导读:本文包含了薄膜刻蚀论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:大气压等离子体射流,单环电极,双环电极,聚合物薄膜刻蚀
薄膜刻蚀论文文献综述
胡明山,王涛,奚野,刘景全[1]（2019）在《对大气压低温等离子体刻蚀聚合物薄膜的工艺研究》一文中研究指出研究了使用两种大气压等离子体射流(APPJ)刻蚀Parylene-C薄膜所产生刻蚀区域的形貌和成分之间的差异。两种APPJ分别由单环电极装置和双环电极装置产生。由单环电极APPJ刻蚀的Parylene-C表面是非均匀的,从刻蚀区域的中心到边缘可分为叁部分:区域(I)是中心区域,此处Si衬底严重受损;区域(II)是有效的刻蚀区域;区域(III)是刻蚀边界。与单环电极APPJ相比,双环电极APPJ刻蚀的Parylene的形貌要好得多。特别是在区域(I)中,Si片受到轻微损坏。X射线光电子能谱分析(XPS)结果表明:单环电极APPJ刻蚀区域的O元素原子含量多于双环电极。此外,还研究了两种APPJ的刻蚀速率,相比于双环电极APPJ,单环电极APPJ具有较高的刻蚀速率。(本文来源于《传感器与微系统》期刊2019年12期）
孙明剑,董承远,林锡勋[2]（2019）在《薄膜晶体管平坦化层干法刻蚀工艺的研究》一文中研究指出为了降低薄膜晶体管的寄生电容,一种新型平坦化材料被引入。单独采用反应离子刻蚀(RIE)或增强电容耦合等离子刻蚀(ECCP)模式刻蚀该平坦化层均无法获得满意的工艺效果。为此,提出了将RIE和ECCP相结合的方法用于新型平坦化层的刻蚀。实验结果表明:当平坦化层厚度为2.0μm时,先以RIE模式7kW/20Pa条件刻蚀1.5μm,再以ECCP模式5kW+4kW/8Pa条件继续刻蚀平坦化层及其下方的氮化硅,刻蚀出的过孔图形表面光滑,氮化硅层无底切,平坦化层孔径均值6.12μm。本研究结果为后续采用该平坦层材料的高分辨率、低功耗产品的设计和生产打下了坚实基础。(本文来源于《液晶与显示》期刊2019年11期）
罗俊尧,刘光壮,杨曌,李保昌,沓世我[3]（2019）在《镍铬硅薄膜电阻层的磁控溅射及湿法刻蚀工艺研究》一文中研究指出本文通过直流磁控溅射法在96氧化铝基板上沉积镍铬硅薄膜,然后采用光刻及湿法刻蚀工艺实现不同要求的电阻图形。图形化过程中,分别对比HNA刻蚀体系、TMAH刻蚀体系以及催化氧化刻蚀体系的刻蚀效果,从中优选最佳刻蚀体系,并进一步对其进行工艺参数优化。在CNA含量为30%的催化氧化刻蚀体系(CNA:HNO_3:H_2O)中,刻蚀温度50℃,刻蚀速率约为4nm/s时,刻蚀效果最佳,与设计尺寸偏差小,可实现镍铬硅薄膜图形刻蚀线宽(15±1)μm,满足高精度精密薄膜电阻的设计和生产要求。(本文来源于《真空》期刊2019年05期）
魏育才[4]（2019）在《CF_4和O_2等离子体刻蚀改善氮化硅薄膜形貌研究》一文中研究指出探讨PA工艺因介电层高低差发生金属线路内部断裂的改善方案。以不同光刻条件和刻蚀条件为基础,对介电层(Si3N4)进行ICP刻蚀。研究表明,增加曝光焦距,刻蚀完的侧壁倾斜角改变不大;而光刻胶对氮化硅的刻蚀选择比越高,刻蚀完氮化硅侧壁斜角变化越大。当光刻胶对氮化硅的刻蚀选择比为2.4时,刻蚀完氮化硅的侧壁斜角可控制在45°～65°。(本文来源于《集成电路应用》期刊2019年07期）
罗远东,朱学进,彭强祥,刘巧灵,廖佳佳[5]（2019）在《PZT铁电薄膜的离子束刻蚀表面形貌研究》一文中研究指出采用Sol-Gel(溶胶-凝胶)法在Pt/Ti/SiO_2/Si基片上制备了约200 nm厚的PZT(锆钛酸铅)铁电薄膜,然后用氩离子束对PZT薄膜进行刻蚀.研究了不同的离子束刻蚀工艺参数(如离子束入射角θ、屏级电压U_s和氩气流量F_(Ar))对PZT薄膜刻蚀速率及表面粗糙度的影响.采用原子力显微镜(AFM)对PZT薄膜的表面微观形貌和表面粗糙度值R_q(均方根值)和R_a(算术平均值)进行测试和分析,通过探针式表面轮廓分析仪测量刻蚀深度d并计算出刻蚀速率V_(etc).结果表明:刻蚀速率V_(etc)严重依赖于离子束入射角θ,在0～75°的θ范围内呈类抛物线关系;当θ为45°时,刻蚀速率达到最大值.随着F_(Ar)和U_s的增加,V_(etc)与两者分别呈成正相关关系,且越来越大.表面粗糙度值R_q和R_a随F_(Ar)和θ的改变而变化,在7 sccm、45°时会有最优值出现;而随屏级电压U_s的增加,在800 V处表面粗糙度值最低.(本文来源于《湘潭大学学报(自然科学版)》期刊2019年03期）
戴琬琳,鲁志伟,叶建山[6]（2019）在《二次刻蚀聚酰亚胺负载Cu_xO纳米复合物薄膜电极用于葡萄糖的快速测定（英文）》一文中研究指出本文采用激光刻蚀聚酰亚胺薄膜为载体,浸泡吸附铜离子后经过二次刻蚀还原得到含有Cu(0)、Cu(Ⅰ)和Cu(Ⅱ)的纳米复合物薄膜电极(SLEPI/Cu_xO-FE).通过表征可知,SLEPI/Cu_xO-FE具有大比表面积、丰富的活性位点以及良好的电催化性能.实验结果表明,该电极对葡萄糖具有良好的电化学响应,并具有较好的稳定性和重现性,有望应用于葡萄糖的低成本检测.(本文来源于《电化学》期刊2019年02期）
罗童,陈强[7]（2019）在《微波ECR等离子体刻蚀AAO模板中HfO_2薄膜的研究》一文中研究指出采用微波电子回旋共振(ECR)等离子体装置,对用原子层沉积(ALD)方法在阳极氧化铝模板(AAO)上制备的HfO_2薄膜进行了纳米图案化研究。用CF_4、Ar和O_2等离子体,对HfO_2薄膜进行了反应离子束刻蚀,以移除HfO_2。采用高分辨率扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和能量色散X射线光谱显微(EDX)分析,对样品刻蚀前后的形貌、结构和化学成分进行了表征。实验表明,HfO_2的刻蚀具有定向性,利于高深宽比微机械结构的加工。在其他参数固定的情况下,深宽比高达10∶1的结构中HfO_2的刻蚀速率是微波功率、负脉冲偏压、CF_4/Ar/O_2混合比(Ar含量在0～100%)和工作气压的函数。在0.3 Pa气压、600 W微波功率、100 V偏置电压下,HfO_2拥有0.36 nm/min的可控刻蚀速率,利于HfO_2的精准图案化。刻蚀形貌表明,在CF_4/Ar/O_2等离子体刻蚀之后,刻蚀面非常光滑,具有0.17 nm的均方根线粗糙度。(本文来源于《真空与低温》期刊2019年01期）
杨正,靳志伟,陈建军,饶先花,尹韶云[8]（2019）在《聚酰亚胺薄膜的反应离子刻蚀抛光》一文中研究指出为进一步提高聚酰亚胺薄膜光学器件的表面质量,提出了一种聚酰亚胺薄膜的反应离子刻蚀抛光方法,对其抛光原理和抛光实验进行了研究。利用光刻胶流体的低表面张力及流动特性,通过在聚酰亚胺薄膜表面涂覆光刻胶对其表面缺陷进行填补;结合聚酰亚胺与光刻胶的反应离子高各向异性等比刻蚀工艺,将光刻胶光滑平整表面高保真刻蚀转移至聚酰亚胺表面,从而实现聚酰亚胺薄膜的反应离子刻蚀抛光。实验结果表明:PV、RMS分别为1.347μm和340nm的粗糙表面,通过二次抛光其粗糙度可降低至75nm和13nm;PV、RMS分别为61nm和8nm的表面,其粗糙度可降低至9nm和1nm。该抛光方法能有效提高聚酰亚胺薄膜的表面光洁度,可为以聚酰亚胺薄膜为代表的高分子柔性光学器件的精密加工提供新的工艺思路。(本文来源于《光学精密工程》期刊2019年02期）
万云海,邹志翔,林亮,杨成绍,黄寅虎[9]（2019）在《氧化物薄膜晶体管刻蚀阻挡层PECVD沉积条件研究》一文中研究指出为实现氧化物TFT(Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistor,IGZO TFT)特性的最优化,采用I-V数据和SEM(Scanning Electron Microscope)图片研究蚀阻挡层(Etch-Stop Layer,ESL)沉积条件与氧化物TFT特性的关系。通过调整沉积温度、正负极板间距、压力和功率,分析了PECVD沉积ESL SiO2的成膜规律,并对所得到的TFT进行了特性分析。发现ESL膜层致密性过差时,后期高温工艺会造成水汽进入IGZO半导体膜层,从而引起TFT特性恶化。而采用高温、高压力等方法取得高致密性的ESL膜层由于高强度等离子体对IGZO本体的还原反应也会致使TFT特性劣化。结果表明,在保证膜层致密性前提下,等离子体对IGZO本体伤害最小的ESL沉积条件才是最优化的ESL沉积条件。(本文来源于《液晶与显示》期刊2019年01期）
罗俊尧,杨曌,李保昌,沓世我[10]（2018）在《磁控溅射制备镍铬硅薄膜电阻的湿法刻蚀工艺研究》一文中研究指出本文通过直流磁控溅射法在96氧化铝基板上沉积镍铬硅薄膜,然后采用光刻及湿法刻蚀工艺实现不同要求的电阻图形。图形化过程中,分别对比HNA刻蚀体系、TMAH刻蚀体系以及催化氧化刻蚀体系的刻蚀效果,从中优选最佳刻蚀体系,并进一步对其进行工艺参数优化。在CNA含量为30%的催化氧化刻蚀体系(CNA:HNO_3:H_2O)中,刻蚀温度50℃,刻蚀速率约为4nm/s时,刻蚀效果最佳,与设计尺寸偏差小,可实现镍铬硅薄膜图形刻蚀线宽15±1um,满足高精度精密薄膜电阻的设计和生产要求。(本文来源于《粤港澳大湾区真空科技创新发展论坛暨2018年广东省真空学会学术年会论文集》期刊2018-11-30）
薄膜刻蚀论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
为了降低薄膜晶体管的寄生电容,一种新型平坦化材料被引入。单独采用反应离子刻蚀(RIE)或增强电容耦合等离子刻蚀(ECCP)模式刻蚀该平坦化层均无法获得满意的工艺效果。为此,提出了将RIE和ECCP相结合的方法用于新型平坦化层的刻蚀。实验结果表明:当平坦化层厚度为2.0μm时,先以RIE模式7kW/20Pa条件刻蚀1.5μm,再以ECCP模式5kW+4kW/8Pa条件继续刻蚀平坦化层及其下方的氮化硅,刻蚀出的过孔图形表面光滑,氮化硅层无底切,平坦化层孔径均值6.12μm。本研究结果为后续采用该平坦层材料的高分辨率、低功耗产品的设计和生产打下了坚实基础。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
薄膜刻蚀论文参考文献
[1].胡明山,王涛,奚野,刘景全.对大气压低温等离子体刻蚀聚合物薄膜的工艺研究[J].传感器与微系统.2019
[2].孙明剑,董承远,林锡勋.薄膜晶体管平坦化层干法刻蚀工艺的研究[J].液晶与显示.2019
[3].罗俊尧,刘光壮,杨曌,李保昌,沓世我.镍铬硅薄膜电阻层的磁控溅射及湿法刻蚀工艺研究[J].真空.2019
[4].魏育才.CF_4和O_2等离子体刻蚀改善氮化硅薄膜形貌研究[J].集成电路应用.2019
[5].罗远东,朱学进,彭强祥,刘巧灵,廖佳佳.PZT铁电薄膜的离子束刻蚀表面形貌研究[J].湘潭大学学报(自然科学版).2019
[6].戴琬琳,鲁志伟,叶建山.二次刻蚀聚酰亚胺负载Cu_xO纳米复合物薄膜电极用于葡萄糖的快速测定（英文）[J].电化学.2019
[7].罗童,陈强.微波ECR等离子体刻蚀AAO模板中HfO_2薄膜的研究[J].真空与低温.2019
[8].杨正,靳志伟,陈建军,饶先花,尹韶云.聚酰亚胺薄膜的反应离子刻蚀抛光[J].光学精密工程.2019
[9].万云海,邹志翔,林亮,杨成绍,黄寅虎.氧化物薄膜晶体管刻蚀阻挡层PECVD沉积条件研究[J].液晶与显示.2019
[10].罗俊尧,杨曌,李保昌,沓世我.磁控溅射制备镍铬硅薄膜电阻的湿法刻蚀工艺研究[C].粤港澳大湾区真空科技创新发展论坛暨2018年广东省真空学会学术年会论文集.2018