所以在清洗有结晶的光罩前用短波长的光源照射,使光罩表面的酸根与氨根充分反应生成易于清洗的盐,这样酸根与氨根在光罩上的残留就会大大降低。这样的光罩清洗一次在外界条件不变的情况下能保持一年以上不产生大量的结晶。(本文来源于《天津大学》期刊2009-03-01）
光罩结晶论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文研究了在光刻制程过程中对于光罩结晶的控制优化问题,主要针对光罩使用过程中不可避免且很严重的结晶问题进行了研究和优化,找到了解决方法并成功地实现了有效延缓。具体内容如下:1.光刻工艺中光罩结晶的问题光罩的结晶缺陷在光刻制程中是一个不可避免且很严重的问题,结晶缺陷会影响光罩的穿透率从而造成晶片上重复性的缺陷,会使成品率大大降低。2.光罩结晶形成的原理及其负面影响产生结晶缺陷的原理是酸根与氨根结合产生的盐,通常结晶是在光罩使用2~5个月后产生,因为曝光机的光源对结晶的产生也起了催化剂的作用,尤其是光源波长越短结晶产生越快。这时需要清洗这块光罩,这不仅需要花费大量的金钱(线宽比较小的光罩清洗3~5次后就会报废,而且每清洗一块光罩需要更换新的保护膜,又是一笔费用),同时清洗过程所花费的时间对生产部的生产也是一个不可忽略的损失。3.光罩结晶的控制基于短波长对结晶的生长起到了催化的作用,所以在清洗有结晶的光罩前用短波长的光源照射,使光罩表面的酸根与氨根充分反应生成易于清洗的盐,这样酸根与氨根在光罩上的残留就会大大降低。这样的光罩清洗一次在外界条件不变的情况下能保持一年以上不产生大量的结晶。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
光罩结晶论文参考文献
[1].冯奎.深紫外线曝光光罩结晶状缺陷的生长机理和预防[D].复旦大学.2014
[2].王小飞.深紫外光照射延缓光罩结晶生长的研究[D].天津大学.2009