导读:本文包含了垂直磁记录材料论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:密度,磁盘,膜片,计算机外围设备
垂直磁记录材料论文文献综述
陈远星,刘志坚,黄伟嘉[1]（2013）在《1J22合金材料应用于溅射垂直磁记录薄膜的尝试》一文中研究指出近年来随着磁记录密度的急剧增高和磁性薄膜感应器的日益小型化、高性能化的发展,硬盘记录头和薄膜感应器等磁性器件市场对于高饱和磁通密度薄膜的需求日益增长。目前,硬盘生产厂家用Fe_(50)Co_(50)或Fe_(65)Co_(35)靶材制作磁盘膜片。Fe_(50)CO_(50)合金脆性较大,冷加工困难,通常采用粉末冶金法生产;与熔炼法生产的合金材料相比,Fe_(50)co_(50)。靶材存在纯度差、成分和密度不均匀等缺点。另烧结过程中靶材会存在孔隙,孔(本文来源于《2013广东材料发展论坛——战略性新兴产业发展与新材料科技创新研讨会论文摘要集》期刊2013-11-20）
刘文武[2]（2013）在《SmCo_5垂直磁记录薄膜底层材料与图案化介质模板研究》一文中研究指出SmCo_5薄膜具有极高的单轴磁晶各向异性能，能很好地保持微小磁性颗粒的热稳定性，是未来超高密度垂直磁记录介质的候选材料之一,因而SmCo_5薄膜及其底层材料的制备工艺、磁特性及其相关机理研究就极具意义。在磁存储领域，位图案化记录方式可以大大提高记录密度，很有潜力成为传统垂直磁性连续薄膜的替代者，研究图案化介质模板制作工艺就尤为重要。本文首先介绍了磁控溅射装置，并对传统光刻、电子束曝光和ICP刻蚀设备作了简单描述，还对薄膜样品的微观分析和SmCo_5薄膜样品的磁性能测试作了相关阐述。接下来，本文研究了SmCo_5/Cu/TiW薄膜的制备工艺，进而就TiW籽晶层的引入对SmCo_5/Cu薄膜磁性能的影响作了相关研究，发现SmCo_5/Cu薄膜的磁性能随TiW籽晶层厚度先增大后下降，当TiW籽晶层为5nm时，薄膜的矫顽力和垂直磁各向异性能达到最大，分别为3719Oe，1.04×10~7erg/cm~3。TiW籽晶层良好的阻挡特性与大的表面能是改善Cu底层的微结构与表面形貌进而提高SmCo_5/Cu薄膜磁性能的原因。本文最后研究了Si基二维有序微米级孔柱阵列模板和纳米级孔洞阵列模板的制备工艺，并应用传统光刻和ICP刻蚀等工艺成功制备得Si基二维有序微米级孔柱阵列模板，继而又通过电子束曝光和ICP刻蚀等工艺成功制备得Si基二维有序纳米级圆孔阵列模板，对所在项目组今后进行分立SmCo_5记录材料磁性能的研究具有重要意义。(本文来源于《华中科技大学》期刊2013-01-01）
陈远星,刘志坚,黄伟嘉[3]（2012）在《1J22合金材料应用于溅射垂直磁记录薄膜的尝试》一文中研究指出1J22合金带作为溅射靶材的一种尝试,充分利用1J22合金冷轧带材产品具有高饱和磁感应强度、高居里温度、成分均匀、纯度高的优点.避免粉末法制备FeCo产品所产生的纯度低、成分不均匀等缺陷.磁控溅射出成分均匀、磁性能较好,用于垂直磁记录的薄膜,可以替代其它FeCo和FeNi合金靶材,成为更加理想的垂直磁记录溅射靶材.(本文来源于《南方金属》期刊2012年02期）
张旭辉[4]（2010）在《垂直磁记录介质材料的制备及翻转模式研究》一文中研究指出随着信息产业和互联网产业的高速发展,数据需求量越来越大。硬盘作为数据存储行业中最重要的部分已经不可替代,提高磁记录存储密度成为适应信息产业高速发展的途径之一。目前,商业化磁记录技术已经从水平磁记录顺利过渡到了垂直磁记录,存储密度超越了150 Gbit/in2,实验室范围内已经达到了614.4Gbit/in2。虽然离垂直磁记录的极限密度1-1.5 Tbit/in2已经近在咫尺,但记录密度的进一步提高仍然依赖于新的介质结构设计和新的记录技术的共同进步。制约垂直磁记录密度提高的主要因素是超顺磁效应,为了克服晶粒减小所带来的热扰动性的影响,需要寻找高磁晶各向异性的材料作为记录介质。寻找新的记录介质、改善已有记录介质的性能成为本文所研究的主要目的。下面是本论文研究的主要内容：1、高磁晶各向异性MnAl薄膜的研究：铁磁性τ-MnAl具有较高的磁晶各向异性常数(KU=1.7×107 erg/cm3),是理想的磁记录介质之一。本文研究主要是通过两个方面改善样品的磁性能。首先,利用制备楔形膜的方式来精确控制τ-MnAl产生的元素配比,并且通过观测其△M曲线研究MnAl颗粒间的相互作用方式和磁性翻转模式。其次,通过制备缓冲层引导后续薄膜生长,在得到较好τ-MnAl缓冲层的条件下,制备出了具有较好磁性能的τ-MnAl样品。2、FePt基交换耦合结构和梯度型结构介质研究：虽然FePt具有很高磁晶各向异性,但其矫顽力较大,使记录信息很难写入。在保持热稳定性的条件下有效降低写入场是我们研究的主要目的。本文以L10-FePt为基础,通过溅射Fe和Co的方式来制备交换耦合结构和梯度型结构介质。结果证明两种材料均有效地降低了L10-FePt的矫顽力,并且显示较好的垂直特性。其次,讨论了硬磁软磁耦合翻转的两种理论模式,并且通过实验观测到了磁壁辅助磁化翻转模式,第一次从实验上得到了证实。(本文来源于《复旦大学》期刊2010-05-20）
刘尊[5]（2009）在《垂直磁记录介质材料的研究》一文中研究指出进入21世纪,信息产业已经成为支柱产业之一,信息量的爆炸式增长要求信息存储密度迅速提高。目前的主流存储方式包括磁记录技术,光存储以及闪存储。作为主要的信息存储方式之一,磁记录受到广泛关注。磁记录技术的发展经历了从纵向到垂直磁记录的转变,其中磁化强度分别平行和垂直于介质平面。为了克服超顺磁瓶颈,必须研发新的垂直磁性薄膜。围绕垂直磁记录介质,本论文开展了L1_0相FePt薄膜和TbFeCo薄膜的制备和物性研究。除此之外,尝试将已有的垂直磁性薄膜应用到磁光晶体。具体地说,论文主要包含叁个内容:第一,我们通过倾斜溅射生长NiO缓冲层的方式优化FePt薄膜的(001)织构和垂直各向异性。相对于垂直溅射生长的NiO缓冲层,倾斜溅射生长NiO缓冲层表现出优良的(200)择优取向。为了同时降低有序化温度,在NiO和Pt之间插入Ag层。结果发现Ag有利于增强FePt薄膜有序度和(001)织构。另外,我们的研究表明,结构与磁各向异性严格的依赖于薄膜厚度,FePt的成分变化以及生长温度。第二,为了能够降低介质噪音同时保持高的垂直各向异性,我们用磁控溅射方法制备了TbFeCo和TbFeCo-SiO_2薄膜。当薄膜厚度小于75 nm,TbFeCo-SiO_2薄膜相比TbFeCo薄膜有更大的矫顽力和垂直各向异性。而当薄膜厚度大于75nm,正好相反。这些现象可以归结为TbFeCo晶粒择优取向的增强。对于这一系列的样品,磁化翻转方式包含了畴壁运动和一致翻转。在这些样品中,弱的畴壁钉扎是不能被忽略的。第叁,首先在自组装两维聚乙烯小球上制备了垂直各向异性的Co/Pt多层膜,然后测量了样品的磁光极克尔效应和光的反射率。结果表明,与相应的连续薄膜相比,磁光谱和反射谱都受到小球尺寸的调制,而且彼此关联。理论计算进一步说明,反常磁光谱源于局域表面等离激元共振并受小球尺寸调制。这些效应有助于研发新型磁光等离子纳米传感器。(本文来源于《复旦大学》期刊2009-05-05）
吴晓薇,郭子政,安彩虹[6]（2008）在《超高密度垂直磁记录材料研究进展》一文中研究指出回顾了超高密度垂直磁记录介质的研究历史,综述了目前超高密度垂直磁记录介质的3种主要侯选材料:CoCr基薄膜,L10相颗粒薄膜和图纹结构材料的最新研究进展情况。(本文来源于《信息记录材料》期刊2008年05期）
甄聪棉,马丽,张金娟,刘英,聂向富[7]（2007）在《Ti(Cr)缓冲层对用于垂直磁记录材料CoCrTa介质磁特性和微结构的影响》一文中研究指出利用直流对靶磁控溅射技术在单晶Si衬底上制备了C/CoCrTa/X(X=Cr,Ti)介质材料.分别采用振动样品磁强计、X射线衍射仪、扫描探针显微镜对样品的磁性、微结构等进行了测试分析.研究发现,Ti缓冲层有利于样品中Co晶粒的易轴垂直于膜面生长.以Ti为缓冲层的样品,颗粒尺寸和表面粗糙度较小,而且磁畴明显,说明以Ti为缓冲层的薄膜样品更适宜做垂直磁记录.(本文来源于《物理学报》期刊2007年03期）
王兵[8]（2007）在《垂直磁记录底层合金材料在湘研制成功并通过鉴定》一文中研究指出据媒体报道,湖南中精伦金属材料有限公司的"电脑硬盘垂直记录底层材料钴钽锆"研究成果日前通过鉴定。专家们一致认定,该技术填补了国内空白,是世界上最先进的技术之一。垂直记录磁盘比现有的平面记录磁盘的(本文来源于《功能材料信息》期刊2007年01期）
杨仕清,张怀武,刘颖力,王豪才[9]（1996）在《纳米级垂直磁记录材料BaFe_（12）O_（19）和Ba（CoTi）_xFe_（》一文中研究指出采用有机树脂法合成了超细ＢａＦｅ１２Ｏ１９及其离子取代物Ｂａ（ＣｏＴｉ）ｘＦｅ１２－２ｘＯ１９利用ＴＥＭ和ＸＲＤ对所制样品进行了结构、形貌和晶相分析。其颗粒大小为２０～１００ｎｍ。ＶＳＭ静态磁性测试结果表明，在６５０°处所制样品显示极低的矫顽力Ｈｃ和比饱和磁化强度，随着退火温度的提高，Ｈｃ和δｓ迅速增大，探讨了磁性能随退火温度和保温时间的变化关系。(本文来源于《仪器仪表学报》期刊1996年S1期）
梁俊文[10]（1984）在《垂直磁记录介质材料研究的新进展》一文中研究指出一、引言日本学者岩崎俊一(S.Iwasaki)等人在1977年的国际应用磁学会议(Inter MAG)上首次发表了题为“高密度磁记录磁化模式的分析”文章,用具体实验数据说明这种新型磁记录方式,在线密度上远远地超过目前常用的纵向磁记录方式,展示出它有很大的发展前景。文献对81年前的研究概况及主要成果已作了综合性(本文来源于《磁性材料及器件》期刊1984年03期）
垂直磁记录材料论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
SmCo_5薄膜具有极高的单轴磁晶各向异性能，能很好地保持微小磁性颗粒的热稳定性，是未来超高密度垂直磁记录介质的候选材料之一,因而SmCo_5薄膜及其底层材料的制备工艺、磁特性及其相关机理研究就极具意义。在磁存储领域，位图案化记录方式可以大大提高记录密度，很有潜力成为传统垂直磁性连续薄膜的替代者，研究图案化介质模板制作工艺就尤为重要。本文首先介绍了磁控溅射装置，并对传统光刻、电子束曝光和ICP刻蚀设备作了简单描述，还对薄膜样品的微观分析和SmCo_5薄膜样品的磁性能测试作了相关阐述。接下来，本文研究了SmCo_5/Cu/TiW薄膜的制备工艺，进而就TiW籽晶层的引入对SmCo_5/Cu薄膜磁性能的影响作了相关研究，发现SmCo_5/Cu薄膜的磁性能随TiW籽晶层厚度先增大后下降，当TiW籽晶层为5nm时，薄膜的矫顽力和垂直磁各向异性能达到最大，分别为3719Oe，1.04×10~7erg/cm~3。TiW籽晶层良好的阻挡特性与大的表面能是改善Cu底层的微结构与表面形貌进而提高SmCo_5/Cu薄膜磁性能的原因。本文最后研究了Si基二维有序微米级孔柱阵列模板和纳米级孔洞阵列模板的制备工艺，并应用传统光刻和ICP刻蚀等工艺成功制备得Si基二维有序微米级孔柱阵列模板，继而又通过电子束曝光和ICP刻蚀等工艺成功制备得Si基二维有序纳米级圆孔阵列模板，对所在项目组今后进行分立SmCo_5记录材料磁性能的研究具有重要意义。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
垂直磁记录材料论文参考文献
[1].陈远星,刘志坚,黄伟嘉.1J22合金材料应用于溅射垂直磁记录薄膜的尝试[C].2013广东材料发展论坛——战略性新兴产业发展与新材料科技创新研讨会论文摘要集.2013
[2].刘文武.SmCo_5垂直磁记录薄膜底层材料与图案化介质模板研究[D].华中科技大学.2013
[3].陈远星,刘志坚,黄伟嘉.1J22合金材料应用于溅射垂直磁记录薄膜的尝试[J].南方金属.2012
[4].张旭辉.垂直磁记录介质材料的制备及翻转模式研究[D].复旦大学.2010
[5].刘尊.垂直磁记录介质材料的研究[D].复旦大学.2009
[6].吴晓薇,郭子政,安彩虹.超高密度垂直磁记录材料研究进展[J].信息记录材料.2008
[7].甄聪棉,马丽,张金娟,刘英,聂向富.Ti(Cr)缓冲层对用于垂直磁记录材料CoCrTa介质磁特性和微结构的影响[J].物理学报.2007
[8].王兵.垂直磁记录底层合金材料在湘研制成功并通过鉴定[J].功能材料信息.2007
[9].杨仕清,张怀武,刘颖力,王豪才.纳米级垂直磁记录材料BaFe_（12）O_（19）和Ba（CoTi）_xFe_（[J].仪器仪表学报.1996
[10].梁俊文.垂直磁记录介质材料研究的新进展[J].磁性材料及器件.1984