导读:本文包含了磷铝吸杂论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:多晶硅,吸杂,间隙氧含量,少子寿命
磷铝吸杂论文文献综述
赵秀玲,杨春明,宋晶,任丙彦[1]（2008）在《氧对多晶硅太阳电池磷铝吸杂效应的影响》一文中研究指出对不同氧含量的太阳电池用多晶硅片进行了磷扩散吸杂,铝吸杂及磷铝联合吸杂的研究,用准稳态光电导衰减法(QSSPCD)和太阳电池效率测试系统测试了吸杂前后多晶硅片的少子寿命和IV曲线.发现3种吸杂方式对于多晶硅片的少子寿命和电池效率都有提高,而磷铝联合吸杂的效果最佳;实验发现[Oi]<10ppma的低氧样品有利于促进吸杂.(本文来源于《河北工业大学学报》期刊2008年02期）
张兵[2]（2008）在《SiO_2薄膜和磷铝吸杂对太阳电池用硅片少子寿命的研究》一文中研究指出表面钝化技术已成为太阳电池工业化生产的一项重要工艺,对提高太阳电池的开路电压和短路电流起着极其关键的作用。对于世界上超过20%的单晶硅太阳电池无一例外的均采用了表面钝化技术,使得少子寿命得到了很大提高,从而得到较高的开路电压和短路电流。同时在晶体生长和制备太阳电池的工艺过程中不可避免的会引入一些金属杂质(如Na、Fe、Cu和Au等),而这些金属杂质和硅片内的微缺陷形成了一些深能级,并成为少子复合中心,降低了少子寿命和扩散长度,严重影响了硅太阳电池的效率。如何消除表面态和这些金属杂质对硅太阳电池的影响就成为当前研究的主要课题之一。本文的研究目标是利用不同的热氧化法生长的SiO2薄膜对硅片表面进行有效的表面钝化,利用磷铝吸杂对电池进行有效的吸杂,提高电池样品的少子寿命和转换效率。本章采用的是传统热氧化法(CTO)、掺氯热氧化法(TCA)和快速热氧化法(RTO)对硅片表面采用表面钝化技术,用磷铝吸杂的方法对多晶硅太阳电池进行吸杂。实验前后均采用微波诱导光电导衰减法测试仪(μ-PCD)对样品进行少子寿命的测试。用椭圆偏振光测试仪对样品进行薄膜厚度和折射率的测量。用电池效率测试仪对电池样品进行效率的测量。利用CTO,TCA,RTO对样品进行表面钝化,均能得到较高的少子寿命。TCA生长薄膜速度快,但分解温度较高,在一定程度上降低了硅片的少子寿命,若能寻求一种含Cl并且分解温度较低的工业用品,再与RTO工艺进行有效的结合,应该是未来工业电池表面钝化技术一个不错的选择;经过对于磷、铝以及磷铝联合吸杂的系统研究,发现这叁种吸杂方式对于单晶硅的少子寿命都有很大的提高。对于多晶硅太阳电池的少子寿命提高最大,电池效率的提升也非常明显。(本文来源于《河北工业大学》期刊2008-01-01）
赵慧,徐征,励旭东,李海玲,许颖[3]（2005）在《磷铝吸杂在多晶硅太阳电池中的应用》一文中研究指出研究了多晶硅的浓磷扩散吸杂、铝吸杂、磷 铝联合吸杂 (双面蒸铝 ) .采用准稳态光电导衰减法测试了吸杂前后多晶硅片的有效少数载流子寿命 ,发现磷 铝联合吸杂于硅片少子寿命的提高最大达 30 μs以上 ,其次是磷吸杂 ,铝吸杂再次之 .采用吸杂后的多晶硅片制备了 1cm× 1cm的太阳电池 ,与相同条件下未经吸杂制备的电池相比 ,发现叁种吸杂方式都能提高电池的各项电学特性 ,其中磷 铝联合吸杂提高电池效率最大 ,达 4 0 %以上 ,最差为铝吸杂 ,只有 15 %左右的提高 ,这与吸杂后所测得的少子寿命的变化趋势一致 .实验说明叁种吸杂方式在不同程度上促成了硅片界面晶格应力对重金属杂质的吸附作用 ,减少了载流子的复合中心 ,从而提高了有效少数载流子的寿命 ;而有效少数载流子的寿命直接影响到电池的效率 .(本文来源于《半导体学报》期刊2005年02期）
赵秀玲[4]（2005）在《磷铝吸杂及HIT晶硅太阳电池高转换效率机理研究》一文中研究指出太阳能的应用是解决能源与环境问题的有效途径。HIT~(TM)太阳电池虽然诞生的时间不长,但是凭借其廉价高效的巨大优势迅速抢占国际光伏市场,成为目前太阳电池研发及应用领域中最耀眼的一颗新星;多晶硅太阳电池也是未来最有发展潜力的太阳电池之一。本研究工作目标是实现高效非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的制备和提高多晶硅太阳电池的效率以及降低生产成本。论文的主要研究内容如下:首先,采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在p型单晶硅衬底上制备本征非晶硅和n型非晶硅薄膜,利用射频磁控溅射在n型非晶硅窗口层上制备透明导电膜构造非晶硅/晶体硅异质结(HIT)太阳电池。采用光谱响应和I-V测试手段对所制备的非晶硅/晶体硅异质结太阳电池进行测试和分析,发现不同的TCO(ITO和ZnO:Al)对HIT太阳电池的光电特性有很明显的影响。利用X射线衍射(XRD)、透射谱、反射谱、四探针等手段对透明导电薄膜进行深入的研究。真空退火能极大的改善ITO薄膜的电学和光学性能,经过不同温度的真空退火后,得到电阻率为2. 18×10~(-4) Ωcm、晶粒尺寸增大且趋于有序,透过率为90%以上的优质ITO透明导电膜,很好的改善了非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的短路电流和效率。其次,研究磷铝吸杂对于晶体硅的影响并在此基础上制备晶体硅太阳电池。测量经磷扩散吸杂,铝吸杂,磷铝联合吸杂(双面蒸铝)后硅片少子寿命的变化和间隙氧含量的变化,发现浓磷扩散吸杂,铝吸杂,磷铝联合吸杂(双面蒸铝)对于硅片的少数载流子寿命都有提高,其中磷铝联合吸杂对少数载流子寿命提高最大。同时,采用吸杂后的多晶硅片制备1×1cm~2的太阳电池,与未吸杂的多晶硅太阳电池相比,研究多晶硅电池的电学特性变化。(本文来源于《河北工业大学》期刊2005-01-01）
赵秀玲,赵龙,傅洪波,朱惠民,任丙彦[5]（2004）在《太阳电池用直拉硅片中磷铝吸杂的应用研究》一文中研究指出对不同氧含量的太阳电池用直拉硅片进行了磷扩散吸杂、铝吸杂及磷-铝联合吸杂的研究。采用准稳态光电导衰减法(QSSPCD)测试了吸杂前后单晶硅片的非平衡少子寿命。发现叁种吸杂方式对于硅片的非平衡少子寿命都有提高,而磷—铝联合吸杂的效果最佳;在不同厚度的铝膜的铝吸杂过程中,发现随着铝膜厚度的增加,吸杂效果更为明显。采用傅立叶红外变换测试吸杂后氧含量的变化,发现高氧样片有利于促进吸杂。(本文来源于《第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛论文集》期刊2004-11-01）
磷铝吸杂论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
表面钝化技术已成为太阳电池工业化生产的一项重要工艺,对提高太阳电池的开路电压和短路电流起着极其关键的作用。对于世界上超过20%的单晶硅太阳电池无一例外的均采用了表面钝化技术,使得少子寿命得到了很大提高,从而得到较高的开路电压和短路电流。同时在晶体生长和制备太阳电池的工艺过程中不可避免的会引入一些金属杂质(如Na、Fe、Cu和Au等),而这些金属杂质和硅片内的微缺陷形成了一些深能级,并成为少子复合中心,降低了少子寿命和扩散长度,严重影响了硅太阳电池的效率。如何消除表面态和这些金属杂质对硅太阳电池的影响就成为当前研究的主要课题之一。本文的研究目标是利用不同的热氧化法生长的SiO2薄膜对硅片表面进行有效的表面钝化,利用磷铝吸杂对电池进行有效的吸杂,提高电池样品的少子寿命和转换效率。本章采用的是传统热氧化法(CTO)、掺氯热氧化法(TCA)和快速热氧化法(RTO)对硅片表面采用表面钝化技术,用磷铝吸杂的方法对多晶硅太阳电池进行吸杂。实验前后均采用微波诱导光电导衰减法测试仪(μ-PCD)对样品进行少子寿命的测试。用椭圆偏振光测试仪对样品进行薄膜厚度和折射率的测量。用电池效率测试仪对电池样品进行效率的测量。利用CTO,TCA,RTO对样品进行表面钝化,均能得到较高的少子寿命。TCA生长薄膜速度快,但分解温度较高,在一定程度上降低了硅片的少子寿命,若能寻求一种含Cl并且分解温度较低的工业用品,再与RTO工艺进行有效的结合,应该是未来工业电池表面钝化技术一个不错的选择;经过对于磷、铝以及磷铝联合吸杂的系统研究,发现这叁种吸杂方式对于单晶硅的少子寿命都有很大的提高。对于多晶硅太阳电池的少子寿命提高最大,电池效率的提升也非常明显。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
磷铝吸杂论文参考文献
[1].赵秀玲,杨春明,宋晶,任丙彦.氧对多晶硅太阳电池磷铝吸杂效应的影响[J].河北工业大学学报.2008
[2].张兵.SiO_2薄膜和磷铝吸杂对太阳电池用硅片少子寿命的研究[D].河北工业大学.2008
[3].赵慧,徐征,励旭东,李海玲,许颖.磷铝吸杂在多晶硅太阳电池中的应用[J].半导体学报.2005
[4].赵秀玲.磷铝吸杂及HIT晶硅太阳电池高转换效率机理研究[D].河北工业大学.2005
[5].赵秀玲,赵龙,傅洪波,朱惠民,任丙彦.太阳电池用直拉硅片中磷铝吸杂的应用研究[C].第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛论文集.2004