本文主要研究内容
作者邹小华,傅邱云,李睿锋（2019）在《Cu掺杂对Cu-Mn-Co-Ni-O薄膜结构和性能的影响》一文中研究指出：通过金属有机物热分解法制备了结构为Ag/NTC/SiO2/Si的薄膜NTC（负温度系数）热敏电阻,研究了Cu掺杂对CuxMn1.56Co0.96Ni0.48O4+y[x=0～0.25,（x+3）/（4+y）=3/4]薄膜结构和性能的影响,并对其导电机理进行了分析。结果表明,少量Cu（x≤0.2）掺杂可以迅速降低薄膜的室温电阻值,过量则会导致薄膜产生孔隙和缺陷; Cu主要以Cu+形式存在并占据A位;随着Cu掺杂量的增加,会使Cu+和Mn3+/Mn4+离子对的含量占比均增加,促进两种电子跳跃机制导电。当x=0.2时,薄膜电阻有最佳的性能:R25=0.082 MΩ,B25/50=3250 K。
Abstract
tong guo jin shu you ji wu re fen jie fa zhi bei le jie gou wei Ag/NTC/SiO2/Side bao mo NTC（fu wen du ji shu ）re min dian zu ,yan jiu le Cucan za dui CuxMn1.56Co0.96Ni0.48O4+y[x=0～0.25,（x+3）/（4+y）=3/4]bao mo jie gou he xing neng de ying xiang ,bing dui ji dao dian ji li jin hang le fen xi 。jie guo biao ming ,shao liang Cu（x≤0.2）can za ke yi xun su jiang di bao mo de shi wen dian zu zhi ,guo liang ze hui dao zhi bao mo chan sheng kong xi he que xian ; Cuzhu yao yi Cu+xing shi cun zai bing zhan ju Awei ;sui zhao Cucan za liang de zeng jia ,hui shi Cu+he Mn3+/Mn4+li zi dui de han liang zhan bi jun zeng jia ,cu jin liang chong dian zi tiao yue ji zhi dao dian 。dang x=0.2shi ,bao mo dian zu you zui jia de xing neng :R25=0.082 MΩ,B25/50=3250 K。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自电子元件与材料的邹小华,傅邱云,李睿锋，发表于刊物电子元件与材料2019年08期论文，是一篇关于热敏电阻论文,薄膜论文,掺杂论文,导电机理论文,电子元件与材料2019年08期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自电子元件与材料2019年08期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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