导读:本文包含了双层器件论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:谐振器,热弹性阻尼,解析模型,双层微板
双层器件论文文献综述
左万里,黄家瀚[1]（2019）在《双层矩形微板谐振器件中热弹性阻尼机理研究》一文中研究指出基于Bishop和Kinra的理论框架,利用积分变换法,建立了周边固定条件下,双层矩形微板谐振器中热弹性阻尼解析模型。通过与先前解析模型以及有限元数值模型进行比较,验证了本文模型的有效性。结果分析表明:当基层材料与镀层材料的Zener模量相差较大时,热弹性阻尼频谱曲线会出现两个波峰;双层板的厚度对热弹性阻尼有很大的影响;当微板的厚度不变时,所得热弹性阻尼频谱曲线不随其他结构几何参数变化。(本文来源于《传感技术学报》期刊2019年01期）
何波,徐静,宁欢颇,邢怀中,王春瑞[2]（2019）在《磁控溅射制备纳米晶GZO/CdS双层膜及GZO/CdS/p-Si异质结光伏器件的研究（英文）》一文中研究指出采用磁控溅射制备Ga掺杂ZnO (GZO)/CdS双层膜在p型晶硅衬底上以形成GZO/CdS/p-Si异质结器件。纳米晶GZO/CdS双层膜的微结构、光学及电学特性,通过XRD、SEM、XPS、紫外-可见光分光光度计和霍尔效应测试系统表征。GZO/CdS/p-Si异质结J-V曲线显示良好的整流特性。在±3 V时,整流比IF/IR(IF和IR分别表示正向和反向电流)已达到21。结果表明纳米晶GZO/CdS/p-Si异质结具有好的二极管特性,在反向偏压下获得高光电流密度。纳米晶GZO/CdS/p-Si异质结显示明显的光伏特性。由于CdS晶格常数在GZO和晶Si之间,它能作为一个介于GZO和晶Si之间的缓冲层,能有效地减少GZO和p-Si之间的界面态。因此,我们获得了GZO/CdS/p-Si异质结明显光伏特性。(本文来源于《红外与毫米波学报》期刊2019年01期）
朱华[3]（2019）在《应用于3D光集成的双层光栅耦合器件研究》一文中研究指出随着大数据时代的发展和智慧城市的建设,片上光互连在数据中心、高性能计算机等高速、高密度信息传输领域的优势更加突出,光子集成芯片已经成为国际竞争最激烈的领域之一。随着片上光子集成的集成密度越来越高和WDM技术的应用,用来传输信号的光波导的交叉损耗不容小觑,而且信道中的不可避免的噪声问题也在制约着光芯片的小型化,单层硅光子芯片有限空间的密集集成问题日趋严峻。叁维光子集成结构可以从物理上有效地避免波导交叉,实现在有限的芯片面积上进一步增加器件的集成密度,使芯片具有更高的光互连能力。本论文主要对叁维光子集成结构中的光耦合接口进行了研究。研究目的是为了获得高效、稳定的叁维光子集成结构的光耦合接口,本文主要工作内容如下:(1)首次设计并提出了一种应用于3D光集成的双层光栅耦合器结构,本设计可作为3D光集成结构中的光耦合接口,用于片外光源和叁维集成结构中各层的光波导之间的经济、高效地光耦合。(2)利用2-FDTD方法仿真设计单向垂直耦合的硅基一维光栅耦合器结构,器件由啁啾光栅和均匀光栅组成,设计时采用粒子群算法对5个设计参数进行全局优化,得到光栅的耦合效率为51.4%。(3)重点研究了3D光集成的双层硅材料的光栅耦合器结构,并采用3D-FDTD方法对器件进行建模仿真,仿真得到在波长为1550nm时,上下两个硅波导层分别能获得25%和28%的归一化光功率。该结构实现了单一片外光源供光,叁维集成结构中的两层硅波导层同时获得均衡且稳定的光功率的功能。由两个双层光栅耦合器组成的光集成链路是低偏振相关的结构,仿真得到在入射光波长1536-1558nm区间内,光集成链路的PDL最高不超过0.5dB。(4)设计了高效率垂直耦合的氮化硅光栅耦合器,耦合效率达到了57%。并由此研究了硅基氮化硅材料的双层光栅耦合器结构,从耦合谱线分析,分别对应于TE和TM偏振态的上下两个波导层中的光耦合谱线十分接近,归一化光功率分别为26%和27.3%,不同光子层中获得的光功率较为均衡。(本文来源于《天津工业大学》期刊2019-01-19）
王艳,徐旬,贾之杰,刘小庆,徐静[4]（2018）在《双层SiO_2薄膜对ZnO/Si结构瑞利波器件性能的改善》一文中研究指出利用3D有限元法分析了SiO_2薄膜对ZnO/IDT/Si结构中瑞利波特性的影响,包括相速度(vp)、机电耦合系数(k2)和频率温度系数(τf)。结果表明,当hZ/λ=0.44时,ZnO/IDT/Si结构激发的瑞利波的机电耦合系数最大值k2max=2.38%,且vp=3 016m/s,τf=-32.94×10-6℃-1。引入底层SiO_2薄膜,即ZnO/IDT/SiO_2/Si结构,瑞利波的机电耦合系数大幅提高,当hZ/λ=0.44,hsb/λ=0.25时,k2max=3.41%,且vp=2 801 m/s,τf=-11.43×10-6℃-1。继续引入顶层SiO_2薄膜,即SiO_2/ZnO/IDT/SiO_2/Si结构,瑞利波相速度得到提高,但机电耦合系数随着SiO_2厚度的增加而减小。当hZ/λ=0.44,hsb/λ=0.25,hst/λ=0.25时,k2=2.61%,vp=3 036m/s,τf=18.44×10-6℃-1。双层SiO_2薄膜的引入提高了ZnO/IDT/Si结构瑞利波器件的相速度、机电耦合系数,实现了温度补偿,因此,该结构可用于高机电耦合系数、高温度稳定性及低成本SAW器件的研制。(本文来源于《压电与声光》期刊2018年06期）
张艳明,胡洪平,金俊[5]（2018）在《双层结构声表面波器件的温度频率行为研究》一文中研究指出声表面波器件的特性对温度变化比较敏感,研究压电晶体的频率温度应为对声表面波器件的应用具有重要意义。本文采用拉格朗日模型,研究双层压电晶体结构的频率随温度变化的影响。拉格朗日模型的增强型位移应变关系:■增强型的压电本构方程:■运动方程为:■其中,■C_(ijkl)~θ和C_(ijklmn)为压电材料的二阶和叁阶弹性常数,■为压电材料由温度引起的一阶,二阶和叁阶弹性常数。θ=T-T_0是温度变化。U_i,U_(i,j)和S_(ij)分别为由温度改变引起的热位移,热位移梯度和热应变。本文采用有限元方法计模型的本征频率(COMSOL软件)。由于方程(1.3)并非传统形式的运动方程,因此我们将采用弱形式,直接求解方程(1.1)～(1.3)。求解过程主要分为两步。第一步,计算由温度改变引起的热位移,热位移梯度,热应变;第二步,将第一步得到的结果带入以上方程,采用COMSOL中的PDE模块直接计算表面波(主要瑞利波)本征频率。最后分析频率随温度、表层压电材料厚度的变化关系。(本文来源于《2018年全国固体力学学术会议摘要集（下）》期刊2018-11-23）
[6]（2018）在《Vishay电双层储能电容器系列器件荣获AspenCore2018年度全球电子成就奖》一文中研究指出日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,加固型225 EDLC-R ENYCAPTM系列电双层储能电容器荣获AspenCore2018年度全球电子成就奖。该器件是业内首颗在+85°C条件下使用寿命达到2000小时的产品,通过带电85/85 1000小时测试,耐潮湿能力达到最高等级,适用于恶劣、高湿环境下的能量收集和备用电源应用。(本文来源于《变频器世界》期刊2018年11期）
吕福成,杨蕊,郭新[7]（2016）在《低功耗,双层薄膜型的忆阻器件在神经功能模拟中的应用》一文中研究指出【引言】近几年,忆阻器~([1])因其具有的电阻记忆存储功能、阈值特征、低功耗、结构简单等一系列优点吸引了全世界众多科研人员的关注,随后又被应用于逻辑运算和大脑神经功能的模拟~([2])。忆阻器有望突破半导体极限,并且展示出更加丰富的性能。本文采用双层薄膜的忆阻器件,实现了低功耗,低的操作电压下连续可调的阻变过程,并且能模拟大脑的学习强化和遗忘过程。【实验】在硅与二氧化硅的衬底上用磁控溅射先镀上(本文来源于《第18届全国固态离子学学术会议暨国际电化学储能技术论坛论文集》期刊2016-11-03）
彭博,曹亚鹏,胡煜峰,滕枫[8]（2016）在《P3HT/PMMA双层聚合物电双稳器件的研究》一文中研究指出通过逐层旋涂的方法,制备了P3HT(poly(3-hexylthiophene))与PMMA(poly(methylmethacrylate))双层器件,并与二者的共混溶液制备的器件进行了性能对比。利用扫描电镜(SEM)表征了双层器件的横截面形貌;利用电流-电压(I-V)以及电流-读取次数(I-t)测试,测量了两种器件的开关比以及持续时间特性。其中,双层器件具有更好的开关比,可达1×10~3,同时反复读写测试表明器件性能非常稳定。为了解释电双稳现象产生的机理,对双层结构器件的电流-电压曲线进行了线性拟合,利用器件的能级图进行分析,得出了电荷在器件中的传输过程。研究结果表明,可以通过电荷俘获释放理论解释P3HT/PMMA双层器件电双稳特性产生的机理。(本文来源于《发光学报》期刊2016年09期）
慈朋亮[9]（2016）在《采用双层栅极场板结构的LDMOS器件优化设计》一文中研究指出研究了一种N型50 V RFLDMOS器件的结构。该类型器件对击穿电压BV和导通电阻R_(DSon)等直流参数具有较高要求,一般采用具有两层场板的RESURF结构。通过Taurus TCAD仿真软件对器件最关键的两个部分即场板和N型轻掺杂漂移区进行优化设计,在提高器件击穿电压BV的同时,降低了其导通电阻R_(DSon)。最终仿真得到的击穿电压BV为118 V,导通电阻R_(DSon)为23?·mm。(本文来源于《电子元件与材料》期刊2016年08期）
庄旭鸣,张皓,叶开其,刘宇,王悦[10]（2016）在《基于简单双层-四色结构的高性能有机白光器件》一文中研究指出有机发光二极管(OLED)在固态照明(SSL)方面有很大的应用潜力。目前利用多色(叁色以上)实现较高显色指数(CRI)的有机白光时,通常都效率较低或有明显的效率滚降~([1])。归结起来,器件结构复杂、涉及材料过多是重要的一个原因。本文中,我们在不额外引入专有主体材料的前提下,利用四种具有蓝、绿、橙、红发光颜色的分子Bepp2,FPPCA,BZQPG与BTIPG,分别作为两个发光层中的主体发光和客体发光材料,实现了简单结构、高效率、高显色指数的四色白光器件。其中,FPPCA、BZQPG与BTIPG都是具有较好双极性载流子传输性能及固态发光性能的磷光材料。将BZQPG掺杂到Bepp2作为蓝-橙发光层,将BTIPG掺杂到FPPCA作为绿-红发光层,从而获得了红/橙/绿/蓝型的四色白光发射。在1000 cd m~(-2)的亮度下,器件的外量子效率(EQE)与功率分别达到了23.3%和63.2lm w~(-1),显色指数达到了92,CIE坐标是(0.43,0.48)。在更高的亮度5000 cd m~(-2)时,外量子效率与功率仍能保持在21.6%和48.8 lm w~(-1),显色指数提升到93。很明显,我们的工作为发展简单、高效、高品质的有机白光器件提供了一种新的思路和有效策略。(本文来源于《中国化学会第30届学术年会摘要集-第二十分会：光电功能器件》期刊2016-07-01）
双层器件论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
采用磁控溅射制备Ga掺杂ZnO (GZO)/CdS双层膜在p型晶硅衬底上以形成GZO/CdS/p-Si异质结器件。纳米晶GZO/CdS双层膜的微结构、光学及电学特性,通过XRD、SEM、XPS、紫外-可见光分光光度计和霍尔效应测试系统表征。GZO/CdS/p-Si异质结J-V曲线显示良好的整流特性。在±3 V时,整流比IF/IR(IF和IR分别表示正向和反向电流)已达到21。结果表明纳米晶GZO/CdS/p-Si异质结具有好的二极管特性,在反向偏压下获得高光电流密度。纳米晶GZO/CdS/p-Si异质结显示明显的光伏特性。由于CdS晶格常数在GZO和晶Si之间,它能作为一个介于GZO和晶Si之间的缓冲层,能有效地减少GZO和p-Si之间的界面态。因此,我们获得了GZO/CdS/p-Si异质结明显光伏特性。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
双层器件论文参考文献
[1].左万里,黄家瀚.双层矩形微板谐振器件中热弹性阻尼机理研究[J].传感技术学报.2019
[2].何波,徐静,宁欢颇,邢怀中,王春瑞.磁控溅射制备纳米晶GZO/CdS双层膜及GZO/CdS/p-Si异质结光伏器件的研究（英文）[J].红外与毫米波学报.2019
[3].朱华.应用于3D光集成的双层光栅耦合器件研究[D].天津工业大学.2019
[4].王艳,徐旬,贾之杰,刘小庆,徐静.双层SiO_2薄膜对ZnO/Si结构瑞利波器件性能的改善[J].压电与声光.2018
[5].张艳明,胡洪平,金俊.双层结构声表面波器件的温度频率行为研究[C].2018年全国固体力学学术会议摘要集（下）.2018
[6]..Vishay电双层储能电容器系列器件荣获AspenCore2018年度全球电子成就奖[J].变频器世界.2018
[7].吕福成,杨蕊,郭新.低功耗,双层薄膜型的忆阻器件在神经功能模拟中的应用[C].第18届全国固态离子学学术会议暨国际电化学储能技术论坛论文集.2016
[8].彭博,曹亚鹏,胡煜峰,滕枫.P3HT/PMMA双层聚合物电双稳器件的研究[J].发光学报.2016
[9].慈朋亮.采用双层栅极场板结构的LDMOS器件优化设计[J].电子元件与材料.2016
[10].庄旭鸣,张皓,叶开其,刘宇,王悦.基于简单双层-四色结构的高性能有机白光器件[C].中国化学会第30届学术年会摘要集-第二十分会：光电功能器件.2016