导读:本文包含了缺陷能级论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:有机半导体,费米能级,钉扎现象,态密度(DOS)
缺陷能级论文文献综述
商林太[1]（2019）在《有机材料中缺陷态对界面能级排列影响的研究》一文中研究指出过去的几十年,半导体行业中,无论是无机半导体材料还是有机半导体材料都在飞速地发展,相比于无机半导体,有机半导体有着本质的优越性,其生产成本比较廉价,有着较轻的重量,种类比较多,器件的制作工艺相对于无机电子器件来说比较简单。由于这些良好的特点,有机半导体材料吸引了许多科学家和公司的关注,许多公司和科研机构对其投入大量的研究资源。目前有机半导体已经有了许多常见产品,例如OLED照明灯,显示屏等。虽然有机电子器件已经有了很大的发展,但是在实验中界面处理想的“零”注入势垒的欧姆接触还没有实现,所以有机电子器件还有很大的发展空间。在基片-有机物接触中,费米能级的位置对器件的性能有很大影响,其决定了电荷的注入势垒。因此费米能级的位置与态密度(DOS)和间隙态密度(DOGS)分布的关系需要进行定量分析。此外,研究者一般采用掺杂来提高有机电子器件的电导率和载流子的迁移率。经过掺杂后,不同有机材料器件的电导率却有不同现象,这也需要进一步研究。本文着重以上几点进行了理论和实验上的研究,研究内容有以下几个部分:一、我们进行了计算和实验研究:(1)说明在弱相互作用的电极-有机半导体(pentacene,α-NPD,F8BT)系统中的费米能级出现钉扎现象;(2)说明惰性电极表面各种有机材料普遍存在钉扎现象的共同原因。对于(1),EF-HOMO和EF-LUMO距离与电极功函数关系的计算结果与紫外光电子能谱(UPS)和开尔文探针法(Kelvin-probe)的结果非常吻合。对于(2),我们从理论上发现钉扎现象发生在HOMO-LUMO带隙中没有任何电子态的系统中,从而表明,这是一种适用于各种带隙材料的普遍费米级类钉扎现象,即使在接触时不存在特殊的界面态。进一步分析最小空穴和电子注入势垒,发现高斯分布的HOMO和LUMO载流子注入势垒是由HOMO和LUMO带的标准偏差程度确定的,这与实验结果非常吻合。二、研究了初始n型和p型“本征”有机Alq3和NPB薄膜通过使用叁氧化钼(MoO3)作为p型掺杂剂掺杂的机理。据发现Alq3和NPB薄膜“仅有空穴”器件的电导率都随着Mo03的掺杂比例(MR)的提高而提高。然而,可以观察到在NPB和Alq3经过掺杂之后的电导率变化的区别,其中(1)在整个MR范围内,斜率S>1说明Alq3薄膜的电导率增加迅速;(2)在NPB薄膜中,斜率S>1的电导率变化可以在低掺杂比例区间(MR≤0.04)内观察到,以及在MR≥0.04的区间内发现斜率S≈1的电导率变化。根据这些观察,我们提出在有机薄膜的能带中占据和未占据的间隙态密度分布差异是“本征”n型或p型有机薄膜的起因,因而可以通过MoO3进行不同程度的钝化。这些发现为通过降低有机薄膜中的间隙态密度而改善自由载流子浓度提供了有效的途径。(本文来源于《扬州大学》期刊2019-04-01）
马巧智[2]（2019）在《能级管理在预防手术室护理缺陷中的运用探讨》一文中研究指出目的探讨分析能级管理在预防手术室护理缺陷中的运用。方法选取2016年4月到2017年9月205台手术,在手术室中实施常规管理措施;另外,再选取2017年11月到2018年4月289台手术,在手术室中实施能级管理;对比实施前与实施后的缺陷发生率的情况。结果在手术室中实施能级管理所发生的缺陷率为10.7%,未实施管理措施所发生的缺陷率为4.7%,实施后明显低于实施前,两组数据对比可知,存在明显的差异(P<0.05)。结论能级管理在预防手术室护理缺陷中具有积极的作用,一方面可以通过调整管理模式,合理、科学的安排人力资源,提高护理的安全性;另一方面,可以降低缺损率的发生,提高护理质量,该管理方法值得在临床上推广应用。(本文来源于《实用临床护理学电子杂志》期刊2019年09期）
李月梅,李永梅,王锐,徐衍岭[3]（2017）在《实现基于缺陷能级稀土双掺氧化锌上转换发光（英文）》一文中研究指出上转换白光由红色、绿色和蓝色组成,而上转换白光通常是通过复杂的叁掺杂稀土离子如Yb~(3+)、Er~(3+)和Tm~(3+)实现的.本文报道了一个新型村料,通过Yb~(3+)、Tm~(3+)双掺ZnO实现上转换白光输出.体系获得475 nm(~1G_4→~3H_6)上转换蓝光和652 nm(~1G_4→~3F_4)上转换红光,上转换绿光发射源于ZnO基质村料缺陷(氧空位)发光.此外,通过调节OH-的浓度可以调控纳米村料形貌.尤其是铅笔状结构纳米棒由于表面具有高浓度的氧空位,实现了上转换绿光辐射.同时氧空位缺陷作为能量传递过程的中间态能级,提高了上转换蓝光以及上转换红光的发光强度.我们的研究首次将缺陷发光机理和上转换发光机理相结合,为实现上转换白光输出开辟了新道路.(本文来源于《Science China Materials》期刊2017年12期）
王若旻[4]（2017）在《电子辐照条件对n-Si二极管缺陷能级及性能影响的研究》一文中研究指出随着对各种辐照射线及其辐射效应不断深入的研究,辐照技术已被应用于半导体材料、器件改性等多种领域。电子辐照技术作为现今主要寿命控制技术之一,因其具备一致性好、工艺简单、成本低等优点,已被应用于改善半导体器件性能,但其在提高器件开关速度的同时,也会影响其他电学性能。器件性能的变化与辐照在半导体材料中引入的缺陷能级有关。针对电子辐照条件对二极管性能的影响规律进行了实验和研究,主要工作如下:(1)在4个电子辐照能量0.5、1.5、2.0和5.0MeV,多个辐照注量条件下对n-Si整流二极管进行了辐照实验,测量了辐照前后样品的少子寿命τ、深能级瞬态谱(Deep Level Transient Spectroscopy,DLTS)和正、反向输出特性曲线,并记录正向压降V_F、反向漏电流I_R和反向恢复时间t_(rr)等作为敏感特性参数,对比和分析了电子辐照条件对二极管性能的影响。(2)实验结果表明不同电子辐照条件可以在已封装的n-Si二极管中引入最多8个缺陷能级,其中包括4个多子能级和4个少子能级。这些缺陷能级可以作为复合中心有效降低少子寿命τ,并且随着辐照能量增大,少子寿命τ下降速度会加快。在不同电子辐照条件下缺陷能级可能会出现、消失,能级浓度可能会增大、减小或不变,能级位置可能在一定范围内移动,出现这些变化的原因与辐照缺陷的稳定性和能级之间的补偿、迭加作用有关。(3)辐照前后实验样品的正向特性会发生退化,正向压降V_F会增大,并且与辐照注量Ф_n呈线性关系。当辐照过量时,正向输出特性曲线会发生扭曲。辐照能量2.0和5.0MeV条件下样品的反向特性会发生退化,反向漏电流I_R会增大,在5.0MeV条件下与辐照注量Ф_n呈线性关系。相对于正向特性,实验样品的反向特性退化更不稳定,相同条件下可能只有部分发生退化,部分样品的反向输出特性曲线也会发生扭曲。辐照能量2.0和5.0MeV条件下实验样品的反向恢复时间t_(rr)会下降,与少子寿命τ的实验结果一致。在200℃退火温度以下,样品的正、反向特性可以表现出良好的稳定性。(本文来源于《北京工业大学》期刊2017-05-01）
李大海,宋雄飞,胡林枫,王子仪,张荣君[5]（2015）在《单层二维Ta_2O_5中电子缺陷能级的研究》一文中研究指出二维原子层状材料是近期的研究热点,但是这些研究多数集中于场效应晶体管的沟道材料如单层MoS_2、单层WS_2等,单层栅极绝缘层材料如TiO_2、Ta_2O_5等极少得到报道。我们利用Ta_2O_5纳米片集聚形成单层Fa_2O_5,其电学性能受到存在于Ta_2O_5中的电子缺陷非常严重的影响。因此,椭圆偏振光谱测量(椭偏法)被用于计算两个不同的氧空位的跃迁能量及对应的几率,X射线光电子能谱分析揭示了氧空位的存在。椭偏拟合同样计算出了单层Ta_2O_5(本文来源于《上海市激光学会2015年学术年会论文集》期刊2015-12-16）
徐凌燕[6]（2014）在《CdZnTe晶体中的深能级缺陷及其对光电性能的影响》一文中研究指出化合物半导体碲锌镉（CdZnTe，CZT）具有非常优异的光电性能，被认为是最有前途的室温核辐射探测器材料。生长态CZT晶体中不可避免的存在着大量的结构缺陷和杂质，在能带中引入陷阱能级。这些能级对载流子产生复合、俘获和散射等作用过程，从而影响载流子的寿命、迁移率等输运特性，最终影响CZT探测器的能量分辨率、电荷收集效率等探测性能。本文以室温核辐射探测器用CZT晶体为研究对象，系统表征晶体材料中的深能级缺陷，深入理解这些缺陷能级对晶体光电性能以及CZT探测器性能的影响规律。在此基础上，有目标的实现晶体生长过程及后续处理工艺中对缺陷的有效控制，以获得高质量的CZT晶体，为高性能的CZT核辐射探测器的广泛应用奠定基础。采用热激电流谱（TSC）和热电效应谱（TEES）技术研究CZT晶体中的深能级缺陷，同时采用同步多峰分析法（SIMPA）进行详细的解谱分析，得到陷阱能级的电离能、俘获截面、浓度、缺陷类型等特征参数，实现了CZT晶体中缺陷能级的系统表征和量化描述。由于TSC/TEES测试系统的各个参数会对测试结果产生重要影响，本文对实验参数与实验过程进行了优化设计。采用TSC实验技术研究生长态晶锭头部、中部和尾部的CZT晶体中的缺陷能级，揭示了缺陷能级的轴向分布规律和晶体电学性能的轴向分布规律。实验发现，晶锭尾部的CZT晶体中，Te反位缺陷相关的深施主能级的浓度明显高于头部晶体中的值。晶锭头部的CZT晶体中，电子的Hall迁移率约为467cm2V-1s-1，明显高于尾部晶体中的值（~394cm2V-1s-1）。采用TSC实验技术研究THM法和MVB法得到的CZT晶体中的缺陷能级，揭示了不同晶体生长方法对缺陷能级和晶体电学性能的影响。MVB法生长的CZT晶体中，Te反位缺陷相关的深施主能级占主导作用，缺陷能级之间的补偿得到低浓度（~7.13×105cm-3）的净自由电子，从而获得n型导电和高电阻率（~1.34×1010Ωcm）。THM法生长的CZT晶体中，Te间隙缺陷相关的深受主能级占主导作用，缺陷能级之间的补偿得到浓度相对较高（~5.31×107cm-3）的净自由空穴，从而获得p型导电和高电阻率（~1.92×109Ωcm）。采用TSC实验技术研究了不同迁移率的CZT晶体中的缺陷能级，探讨了缺陷能级对载流子迁移率的影响。实验测得高迁移率（848±42cm2/Vs）和低迁移率（337±17cm2/Vs）的CZT晶体中的缺陷能级总浓度分别约为2.0×1016cm-3和3.8×1017cm-3。基于Matthiesen理论，综合考虑各个散射机制对载流子迁移率的贡献，获得这两种CZT晶体中的电子迁移率的理论估算值分别约为1004cm2/Vs和352cm2/Vs。影响CZT晶体在室温下的电子迁移率的散射机制主要有两种：极性光学声子散射和电离杂质散射。当缺陷总浓度低于1.0×1015cm-3时，电子迁移率取决于极性光学声子散射；当缺陷总浓度高于1.0×1017cm-3时，电离杂质散射成为占主导作用的散射机制。采用改进的SRH复合模型，分析亚禁带光照条件下载流子在缺陷能级上的俘获、去俘获过程，揭示CZT晶体中的光照动力学过程。光电跃迁过程达到稳定的平衡状态时，CZT晶体中的深施主缺陷能级的电离概率约为0.98，而在暗场条件下，它的电离概率约为0.62。采用准欧姆定律、扩散理论、ITD混合模型，研究MSM结构的CZT探测器中的光电流-电压特性曲线和暗电流-电压特性曲线。有效体电阻率在光照条件下约为4.7×109Ωcm，而在暗场条件下约为3.0×1010Ωcm。空间电荷密度的平均值在光照条件下约为2.2×1012cm-3，而在暗场条件下约为2.5×1010cm-3。亚禁带光照条件下，CZT探测器能谱响应曲线中的主峰位置向道数较高的方向移动，显示出更好的电荷收集效率，电子的迁移率寿命积从暗场条件下的6.7×10-4cm2V-1增大到光照条件下的1.03×10-3cm2V-1，显示出更好的载流子输运特性。采用高能高剂量的γ射线作为辐照源，研究CZT晶体和CZT探测器的辐照损伤效应，涉及康普顿散射、卢瑟福散射、级联损伤等一系列的能量转移过程。采用TSC谱测试技术，研究高能γ射线辐照在CZT晶体中引起的缺陷能级分布特性的变化，位错相关的陷阱能级的浓度发生了明显的增加，Cd空位缺陷和缺陷复合体相关的陷阱能级，从辐照前的1.7×1011cm-3增大到辐照后的3.0×1012cm-3。Hall结果表明，辐照后的CZT晶体中，载流子从低浓度（~1.9×106cm-3）的净自由电子转变为高浓度（~1.7×1012cm-3）的净自由空穴，晶体导电类型从n型转变为p型。PL谱测试结果表明，发光峰的强度比值I(DComplex)/I(D0,X)，从辐照前的3.26增大到辐照后的10.38。探测器的能谱响应特性曲线显示，电子的迁移率寿命积从辐照前的1.08×10-3cm2V-1降低到辐照后的7.12×10-4cm2V-1。(本文来源于《西北工业大学》期刊2014-12-01）
冉启义,张耘[7]（2014）在《铌酸锂晶体中非本征缺陷Fe~(2+/3+)能级分布的第一性原理研究》一文中研究指出采用基于密度泛函理论的第一性原理研究了化学计量比铌酸锂晶体(SLN)的能带结构以及掺铁铌酸锂的铁离子能态.研究结果表明,SLN晶体的禁带主要决定于O2-的2p能态和Nb5+的4d能态.对掺铁(Fe)SLN晶体,Fe2+,Fe3+离子均可以占Li位;Fe3+离子可以占Nb位,而Fe2+离子不占Nb位,两种价态铁离子在占不同位置时能级最大有着0.41eV的差别.(本文来源于《西南大学学报(自然科学版)》期刊2014年05期）
滕家琪,闵嘉华,梁小燕,周捷,张涛[8]（2014）在《PICTS测试CdZnTe晶体中深能级缺陷》一文中研究指出详细阐述了光生电流瞬态谱(PICTS)的原理、结构和搭建过程,其中搭建过程中采用的激光器波长为730nm,功率为50 mW,测试温度范围在液氮温度至常温之间。利用低压垂直布里奇曼法制备了掺In的CdZnTe晶体样品,采用PICTS研究了样品中的主要缺陷能级,确定了能级位置在0.471 eV和0.15 eV的两个深中心,这两个缺陷分别可能是V2-Cd和A中心(In+Cd-V2-Cd)-。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2014年04期）
刘超铭[9]（2013）在《双极晶体管辐射损伤效应及深能级缺陷研究》一文中研究指出本文以双极晶体管为研究对象，通过辐照源特点及模拟计算分析，选取电子、质子、Co-60射线及重离子作为辐照源，研究了双极晶体管电离效应、位移效应及其协合效应的特点和电性能退化规律。基于双极晶体管辐射效应和电性能退化规律表征、深能级瞬态谱分析及退火效应研究3种技术途径，揭示了双极晶体管的电离效应、位移效应及电离/位移协合效应的机制，建立了双极晶体管电离损伤和位移损伤量化模型。研究结果表明，不同种类的辐照源辐照时，NPN和PNP型双极晶体管的电性能参数呈现类似的变化趋势，器件类型对电性能参数变化趋势的影响不大。电离辐射损伤条件下，双极晶体管的电性能参数退化随辐照注量逐渐趋于饱和。基于深能级瞬态谱(DLTS)分析结果可知，电离辐射损伤会在双极晶体管集电区产生类深能级缺陷信号，在NPN型晶体管集电区表现为多子俘获陷阱，在PNP型晶体管集电区表现为少子俘获陷阱。位移和电离/位移协合辐射损伤时，双极晶体管的电性能随辐照注量持续退化，未见饱和趋势。位移辐射损伤在双极晶体管集电区中产生的深能级缺陷以多子俘获陷阱为主。基于双极晶体管的电离损伤机制，构建了过剩基极电流的表达式，提出了双极晶体管电流增益随电离辐照注量变化的简化模型，与试验数据吻合良好。不同种类重离子辐照试验结果表明，在相同位移吸收剂量下，不同种类的重离子对双极晶体管所造成的电性能退化程度和深能级缺陷浓度不同。穿透能力较弱的粒子，易在射程末端产生级联效应，导致深能级缺陷浓度明显提高并加剧晶体管的电性能退化；而穿透力较强的离子，主要在入射路径周围产生空位及间隙原子，所产生的深能级缺陷的浓度较低，电性能退化程度较小。基于入射粒子在晶体管基区产生位移吸收剂量分布的不均匀性和电离效应的影响，提出了优化NIEL方法的新思路，建立了不同种类粒子位移损伤等效性转换关系，与试验结果吻合良好。经20MeV Br离子辐照的双极晶体管顺序进行110keV电子辐照时，随着电子辐照注量的增加，电流增益的退化先逐渐恢复后继续加剧。DLTS测试结果表明，当低能电子辐照注量较小时，有利于低能电子产生的电离损伤使重离子位移辐射缺陷信号部分恢复，导致双极晶体管的电流增益逐渐恢复；当低能电子注量较大时，低能电子电离辐射损伤效应增强，促进重离子位移辐射缺陷浓度明显增加和电流增益衰降。不同偏置条件下低能质子和电子顺序辐照试验结果表明，相同辐照注量条件下，双极晶体管发射结零偏时所受辐射损伤程度最大，发射结反偏时辐射损伤程度居中，发射结正偏时辐射损伤程度最小。偏置条件对电离/位移协合辐射效应的影响规律与其对位移辐射效应的影响相同。通过重离子或低能质子与低能电子进行综合辐照试验，揭示了双极晶体管电离损伤对位移损伤起退火和加剧两种作用机制。在等时退火过程中，经不同类型粒子辐照后的晶体管电性能参数随着退火温度的升高均逐渐恢复。当退火温度达到700K时，NPN和PNP型双极晶体管的电性能参数均可恢复至辐照前的水平。随着退火温度的升高，电离辐射损伤缺陷浓度逐渐降低。对于位移辐射损伤，退火温度较低时(<550K)，随着退火温度的升高，能级较深的缺陷浓度逐渐降低，而能级较浅的缺陷浓度逐渐升高；退火温度较高时(>550K)，随退火温度的升高，辐照缺陷浓度均逐渐降低。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2013-04-01）
罗文钦,陈学元[10]（2010）在《Er~(3+)掺杂TiO_2纳米发光材料:电子能级结构、激发态动力学和缺陷发光》一文中研究指出稀土掺杂TiO2纳米晶是一类新型的发光材料,在平板显示、光电子器件和荧光生物标记等方面有着广泛的应用前景。我们采用一种简易的溶胶-凝胶-溶剂热法实现了并(本文来源于《中国化学会第27届学术年会第12分会场摘要集》期刊2010-06-20）
缺陷能级论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
目的探讨分析能级管理在预防手术室护理缺陷中的运用。方法选取2016年4月到2017年9月205台手术,在手术室中实施常规管理措施;另外,再选取2017年11月到2018年4月289台手术,在手术室中实施能级管理;对比实施前与实施后的缺陷发生率的情况。结果在手术室中实施能级管理所发生的缺陷率为10.7%,未实施管理措施所发生的缺陷率为4.7%,实施后明显低于实施前,两组数据对比可知,存在明显的差异(P<0.05)。结论能级管理在预防手术室护理缺陷中具有积极的作用,一方面可以通过调整管理模式,合理、科学的安排人力资源,提高护理的安全性;另一方面,可以降低缺损率的发生,提高护理质量,该管理方法值得在临床上推广应用。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
缺陷能级论文参考文献
[1].商林太.有机材料中缺陷态对界面能级排列影响的研究[D].扬州大学.2019
[2].马巧智.能级管理在预防手术室护理缺陷中的运用探讨[J].实用临床护理学电子杂志.2019
[3].李月梅,李永梅,王锐,徐衍岭.实现基于缺陷能级稀土双掺氧化锌上转换发光（英文）[J].ScienceChinaMaterials.2017
[4].王若旻.电子辐照条件对n-Si二极管缺陷能级及性能影响的研究[D].北京工业大学.2017
[5].李大海,宋雄飞,胡林枫,王子仪,张荣君.单层二维Ta_2O_5中电子缺陷能级的研究[C].上海市激光学会2015年学术年会论文集.2015
[6].徐凌燕.CdZnTe晶体中的深能级缺陷及其对光电性能的影响[D].西北工业大学.2014
[7].冉启义,张耘.铌酸锂晶体中非本征缺陷Fe~(2+/3+)能级分布的第一性原理研究[J].西南大学学报(自然科学版).2014
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[9].刘超铭.双极晶体管辐射损伤效应及深能级缺陷研究[D].哈尔滨工业大学.2013
[10].罗文钦,陈学元.Er~(3+)掺杂TiO_2纳米发光材料:电子能级结构、激发态动力学和缺陷发光[C].中国化学会第27届学术年会第12分会场摘要集.2010