导读:本文包含了低温硅片直接键合论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:硅片,直接键合,低温键合,键合机理
低温硅片直接键合论文文献综述
孙佳媛[1]（2015）在《硅片低温直接键合方法研究》一文中研究指出硅片直接键合技术在微机电系统,绝缘体上硅材料的制造和叁维集成领域有着重要的应用。跟中介层键合技术和阳极键合技术相比,直接键合技术避免了中介层引起的污染也无需外部电场的作用。传统的直接键合方法需要在800℃~1000℃的高温下进行,而高温会引起诸多问题,如热膨胀系数不同所产生的残余应力。同时,传统直接键合方法对操作的环境也有限制,一般需要万级超洁净间。这些问题严重阻碍了硅片键合技术产业化的发展。因此,寻找一种在常规实验室环境下的低温直接键合方法是目前亟需解决的问题。本课题通过变化键合过程中的工艺参数,对键合后的样品进行微观形貌、键合率和抗拉强度等分析测试,摸索出了一套适合在常规实验室环境中进行的硅片低温直接键合方法,并分析了各个参数对键合性能的影响。对多层堆迭硅片进行堆迭,得到了较为良好的键合。通过直接键合硅片法成功制备p-n结,所制得异质结表现出良好的I-V特性。系统研究了不同键合参数对硅片在键合率和键合强度的影响,结果表明键合温度对键合性能的影响最大。键合温度达到200℃时,硅片能够实现良好键合,且键合强度较高。热处理温度对键合性能有较大的影响,热处理温度较高时,在相同键合率的情况下,会获得较高的键合强度。键合压力对键合性能影响较小,随着键合压力的增加,键合率和键合强度有着小幅度的增长。预键合和真空环境在键合过程中非常重要,经过预键合过程,在真空中键合的硅片其键合强度都会有所提高。对比不同表面氧化层厚度硅片的键合结果,发现表面热氧化硅片的键合率普遍高于相同键合参数下表面自然氧化硅片的键合率。课题初步探讨了硅片键合的机理,实验结果表明活化过程对硅片表面粗糙度和表面氧化层厚度几乎没有影响,硅片活化后表面硅氧网络的断开和Si-OH浓度增加,是实现键合的关键(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2015-12-01）
何福林,滕霖,李川[2]（2011）在《低温直接键合硅片亲水性及其键合效果评价》一文中研究指出对硅片进行了不同条件及方式的清洗预处理,使硅片表面获得不同程度的亲水性,利用硅片表面的接触角等研究比较了不同清洗方式对硅片亲水性的影响,并采用红外透视仪及拉伸测试法对键合质量测试比较。试验结果表明RCA1的清洗处理对硅片表面亲水性提高程度较大,等离子体处理能够大幅提高硅片亲水性但要严格控制处理时长,试验结果为实现低温退火条件下的硅-硅直接键合提供了依据。(本文来源于《航空精密制造技术》期刊2011年03期）
马沧海[3]（2008）在《紫外光辅助低温硅片直接键合研究》一文中研究指出低温直接键合技术由于键合温度低,键合质量好,键合材料限制少等优点,在绝缘体上硅(SOI)制备、微机电系统(MEMS)器件封装等众多领域逐步得到应用,并日益受到重视。本论文在已有的低温硅片直接键合研究基础上,引入了UV光照,开展UV辅助的低温硅片直接键合试验研究,讨论了UV辅助活化硅片表面的机理,并对键合质量及键合可靠性进行了多方面的研究。主要工作如下:1、研究了UV光的特点及其在清洗与活化中的物理、化学作用,讨论了短波长UV光清洗及光活化改质的机理,为硅片直接键合工艺研究提供了理论基础;2、从粗糙度及承载率出发,研究了不同UV光照时间对硅片表面质量及硅硅直接键合强度的影响,获得了不同UV光照对硅片表面粗糙度与键合强度的影响,结果表明,采用合适的UV光照时间如3分钟辅助活化,可以得到最高的硅硅键合强度;3、系统地研究了退火温度与退火时间对键合强度的影响,结果表明,在不超过350℃的退火温度范围内,退火温度越高,键合强度越大;在一定的退火时间范围内(≤20小时),退火时间越长,键合强度越大;4、从高低温循环、恒温恒湿、振动和冲击环境应力试验出发,研究了UV辅助低温硅片直接键合的质量及可靠性。结果表明,经历环境试验后,硅片键合强度有所下降,但仍保持有较高的键合强度,具有较高的可靠性。(本文来源于《华中科技大学》期刊2008-05-26）
霍文晓,徐晨,杨道虹,赵林林,赵慧[4]（2006）在《CF_4等离子处理在低温硅片直接键合中的应用》一文中研究指出键合前用CF4等离子体对硅片表面进行处理,经亲水处理后,完成对硅片的预键合。再在N2保护下进行40h 300℃退火,获得硅片的低温直接键合。硅片键合强度达到了体硅的强度。实验表明,CF4对硅片的处理不仅可以激活表面,而且可以对硅片表面进行有效的抛光,大大加强了预键合的效果。(本文来源于《半导体技术》期刊2006年04期）
徐晨,霍文晓,杨道虹,赵慧,赵林林[5]（2005）在《一种新颖的低温硅片直接键合技术》一文中研究指出提出一种使用CF4等离子体激活处理硅片表面来降低退火温度的低温硅片直接键合新方法。硅片用CF4等离子体激活处理,经过亲水处理预键合后,再在N2保护下进行40h 300℃的热处理,硅片的键合强度达到了体硅本身的强度。(本文来源于《中国微米、纳米技术第七届学术会年会论文集（一）》期刊2005-08-01）
肖天龙,茅盘松,袁璟[6]（1999）在《用氧等离子体激活处理的低温硅片直接键合技术》一文中研究指出针对在Ｍ ＥＭＳ加工中所要求的低温键合，提出了一种用氧等离子体激活处理来降低退火温度的低温硅片直接键合技术。研究了低温ＳＤＢ的特性并得出了经过氧等离子体处理的硅片界面能比常规同条件的ＳＤＢ提高近１０ 倍的结论。最后详细探讨了其键合机理。(本文来源于《半导体技术》期刊1999年05期）
[7]（1997）在《低温硅片直接键合和界面行为》一文中研究指出描述了低温硅片直接键合（ＬＴＳＤＢ）的实现和质量评价。通过高分辨率电子显微镜（ＨＲＥＭ）和表面电离质谱分析（ＳＩＭＳ）的方法对键合界面特性进行了研究。用ＨＲＥＭ图象观察了诸如位错和ＳｉＯ２的随机分布等界面结构，ＳＩＭＳ结果表明了靠近键合界面的分布情况和Ｓｉ－Ｈ原子团的其他特性。提出了一种新的两步ＬＴＳＤＢ机理(本文来源于《半导体情报》期刊1997年03期）
低温硅片直接键合论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
对硅片进行了不同条件及方式的清洗预处理,使硅片表面获得不同程度的亲水性,利用硅片表面的接触角等研究比较了不同清洗方式对硅片亲水性的影响,并采用红外透视仪及拉伸测试法对键合质量测试比较。试验结果表明RCA1的清洗处理对硅片表面亲水性提高程度较大,等离子体处理能够大幅提高硅片亲水性但要严格控制处理时长,试验结果为实现低温退火条件下的硅-硅直接键合提供了依据。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
低温硅片直接键合论文参考文献
[1].孙佳媛.硅片低温直接键合方法研究[D].哈尔滨工业大学.2015
[2].何福林,滕霖,李川.低温直接键合硅片亲水性及其键合效果评价[J].航空精密制造技术.2011
[3].马沧海.紫外光辅助低温硅片直接键合研究[D].华中科技大学.2008
[4].霍文晓,徐晨,杨道虹,赵林林,赵慧.CF_4等离子处理在低温硅片直接键合中的应用[J].半导体技术.2006
[5].徐晨,霍文晓,杨道虹,赵慧,赵林林.一种新颖的低温硅片直接键合技术[C].中国微米、纳米技术第七届学术会年会论文集（一）.2005
[6].肖天龙,茅盘松,袁璟.用氧等离子体激活处理的低温硅片直接键合技术[J].半导体技术.1999
[7]..低温硅片直接键合和界面行为[J].半导体情报.1997