导读:本文包含了二维半论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:先驱体浸渍裂解(PIP),化学气相渗透(CVI),编织结构,碳化硅纤维增强碳化硅基(SiC,SiC)复合材料
二维半论文文献综述
赵爽,杨自春,周新贵[1]（2018）在《先驱体浸渍裂解结合化学气相渗透工艺下二维半和叁维织构SiC/SiC复合材料的结构与性能》一文中研究指出通过先驱体浸渍裂解工艺结合化学气相渗透工艺(PIP+CVI)制备了二维半(2.5D)和叁维(3D)编织结构的碳化硅纤维增强碳化硅基(SiC/SiC)复合材料,对两者的密度、热导率、力学性能以及微观结构等进行了测试分析。结果表明,PIP+CVI工艺制备的SiC/SiC复合材料具有较低的密度(1.98~2.43g·cm-3)和热导率(0.85~2.08 W·m~(-1)·K~(-1)),初期CVI纤维涂层能够提高纤维-基体界面剪切强度(~141.0 MPa),从而提高SiC/SiC复合材料的力学性能,后期CVI整体涂层明显提高了2.5DSiC/SiC复合材料的密度、热导率和力学性能,对3DSiC/SiC复合材料性能的影响不明显。(本文来源于《材料导报》期刊2018年16期）
常红,王亚洲,柯导明[2]（2018）在《短沟道MOSFET源漏寄生电阻的二维半解析模型》一文中研究指出根据金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的工作原理,在MOSFET的源/漏区域引入了矩形等效源,提出了源/漏电阻的二维定解问题。通过用分离变量法、傅里叶展开和积分方程相结合建立MOSFET源/漏电阻的二维半解析模型,得到了源/漏电阻与几何尺寸之间的关系。该模型避免了数值分析时的方程的离散化,且具有较高的精度。计算和仿真结果表明,模型计算出的源/漏电阻阻值接近于Silvaco的仿真值。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2018年04期）
王亚洲[3]（2018）在《SOI MOSFET源/漏寄生电阻的二维半解析模型研究与仿真》一文中研究指出随着微电子工艺的进步与发展,平面MOS器件的尺寸早已进入纳米级。较小的器件尺寸极大的提高了 IC的集成度和性能。然而器件的诸如寄生效应、工作电压等实际上并不能按照等比例缩小定律等比例缩小,这会极大的影响器件的性能。为了降低因器件尺寸缩小而带来的各种寄生效应的影响,研究者们开发出SOI MOSFET这种器件,SOI MOSFET相对于平面MOSFET拥有很多优良的特性如避免了闩锁效应、寄生效应小、功耗低、易于集成。目前SOI MOSFET被认为是最适合应用于超大规模集成电路中的器件。对SOI MOSFET的诸多电学特性进行深入的分析研究,对于改善器件的性能很有意义。由于SOI MOSFET的小尺寸,沟道短的特点,其源/漏寄生电阻在总导通电阻中所占比重较大,对器件的性能影响不可忽视。因此能够准确地预测出SOI MOSFET器件的源/漏寄生电阻随器件结构参数的变化,建立一个简洁,准确,可预测性的源/漏寄生电阻模型对后续器件的研究,以及电路的设计意义重大,本文所做工作如下:首先,本文介绍了平面MOSFET和SOIMOSFET及其优缺点,分析了 SOI MOSFET源/漏寄生电阻研究的意义和研究现状,并且介绍了源/漏寄生电阻常用的研究方法,主要包括建模法和提取法。建模法介绍了解析法、数值法和半解析法。提取法介绍了沟道电阻法以及近年来研究者们提出的一些新型提取法。其次,本文针对源/漏区的特点提出了一种新的二维半解析模型,分两个区,对这两个区分别列出定解问题、边界条件,列出两个区交界处的衔接条件。根据这些条件求得电势分布和电阻。最后,为验证本文提出的模型的合理性及计算结果的正确性,本文使用MATLAB中的PDE工具求解源/漏区二维电势分布来验证模型求解出的结果。二维电势分布验证后,进行源/漏寄生电阻的验证,使用Atlas仿真提取出源/漏寄生电阻,把模型和仿真求出的电阻及误差以图表的方式进行分析和总结。计算结果表明本文提出的模型求得的电阻相对于仿真提取的电阻误差很小,这表明本文提出的模型具有很高的精度,可以用于后续器件的特性分析。(本文来源于《安徽大学》期刊2018-03-01）
常红,孙桂金,杨菲,柯导明[4]（2018）在《全耗尽SOI MOSFET亚阈值表面势的二维半解析模型》一文中研究指出根据SOI MOSFET的工作原理,在SOI MOSFET的氧化层、耗尽层和埋氧化层分别引入矩形等效源,提出了电势二维分布的定解问题.再通过半解析法、傅里叶级数展开法和积分法相结合对每个区域的定解问题进行求解,得到了定解问题的二维半解析解,解得结果是无穷级数形式的特殊函数.计算和仿真结果表明,提出的模型求解时精度高,运算量较小,可用于的电路模拟程序.(本文来源于《中国科学技术大学学报》期刊2018年01期）
李邦[5]（2017）在《二维半狄拉克点模型中的电子隧穿问题研究》一文中研究指出本文着重介绍了计算电子穿过势垒的透射概率时所采用的传递矩阵方法。利用电子通过势垒时,波函数在分界面的连续性推导出电子通过势垒的透射概率。本论文当中,我们研究了一个半狄拉克点模型中,电子通过一个势垒时的隧穿情况。本文分别讨论了两种不同的情形,在分别加上势垒后电子的隧穿情况,并且给出了不同势垒高度下的透射概率与入射角的关系图,而且与石墨烯狄拉克点附近的隧穿现象进行比较。在y方向是抛物线型的半狄拉克点,电子的入射情况为正入射的条件下,粒子均可以完全穿透方势垒模型,并且透射系数关于入射角θ对称,对比狄拉克点的隧穿情况,y方向的抛物型色散关系不仅没有抑止隧穿现象发生,还增大了隧穿发生的区间。同时x方向具有抛物型色散关系的半狄拉克点,电子穿过方势垒时,电子在方势垒分界面上发生反射和透射和消逝。对比x方向是线性项的模型,电子穿过方势垒的透射系数与入射角之间的变化关系,这种x方向具有抛物型色散关系的模型的最大特点就是当电子正入射时,Klein隧穿现象消失。在电子正入射时,电子并不是完美地穿过势垒,而是被完美的反射,但是在非正入射情况下有两个关于0度轴对称的窗口,在窗口内,电子几乎完美隧穿。(本文来源于《河北科技大学》期刊2017-12-01）
郭志群[6]（2017）在《多域准粘性二维半理论及其在槽道气垫船中的应用》一文中研究指出槽道气垫船是近年来发展起来的一种高航速、浅吃水、具有滑行艇型侧体的侧壁式气垫船,其在波浪中运动的数值方法研究对这类船型乃至常规侧壁式气垫船的耐波性能预报和船型、垫升系统的优化设计都有重要意义。在现有的高速船舶耐波性运动预报方法中,二维半理论兼具计算精度和计算效率的优点,具备潜质发展为高精度高效率的槽道气垫船水动力计算方法。然而,既有的二维半理论是针对排水型船舶的纽曼边值二维半问题发展而成的,还不能直接用于解决槽道气垫船的由侧体和气垫组成的混合边值水动力问题。本文的主要工作是,一方面对既有的基于二维时域自由面格林函数法的二维半理论进行粘性修正,提高其数值稳定性,再将其推广成可以解决混合边值问题的二维半理论,另一方面建立起可以完整考虑气垫边界条件、并能评估气动压力在空间非均匀分布状态的气垫气动力模型,然后把所发展的二维半理论和气垫气动力模型结合,形成高精度高效率的气垫船运动分析模型,最后将该模型用于预报槽道气垫船的耐波性运动响应。预报结果表明,本文所发展的模型的预报精度高于现有的具有同等计算效率的气垫船运动分析模型。本文具体在以下几个方面开展了研究工作。1、基于波动方程建立了适用于槽道气垫船的单气室气动力模型,该模型可以完整计入气垫泄流、风机打气、船体运动和内自由面非定常兴波等气垫边界条件,也可以近似考虑压力沿船长方向的非均匀分布特征。在此基础上,发展了双气室气垫的气动力模型,并以一条双气室气垫船为例,对所建立的气动力模型进行验证,同时还考察了气垫泄流线性化对气垫气动力的影响,验证了气垫泄流线性化的可行性。2、提出了粘性修正的二维时域自由面格林函数,建立了准粘性二维时域自由面格林函数法和准粘性二维半理论。以具有强数值奇异性的二维大外飘角楔形体在自由面上的垂荡运动为算例,验证了准粘性二维时域自由面格林函数法在求解这类问题时的数值稳定性和计算精度。3、建立了带侧体气垫的混合边值二维半理论,可以精确求解侧体影响下的内自由面非定常兴波及其对侧体的作用力。建立了不带侧体的纯气垫的狄利克雷边值二维半理论,研究移动脉动压力面的非定常兴波,通过与叁维势流理论的计算结果进行对比,探讨了采用二维半理论解决这类问题时应满足的前提条件。4、在单域二维半理论的基础上,建立了可计及定常气垫压力影响(即气垫船内外自由面高度差对水动力性能影响)的多域二维半理论。给出了把气垫气动力从气垫水动力问题中解耦出来的数值方法,使基于二维半理论的气垫船水动力问题可以独立求解。以高速双体船为算例,对多域二维半理论中的域间分割线形状进行探讨。5、基于所发展的气垫气动力模型和二维半理论,建立起完整的槽道气垫船耐波性运动求解模型。基于该模型,分析了侧体、内自由面高度对气垫气动力辐射兴波的影响,对比了不同内自由面高度下侧体的水动力系数和波浪力的计算结果,研究了粘性系数取值、内自由面非定常兴波、气动力模型等对船体运动预报结果的影响,还探讨了气垫对船体运动性能的影响。(本文来源于《哈尔滨工程大学》期刊2017-04-20）
常红[7]（2017）在《全耗尽SOI MOSFET亚阈值区二维半解析模型的研究》一文中研究指出随着半导体技术的不断发展,MOSFET的特征尺寸已缩小到纳米级,极大的提高了器件及电路的性能,但日益严重的小尺寸效应又限制了器件进一步发展。因此,为了降低这些小尺寸效应的影响,研究者们提出了一些新的器件结构、材料以及工艺技术,如SOI MOSFET,高k材料,超浅结技术等。此外,在集成电路设计过程中,高速、精确的器件模型对于缩短研制周期,提高集成电路性能都具有着重要意义。因此,对小尺寸器件需要重新进行建模以适应半导体工艺的发展。针对上述问题,论文开展了如下几个方面的工作:(1)首先,论文阐述了半导体器件的发展概况和SOI技术,着重分析了两种经典SOI MOSFET模型的优缺点;其次,提出了利用半解析法来建立电势的二维解析模型;最后,通过对半解析法相关理论的分析,考察了半解析法建立二维电势模型的可行性。(2)随着器件特征尺寸的不断减小,埋氧化层二维电场效应对正面表面势的影响越来越大,为了建立精确的电势模型中,需要同时求解栅介质层、硅膜和埋氧化层叁个区域的泊松方程。因此,论文首先对栅介质层、硅膜以及埋氧化层引入矩形等效源,建立各区电势分布的泊松方程,并确定其对应的边界条件。利用分离变量法解得了叁个区域电势的二维解析表达式,表达式中含有待定系数;然后,利用特征函数展开法对衔接条件恒等式做处理,得到了求解待定系数的矩阵方程组;最后,将矩阵方程组解的结果代入电势的解析表达式中,得到电势的解析解,从而建立了 SOI MOSFET电势的二维半解析模型。在此基础上,根据阈值电压的定义和二分法原理,建立了基于表面势的SOI MOSFET阈值电压模型。(3)随着器件尺寸的进一步缩小,栅氧化层厚度也会逐渐减薄,而较薄的栅氧化层又会引起隧穿电流增大等一系列问题。为了解决隧穿电流增大的问题,研究者们通常采用高介电常数的栅介质材料。首先,论文介绍了高k栅介质材料及其基本特性;然后,针对高k SOI MOSFET,利用第叁章的建模方法,建立电势分布的定解方程;最后,利用半解析法和特征函数展开法推导出该器件电势的二维半解析模型。根据所建立的电势模型,推导出基于表面势的阈值电压模型。最后对上述建立的电势和阈值电压模型进行了仿真验证和分析。(4)由于器件尺寸的减小,短沟道效应越来越明显。为了减小短沟道效应,工艺上会采用超浅结技术,然而较小的漏源区结深又会引起漏源寄生电阻的增大,进而严重的限制了器件的驱动能力。因此,精准的预测小尺寸下漏源寄生电阻随器件参数的变化,对于后续的电路仿真和设计具有非常重要的实际意义。基于此,论文研究并建立了具有高精度、可预测性的漏源寄生电阻模型。首先,论文根据MOSFET的工作原理,在MOSFET的漏源区域引入了矩形等效源,提出求解漏源寄生电阻的二维定解方程和边界条件;然后,通过用分离变量法、广义傅立叶展开法和积分法相结合求解了定解问题,建立了 MOSFET漏源寄生电阻的二维半解析模型,阐明了源漏源寄生电阻与器件参数之间的关系。计算和仿真结果表明模型具有较高的精度。综上所述,论文利用半解析法和特征函数展开法,分别建立全耗尽SOI MOSFET、高k SOI MOSFET的电势、阈值电压的解析模型以及小尺寸器件的漏源寄生电阻模型,并将模型的计算结果和Silvaco软件仿真结果进行了比对。结果表明,建立的模型都具有较高的精度,各参数之间的物理意义明确且模型不需要适配参数、运算量小。此外,所建立的模型避免了数值分析时方程的离散化,可直接用于器件特性分析和电路模型程序中。(本文来源于《安徽大学》期刊2017-04-01）
姜缘[8]（2015）在《二维半空间上带阻尼波动方程平面边界层解的稳定性及其衰减估计》一文中研究指出带阻尼波动方程具有十分重要的理论意义与研究价值,它可以描述均匀细杆沿纵向的微振动等问题.关于带阻尼波动方程的Cauchy问题,由于边界条件的存在,还可以用边界层解来描述其解的大时间行为.本文主要研究其在具有非线性对流项的前提下,二维半空间情形的初边值问题.讨论在非退化条件即f′1(u+)<0,以及不考虑f1(u)的严格凸性,和不考虑波的强度δ=|u+-ub|的小性下,平面边界层解的存在唯一性,平面边界层解的渐近性以及相应的初边值问题的解收敛到此平面边界层解的代数衰减估计.第一章,阐述了带阻尼波动方程及其Cauchy问题的研究现状,以及简单介绍了本文的主要内容.第二章,通过求解常微分方程的方法以及利用压缩映像原理来得到平面边界层解?(x1)的存在唯一性;通过积分运算获得平面边界层解?(x1)的单调性以及渐近性.第叁章,通过设定一个初始扰动v(t,x)=u(t,x)-?(x1)简化了方程,并介绍了先验估计,在此基础上,证明了相应初边值问题解的稳定性以及解收敛到此平面边界层解的代数衰减估计.第四章,讨论了时间加权能量估计的证明.第五章,在时间加权能量估计的基础上,讨论了时空加权能量估计的证明以及先验估计的证明.(本文来源于《华中科技大学》期刊2015-05-01）
孙露露[9]（2015）在《二维半空间上BBM-Burgers方程平面边界层解的稳定性及衰减估计》一文中研究指出本文我们主要研究在二维半空间上如下BBM-Burgers方程的初边值问题其中u(t,x1,x2)是一个关于时间变量t∈R+和空间变量x=(x1,x2)∈R2+的未知函数,且R2+=R+×R.u+和ub是两个已知常数,且u+>ub.非线性光滑函数f1(u)是可以存在多个拐点的非凸函数.根据文献[1,2]在非退化情形下非线性函数f(u)是严格凸的光滑函数;文献[3]在不要求f(u)为严格凸的光滑函数的条件下,得到上述一维BBM-Burgers方程的初边值问题存在唯一的整体解u(t,x),且当t→+∞时,该整体解u(t,x)关于x∈R+一致收敛于相应的边界层解?(x),进一步得到该边界层解满足一定的稳定性与衰减估计.为此,本文在更弱的条件,即非线性函数f1(u)是可以存在多个拐点的非凸函数,考虑高维如二维BBM-Burgers方程的初边值问题.利用压缩映像原理,连续性技巧及时空加权能量估计等方法,我们同样得到光滑解u(t,x1,x2)收敛到平面边界层解?(x1),且具有一定的稳定性及代数衰减率.(本文来源于《华中科技大学》期刊2015-05-01）
杨婧[10]（2014）在《求解二维半线性微分方程多解问题的间断Galerkin有限元方法》一文中研究指出结合间断Galerkin有限元和插值系数有限元方法计算二维半线性多解问题,并通过数值例子证实了方法的有效性.(本文来源于《长沙大学学报》期刊2014年05期）
二维半论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
根据金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的工作原理,在MOSFET的源/漏区域引入了矩形等效源,提出了源/漏电阻的二维定解问题。通过用分离变量法、傅里叶展开和积分方程相结合建立MOSFET源/漏电阻的二维半解析模型,得到了源/漏电阻与几何尺寸之间的关系。该模型避免了数值分析时的方程的离散化,且具有较高的精度。计算和仿真结果表明,模型计算出的源/漏电阻阻值接近于Silvaco的仿真值。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
二维半论文参考文献
[1].赵爽,杨自春,周新贵.先驱体浸渍裂解结合化学气相渗透工艺下二维半和叁维织构SiC/SiC复合材料的结构与性能[J].材料导报.2018
[2].常红,王亚洲,柯导明.短沟道MOSFET源漏寄生电阻的二维半解析模型[J].固体电子学研究与进展.2018
[3].王亚洲.SOIMOSFET源/漏寄生电阻的二维半解析模型研究与仿真[D].安徽大学.2018
[4].常红,孙桂金,杨菲,柯导明.全耗尽SOIMOSFET亚阈值表面势的二维半解析模型[J].中国科学技术大学学报.2018
[5].李邦.二维半狄拉克点模型中的电子隧穿问题研究[D].河北科技大学.2017
[6].郭志群.多域准粘性二维半理论及其在槽道气垫船中的应用[D].哈尔滨工程大学.2017
[7].常红.全耗尽SOIMOSFET亚阈值区二维半解析模型的研究[D].安徽大学.2017
[8].姜缘.二维半空间上带阻尼波动方程平面边界层解的稳定性及其衰减估计[D].华中科技大学.2015
[9].孙露露.二维半空间上BBM-Burgers方程平面边界层解的稳定性及衰减估计[D].华中科技大学.2015
[10].杨婧.求解二维半线性微分方程多解问题的间断Galerkin有限元方法[J].长沙大学学报.2014
标签：先驱体浸渍裂解(PIP); 化学气相渗透(CVI); 编织结构; 碳化硅纤维增强碳化硅基(SiC; SiC)复合材料;