导读:本文包含了光学介质材料论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:金属光子晶体,光学透射率,光学反射
光学介质材料论文文献综述
赵亚丽,李旭峰,贾琨,马江将,李巧燕[1]（2018）在《一维金属介质光子带隙材料的光学特性（英文）》一文中研究指出本文描述了由不同厚度的ITO和Ag层制成的一维金属介质光子带隙材料1D M-D PBG的光学透射和反射特性。研究发现,单元尺寸小于80 nm的金属结构和较小的金属分数会导致光学透射率的提高。对于大于80 nm的单元尺寸,在可见光的低频和高频的频谱范围内反射率都相应增强。这是由于一种特殊结构和等离子体的带隙的作用。此外,在两个范围内的反射随着增加银膜厚度的增加而提高和扩大。结构引起的反射光谱随着单位尺寸的增大而增大,并且由于等离子体光子带隙的反射超出光学范围。研究结果对1D M-D PBG光学滤波器的设计有一定的参考价值。(本文来源于《光电工程》期刊2018年11期）
赵连娜,杨燕明[2]（2016）在《介质材料光学特性的研究》一文中研究指出利用传输矩阵方法研究了光波在一维周期性介电材料中的传播特性,并通过介质不同宽度的组合,达到过滤指定光波的性能。文章通过具体的分析,研究,充分利用了传输矩阵方法的优点,从而对介质材料光学特性进行具体研究。(本文来源于《科技创新与应用》期刊2016年14期）
潘继环,李志海,黄金玉[3]（2015）在《介质光学厚度对双负材料光子晶体透射峰带宽的调制》一文中研究指出采用传输矩阵法,通过编程计算模拟双负材料光子晶体(AB)mBCB(BA)m的透射谱,研究介质光学厚度对光子晶体带宽的调制机制,结果发现:当分别增大A或B介质层的光学厚度时,光子晶体的透射能带谱均向低频方向移动,且透射峰带宽均逐渐变窄,但透射峰的透射率保持100%不变;当C介质层光学厚度按负值减小时,光子晶体的透射能带谱则向高频方向移动,而透射峰的带宽也变窄且透射率保持100%;相对而言,B介质层光学厚度对带宽的调制最灵敏,A层次之,而C层最弱。介质光学厚度对双负材料一维光子晶体透射峰带宽的调制功能,为设计不同频率或波长范围的窄带滤波器、光开关等光学器件提供理论基础和现实指导意义。(本文来源于《河池学院学报》期刊2015年02期）
刘飞[4]（2014）在《金属纳米颗粒的结构及其介质复合材料的非线性光学性质研究》一文中研究指出本论文从实验方面对离子注入法制备的金属纳米颗粒的微观形貌和局域结构进行了研究,并探讨了不同离子注入条件下形成的金属纳米颗粒的非线性光学特性及变化。主要内容概括如下：1.以晶体和非晶体材料为基底,利用真空电弧离子注入法制备了多种不同的金属纳米颗粒-介质复合体系。通过透射电子显微镜和紫外-可见分光光度计对基底中的纳米颗粒进行了形貌特征和光谱吸收特性的表征。2.利用同步辐射扩展X射线吸收光谱技术研究了离子注入剂量对金属纳米颗粒的微观局域结构的影响,总结了其结构演变规律。3.利用Z-Scan方法研究了金属纳米颗粒对非晶体基底材料非线性光学特性的改性作用,并分析了在共振和非共振条件下金属纳米颗粒改性作用的差异。4.通过克尔自相关技术研究了金属纳米颗粒对晶体基底材料非线性光学折射的改性作用,并分析了不同种类金属纳米颗粒改性作用的区别。(本文来源于《武汉科技大学》期刊2014-05-18）
于国伟,屈小中,刘治田,金毕青,金熹高[5]（2013）在《聚合物介质对光学压力敏感材料光学性能的影响》一文中研究指出本文是关于聚合物影响光学-氧压敏感材料(pressure sensitive paint,PSP)之压力灵敏度的研究。PSP由氧敏感的发光探针和聚合物载体组成,材料的压力灵敏度既与发光探针有关,也与聚合物载体有关。本工作以铂-中位-四(五氟苯基)卟啉(PtTFPP)为发光探针,将它分别与四种聚合物即聚二甲基硅氧烷(PDMS)、聚甲基苯基硅氧烷(PMPS)、氟硅聚合物(PFS)和(本文来源于《2013年全国高分子学术论文报告会论文摘要集——主题F：功能高分子》期刊2013-10-12）
王奇思,孙健,马世红[6]（2012）在《基于彩虹光学原理测量介质材料折射率的新方法》一文中研究指出基于彩虹的光学原理,获得测量介质材料折射率的一种新方法,且在此基础上设计了一套适应该方法的实验测量装置.通过该装置,可以在实验室中简便地模拟彩虹中的光学现象,深刻地理解彩虹现象的光学本质,同时能够测量介质材料的折射率.(本文来源于《大学物理》期刊2012年02期）
邹定兵[7]（2009）在《基于离子液体为介质的无机微/纳米材料的制备及其光学性质研究》一文中研究指出绿色化学已成为当前化学研究的热点和前沿,是21世纪化学发展的重要方向。人们把传统的有机溶剂列入危害最大的化学物质之一,原因在于传统的有机溶剂通常都是具有很强挥发性的液体,难以保存;并且它们的使用量非常大。因此,寻找无公害的新型溶剂成为亟待解决的课题。近年来发展起来的离子液体能满足绿色化学的需要,因为离子液体(IonicLiquids,简写为ILs)是由有机阳离子和无机或有机阴离子构成,在室温或低于室温条件下呈液体状态的盐类,具有非挥发性或“零”蒸气压、宽液程、良好的离子导电性与导热性、高热稳定性以及选择性溶解力和可设计性等特点。并且,离子液体的多样性,加上各种特性的组合,使之构成大量性质及用途不同的功能材料和介质成为可能。目前,离子液体已被广泛应用于电化学、有机合成、催化、分析等诸多领域。相比较而言,离子液体在无机微/纳米材料合成中的应用尚处于起步阶段。本文报道了在合成了叁种常规离子液体的基础上,将其应用于四氧化叁钴(Co_3O_4)纳米立方体、钼酸镉(CdMoO_4)微米管、硫化锰(MnS)微米空心球等微纳米材料的辅助制备;并利用X-射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、傅里叶变换红外(FTIR)光谱、紫外-可见(UV-vis)光谱以及光致发光(PL)等手段对产物进行了表征。(1)以硝酸钴(Co(NO_3)_2)和双氧水(H_2O_2)为起始原料,采用离子液体[BMIM]OH辅助水溶液氧化路线,室温条件下成功制备出Co_3O_4纳米立方体。通过对比实验证明了离子液体在Co_3O_4纳米晶体的室温合成过程中起到了催化效果,并对其作用机理进行了探讨。结果表明,采用离子液体辅助法合成的Co_3O_4纳米立方体存在明显的量子限域效应,其光学带隙为E_(g1)=3.28 eV和E_(g2)=1.32 eV,分别对应于O~(2-)-Co~(2+)电荷迁移和O~(2-)-Co~(3+)电荷迁移。(2)以离子液体[BMIM]Cl与氯化镉(CdCl_2)在常温常压下反应生成的棒状先驱物为自牺牲模板,钼酸钠(Na_2MoO_4)为钼源,60℃下成功合成出由CdMoO_4微米球自组装而成的微米空心管。详细研究了离子液体的用量、反应时间以及反应温度等参数对最终产物的组成、结构和形貌的影响,并在此基础上提出了反应机理。研究发现,具有管状结构的CdMoO_4样品具有新颖的光学性能。(3)以常见的小分子生物试剂L-半胱氨酸(HSCH_2CH(NH_2)COOH)作为硫源,醋酸锰(Mn(CH_3COO)_2)为锰源,采用离子液体[BMIM]Cl辅助水热法分别在180℃和200℃下合成出由纳米棒组装而成的γ-MnS中空微米球和由多面体组成的α-MnS空心微米球。通过控制反应温度和时间等参数,证实稳定态α-MnS微米空心球的形成过程经历了两个阶段:首先,以γ-MnS空心球为模板原位生长为α-MnS实心微米球;接着,生成的α-MnS实心微米球经过Ostwald熟化过程成长为空心球结构。在此基础上,我们提出了离子液体辅助条件下MnS晶相、形貌的控制合成机制,并对产物的光学性质进行了研究。(本文来源于《浙江师范大学》期刊2009-04-15）
李玉香[8]（2007）在《高K介质材料偏氟乙烯和叁氟乙烯共聚物光学和电学性质的研究》一文中研究指出半个多世纪以来，无机硅基半导体，特别是集成电路一直是微电子工业的脊柱。在摩尔定律的驱动下，集成电路的特征尺寸逐渐缩小，传统的硅基半导体材料(如SiO_2)达到了它的厚度极限，漏电流随着厚度的减小而指数增加。制造工艺复杂化和高的成本也使无机硅半导体工业的发展受到限制。目前，大量的研究集中在由具有高介电常数(K)的材料取代SiO_2(K=3.9)来增加它的使用厚度。同时，近年来有机薄膜场效应晶体管(OTFT)由于具有制造工艺简单、成本低、可与柔性衬底兼容、适合大面积生产等优点，使得它在大面积平板及柔性显示等领域有着广阔的应用前景。聚偏氟乙烯(PVDF)和它与叁氟乙烯的无规共聚物[P(VDF-TrFE)]因为同时具有独特的铁电、压电和热释电特性，自问世以来广泛地应用在医用超声、换能器、传感器和调制器等领域。作为铁电材料，P(VDF-TrFE)可以用在金属-铁电-绝缘层-半导体结构的非挥发性随机存取存储器中。作为高K聚合物绝缘材料，P(VDF-TrFE)可以用在金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)和OTFT中取代SiO_2，以实现柔性全有机大面积显示。P(VDF-TrFE)薄膜的光学和电学性质及厚度对制造和表征这些光电器件就显得极为重要。本论文中，摩尔比为50％的P(VDF-TrFE)共聚物薄膜是采用旋镀法从0.3-4.0wt％丁酮溶液制备的，所用衬底有单晶硅、SiO_2和石英玻片，转速为2000-8000rpm。镀在石英玻璃上膜的紫外-可见光(UV-Vis)吸收光谱表明P(VDF-TrFE)在1.5-4.5eV(830-280nm)光子能量范围内吸收较弱，可以看成近似透明薄膜。本论文首次用可变角度椭偏仪(SE)研究P(VDF-TrFE)旋镀膜的光学性质，Cauchy模型用于拟合SE数据得到薄膜的折射率和厚度(本论文中所研究的膜的厚度为8.6-249.8nm)。对镀在不同衬底(硅、自然SiO_2和热氧化SiO_2)上膜的研究表明衬底不影响P(VDF-TrFE)薄膜的折射率，而折射率随膜的厚度的增加而增加。Bruggeman有效中值近似(BEMA)结合原子力显微镜(AFM)研究表明表面粗糙度对厚度小于20nm的薄膜有一定的影响，当在模型中加BEMA层时，对8.6nm薄膜来说厚度减少0.3nm，折射率增加0.004。在65°、70°和75°叁个入射角测得的SE表明厚度大于120nm的膜具有一定的面外各向异性，入射角为65°和75°时的n在3.0eV(415nm)时的差值为0.0033，单轴各向异性层可以优化Cauchy模型，使均方误差(MSE)从15.4降到5.1。真空退火可以去除薄膜中残留的溶剂，改善薄膜的结晶性。当P(VDF-TrFE)薄膜在～7×10~(-4)Pa真空中退火2hr，折射率随着退火温度的增加而增加，薄膜的各向异性随着退火温度的增加而增强；当P(VDF-TrFE)薄膜在～7×10~(-4)Pa和125℃时退火2-120hr，薄膜的折射率和各向异性随着退火时间的增加而增加/增强。退火后P(VDF-TrFE)薄膜结构的有序性和结晶度的提高从X-射线衍射(XRD)谱得到验证，β晶相的(110)和(200)晶面在20=18.5°-20.5°的衍射峰强度随退火时间的增加而增强。为了研究P(VDF-TrFE)薄膜的电学性质，我们制备了Al-P(VDF-TrFE)-Si(MPS)或Al-P(VDF-TrFE)-SiO_2/Si(MPOS)结构的电容器，分别用电容-电压(C-V)和电导-电压(G(ω)-V)法测量了P(VDF-TrFE)的介电常数和P(VDF-TrFE)-Si的界面特性。C-V曲线向负压方向超过-1.0V的偏移和小的滞后表明P(VDF-TrFE)-Si界面附近有少量正电荷存在。对56nm P(VDF-TrFE)薄膜，K=7.3，等效氧化层厚度是29nm，大约是P(VDF-TrFE)薄膜厚度的一半，中心带隙(-1.7-1.8V)的D_(it)为5.2×10~(12)cm~(-2)eV~(-1)，可与氢退火前SiO_2中心带隙的D_(it)(3.2×10~(12)cm~(-2)eV~(-1))相比拟。K对薄膜厚度的依赖性研究表明K随膜厚度的增加而增加，从26nm时的5.2增加到247nm时的8.0，但其中膜的厚度较小时K增加的较快，在厚度为120nm时K达到7.8，此后K变化较慢，这与P(VDF-TrFE)薄膜的光学性质对膜厚度的依赖性研究一致。对镀在～39nm SiO_2/Si衬底上～160nm P(VDF-TrFE)薄膜在～7×10~(-4)Pa真空和125℃条件下退火不同时间后的研究表明K随退火时间的增加而增加，但开始时K增加的较快，24hr(K=9.2)以后增加缓慢，最后在120hr达到K=9.7，这是由于退火后P(VDF-TrFE)薄膜密度增加和分子排列的有序性和结晶度的提高。对漏电流密度(J)随电场强度(E)变化的测量表明32和56nm P(VDF-TrFE)薄膜的漏电流密度(10~(-8)A/cm~2)略高于传统的栅极材料SiO_2(10~(-10)A/cm~2)，击穿电压(56nm时是7.4和-7.6V，32nm时是4.6和-7.4V)低于SiO_2(25和-24V)。在传统的无机半导体器件中，使用高K介质材料可以有比较高的电场通过半导体层，降低其工作电压，所以我们以P(VDF-TrFE)作栅介质材料，以聚邻甲氧基苯胺(POMA)和四羧基萘二酰亚胺衍生物(NDA-nl)为有机半导体，高掺杂的硅作衬底，真空蒸镀的金线作源极和漏极，制备了底部栅极结构的OTFT。对它们的输出特性和开启特性研究表明POMA和NDA-nl都表现出p-沟道半导体特性，根据开启曲线线性区的斜率计算而得的POMA和NDA-nl OTFT的场效应迁移率分别为7×10~(-5)和3×10~(-4)cm~2V~(-1)s~(-1)。OTFT器件在适当的温度下进行真空退火后其场效应迁移率有不同程度的提高，说明在POMA和NDA-nl OTFT中电荷的输运是一种跳跃式输运过程。以P(VDF-TrFE)作栅介质材料的OTFT其场效应迁移率比较低可能是因为P(VDF-TrFE)分子高的界面极性，因为介质材料的界面极性影响有机半导体层的表面形态和活性层中电子态的分布，使电荷的输运更加困难。为了验证这一假设，我们用两个不同的栅介质材料代替P(VDF-TrFE)：一是非极性低K聚乙烯(PE，K=2.3)，另一个就是传统栅介质材料SiO_2(极性，K=3.9)。结果表明无论以SiO_2还是PE作栅介质材料时，其场效应迁移率都有一定的提高，以非极性、低K PE作栅介质材料时场效应迁移率最大，POMA和NDA-nl OTFT的迁移率分别达1×10~(-2)和6×10~(-3)cm~2V~(-1)s~(-1)。但也不是所有的低K介质材料都像PE那样使OTFT的迁移率提高，并且介质材料的非极性降低了它的润水能力，使它与半导体层的兼容性降低。因此，在选择介质材料时，要综合考虑它的介电常数和润水特性。超临界CO_2(scCO_2)因为低粘度、低的反应性、低的界面张力和对环境没有污染等优点而作为热氧化SiO_2薄膜的蚀刻介质。为了更好地估计SiO_2薄膜在HF/吡啶/scCO_2蚀刻液中完全蚀刻所用的时间，我们研究了HF的浓度为150、500、750和1000μM、反应室温度为35℃、45℃和55℃、scCO_2的压力为1.38×10~7Pa时SiO_2的蚀刻速度，结果表明SiO_2的蚀刻速度随HF浓度和蚀刻温度的增加而增加，但温度对它的影响较大，在HF浓度为1000μM，温度为55℃时蚀刻速度最大，略大于50(?)/min。电容-电压、电导-电压和漏电流-电压特性的测量是在Al-SiO_2-Si结构电容器上进行的，该SiO_2是被完全蚀刻后在硅表面上再生长而得的。倒S形的高频C-V曲线表明HF/吡啶/scCO_2蚀刻液对Si表面没有有害影响，相近的C-V曲线偏移表明不同的蚀刻时间和浓度没有影响Si-SiO_2界面性质。就界面电子态来说，各完全蚀刻样品的Si-SiO_2界面与蚀刻前的样品相似。旋镀在Si和SiO_2衬底上的P(VDF-TrFE)薄膜在scCO_2中进行了处理，温度为35℃，压力为8.3×10~6Pa，达到平衡后的处理时间为30s。scCO_2处理之前，P(VDF-TrFE)薄膜先在～7×10~(-4)Pa真空中125℃退火24hr。在MPS或MPOS电容器上的电容-电压和电导-电压特性测量表明scCO_2处理后P(VDF-TrFE)薄膜折射率n和介电常数K几乎降到了真空退火前的数值。但是当在50℃退火17hr后，n和K又恢复到scCO_2处理前的水平，继续在125℃再退火24hr，n和K进一步增加。就界面电子态来说，scCO_2处理对Si-P(VDF-TrFE)界面没有影响。(本文来源于《山东大学》期刊2007-04-08）
李锡善,李萍[9]（2006）在《光学介质中的微小光程差测量——光学材料测量技术发展和展望》一文中研究指出光学科学在现代科学技术中占有非常重要地位,尤其是激光出现以后,随着光存储、光通信等高新技术及其相关产业的诞生,从而使光学在诸多学科领域身价倍增,使之在五十年代认为是"日暮途穷"的光学学科很快变成了生机勃勃极具生命力的学科,并大大促进了光产业的发展。估计全世界光产业近千亿美元,其中光存储、光通信和光显示约占500亿美元,半导体激光器件100亿美元。在光学技术和光学产业发展中,光学测量是起着十分重要作用,尤其是微小光程差的测量。不论是在大型光学工程、航空航天技术和材料科学发展中均有非常重要作用。光在介质中的传播不论在科学技术和日常生活中是随处可见的,由于光学介质内部不(本文来源于《第十一届全国光学测试学术讨论会论文（摘要集）》期刊2006-08-20）
严寒[10]（2005）在《光学材料 介质光学理论》一文中研究指出O435.1 2005064428 决定介质折射率因素的经典计算=Decisive factor of me- dium refraction index[刊,中]/刘建科(陕西科技大学理学 院．陕西,成阳(712081))//光学技术．-2005,31(4)．- 557-558,562 理论说明了介质折射率的物理意义,从经典概念出发(本文来源于《中国光学与应用光学文摘》期刊2005年06期）
光学介质材料论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
利用传输矩阵方法研究了光波在一维周期性介电材料中的传播特性,并通过介质不同宽度的组合,达到过滤指定光波的性能。文章通过具体的分析,研究,充分利用了传输矩阵方法的优点,从而对介质材料光学特性进行具体研究。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
光学介质材料论文参考文献
[1].赵亚丽,李旭峰,贾琨,马江将,李巧燕.一维金属介质光子带隙材料的光学特性（英文）[J].光电工程.2018
[2].赵连娜,杨燕明.介质材料光学特性的研究[J].科技创新与应用.2016
[3].潘继环,李志海,黄金玉.介质光学厚度对双负材料光子晶体透射峰带宽的调制[J].河池学院学报.2015
[4].刘飞.金属纳米颗粒的结构及其介质复合材料的非线性光学性质研究[D].武汉科技大学.2014
[5].于国伟,屈小中,刘治田,金毕青,金熹高.聚合物介质对光学压力敏感材料光学性能的影响[C].2013年全国高分子学术论文报告会论文摘要集——主题F：功能高分子.2013
[6].王奇思,孙健,马世红.基于彩虹光学原理测量介质材料折射率的新方法[J].大学物理.2012
[7].邹定兵.基于离子液体为介质的无机微/纳米材料的制备及其光学性质研究[D].浙江师范大学.2009
[8].李玉香.高K介质材料偏氟乙烯和叁氟乙烯共聚物光学和电学性质的研究[D].山东大学.2007
[9].李锡善,李萍.光学介质中的微小光程差测量——光学材料测量技术发展和展望[C].第十一届全国光学测试学术讨论会论文（摘要集）.2006
[10].严寒.光学材料介质光学理论[J].中国光学与应用光学文摘.2005