导读:本文包含了电子倍增论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:盒栅式电子倍增器,电子轨迹,电子倍增器增益,CST模拟计算
电子倍增论文文献综述
王运佳,王一非,高连山[1]（2019）在《不同结构盒栅式电子倍增器模拟计算》一文中研究指出利用CST叁维电磁仿真软件对不同结构的盒栅式电子倍增器进行建模,采用控制变量的分析思想,模拟计算不同打拿极结构下的电子倍增器内电场分布、电子运动轨迹和倍增增益。数值仿真结果显示,不同结构打拿极电子倍增器内部电场稍有不同,并且导致倍增效益有所不同。在具有相同路径的8级打拿极结构的情况下,增益效果由强到弱的顺序为多边形、方形、弧形、叁角形。多边形打拿极在二次电子发射材料镀膜区域不同的情况下,电子倍增器的增益效果具有很大的差异。(本文来源于《真空科学与技术学报》期刊2019年08期）
李波,刘华昌,王云,吴小磊,瞿培华[2]（2019）在《CSNS-Ⅱ超导椭球腔的高频设计和二次电子倍增研究》一文中研究指出中国散裂中子源二期(China Spallation Neutron Source,CSNS-Ⅱ)升级,直线加速器能量增益将由现在的80 MeV提高到300 MeV,打靶束流功率由100 kW提高到500 kW。直线加速器升级采用Spoke腔加椭球腔的全超导结构,其中5-cell椭球腔负责把H-从150 MeV加速到300 MeV,工作频率为648 MHz,几何βg(βgλ/2为椭球腔单元长度,λ为工作波长)取0.60。利用叁维全波电磁场仿真软件CST (Computer Simulation Technology)对该椭球腔进行了研究分析,优化了椭球腔的高频参数和几何尺寸,使得轴向电场平整度、峰值电场比、峰值磁场比分别达到98.2%、2.70和4.89 m T?(MV/m)-1,R/Q值为305.59Ω。通过计算分析椭球腔的二次电子倍增效应,对发生二次电子倍增严重的地方进行了形状改良,减弱二次电子倍增,并且加速梯度在8 MV?m-1以上完全抑制了二次电子倍增。另外,对椭球腔的洛伦兹力进行了初步计算分析。(本文来源于《核技术》期刊2019年08期）
林焱剑[3]（2019）在《均匀面电子源和通道式电子倍增器性能研究》一文中研究指出微通道板(MCP)在制作过程中微通道内表面会吸附大量气体,这些气体会导致MCP的寿命缩短、噪声增加、灵敏度下降。为了满足大尺寸微通道板的性能测试和电子清刷除气处理的需求,设计了一种电子枪,可以产生尺寸大、均匀性好、动态范围宽的平面电子源。该电子枪采用功函数较低的钽丝,加工成盘香式结构,通过外加电场,使得出射后打到微通道板输入面上的电子源束流密度可调,均匀性优于90%,对于电子清刷12小时内的稳定性优于±0.1μA,动态范围达到7个数量级(10-12～10-5A)。经过大量实验测试表明,该电子枪可以满足微通道板电子清刷工艺和直流性能测试的需求。通道电子倍增器(CEM)可以直接探测电子、离子、X射线等带能粒子,是分析仪器、探测仪器等精密仪器的重要组成部分。为了合理使用和开发高性能CEM,需要搭建一套测试平台,可以对CEM的性能进行综合测试研究。本论文工作首先是测试CEM不同电压下的电阻;然后是测试CEM不同电压和输入电流的增益;最后是测试CEM不同电压下的单光电子电荷谱。测试结果表明:随着CEM电压的升高,电阻稳定在99MΩ;CEM直流增益达到了 106量级,随着输入电流的升高,增益呈下降趋势;脉冲增益达到了 108量级,2700V时FWHM为46.9%,随着CEM电压的升高,增益逐渐增大,FWHM逐渐减小。通过测试研究,本文设计的测试平台达到了评价CEM性能的目的。(本文来源于《广西大学》期刊2019-06-01）
王婧[4]（2019）在《单通道电子倍增器特性及性能测试分析》一文中研究指出单通道电子倍增器被广泛应用于各类精密分析仪器中,对其性能参数的测试是确保单通道电子倍增器性能良好的前提。设计了真空离子流实验装置对单通道电子倍增器进行实验测试,分析了其增益效果及暗电流,并测试了脉冲电子波形,实验结果表明,设计的实验能良好的完成单通道电子倍增器性能参数测试,测试结果性能指标满足出厂要求。(本文来源于《电子测试》期刊2019年09期）
董烨,刘庆想,庞健,周海京,董志伟[5]（2018）在《二次电子倍增对射频平板腔建场过程的影响》一文中研究指出建立了射频平板腔动态建场等效电路以及腔体双边二次电子倍增的混合物理模型,利用自主编制的1D3V-PIC二次电子倍增程序和射频平板腔动态建场全电路程序,研究分析了不同腔体Q值情况下二次电子倍增对射频平板腔动态建场过程的影响.数值模拟表明:射频平板腔建场过程中不存在二次电子倍增的情况下,腔体Q值越高,建场时间越长,注入能量等于腔体储能和腔体耗能,建场前期腔体储能速度快于耗能速度,建场后期腔体耗能速度快于储能速度,建场成功后平均腔体消耗功率与平均注入功率相等.射频平板腔建场过程中存在二次电子倍增情况下,腔体Q值越高,进入二次电子倍增的时刻越晚,二次电子倍增作用时间越长;二次电子发射面积越大,二次电子电流峰值越高.二次电子倍增的持续加载,最终会导致射频平板腔建场过程的失败;腔体Q值越高或二次电子发射面积越大,射频平板腔建场成功的概率越低.相关模拟结果可为工程设计提供一定的参考.(本文来源于《物理学报》期刊2018年17期）
余达,刘金国,何昕,何家维,陈佳豫[6]（2018）在《基于电子倍增的高光谱成像链模型的系统信噪比分析》一文中研究指出高光谱成像的应用效果非常依赖于所获取的图像信噪比(SNR)。在高空间分辨率下,帧速率高、信噪比低,由于光谱成像包含了两维空间-光谱信息,不能使用时间延迟积分(TDI)模式解决光能量弱的问题;目前多采用摆镜降低应用要求,但增加了体积和质量,获取的图像不连续,且运动部件降低了航天的可靠性。基于此,将超高速电子倍增与成像光谱有机结合,构建了基于电子倍增的高分辨率高光谱成像链模型,综合考虑辐射源、地物光谱反射、大气辐射传输、光学系统成像、分光元件特性、探测器光谱响应和相机噪声等各个环节,可用于成像链路信噪比的完整分析。采用LOWTRAN 7软件进行大气辐射传输计算,对不同太阳高度角和地物反射率计算像面的照度,根据电子倍增电荷耦合器件(EMCCD)探测器的噪声模型,计算出不同工作条件下的SNR。对SNR的分析和实验,选择适当的电子倍增增益,可使微弱光谱信号SNR提高6倍。(本文来源于《光学学报》期刊2018年11期）
周吉强[7]（2018）在《EBAPS中电子倍增层增益特性测试系统的研究》一文中研究指出随着数字微光技术的快速发展,电子轰击有源像素传感器(Electron Bombarded Active Pixel Sensor,EBAPS)以其高灵敏度、数字化、低噪声、低功耗和体积小等优势,成为最具前景的微光像素传感器,已成为国内外微光成像领域研究的热点。EBAPS的性能受电子倍增层增益特性的影响很大,但国内尚无有效的评价手段能够用于EBAPS中电子倍增层的测量,本文围绕着EBAPS中电子倍增层增益测试技术展开初步研究,对EBAPS中电子倍增层增益测试系统所需的脉冲电子源、前端电子学系统和后端数据采集系统进行研究。首先对EBAPS中电子倍增层的增益原理进行了分析,针对该增益特性,进行测试系统方案的设计。测试系统主要包括:真空系统、脉冲电子源、前端电子学和数据采集四个部分。脉冲电子源由灯丝、灯丝电源、栅极、加速高压电源、脉冲偏压电源组成,为测试系统提供稳定的脉冲电子束。前端电子学部分本文首先对分离式电荷灵敏放大电路进行理论分析和电路仿真。其次,对极零相消电路、高斯成型电路等信号调理电路进行了设计与仿真。在数据采集模块设计了具有峰值保持的FPGA后端数据采集系统,实现了对快速窄脉冲的数据采集。随后,本文对电荷灵敏放大电路和脉冲电子源进行了相应的性能测试,测试的结果表明,所设计的电荷灵敏放大电路和脉冲电子源达到了测试系统的基本要求。最后,搭建了EBAPS中电子倍增层测试平台,对65μm的电子倍增层进行了增益测试实验,结果表明,随着入射能量的增大,电子倍增层的增益也会随之增大,得出掺杂浓度在10~(15)个/cm~3、基底厚度为65μm的电子倍增层的电荷收集效率为3.6%,与前期仿真结果基本相符,验证了整个系统满足设计要求,该系统可为今后高性能的EBAPS电子倍增层的制备提供技术支持。(本文来源于《长春理工大学》期刊2018-06-01）
董烨,刘庆想,李相强,周海京,董志伟[8]（2018）在《新型二次电子倍增阴极的蒙特卡罗模拟研究》一文中研究指出提出了一种新型二次电子倍增阴极强流二极管,并对其进行了动力学理论简化模型和蒙特卡罗数值模拟的对比验证研究。首先,基于设计结构原型,根据二次电子发射特性进行合理简化,建立了动力学模型,获得了电子速度、位移以及渡越时间的解析结果,并结合Vaughan的二次电子产额模型,确定了该新型二次电子倍增阴极强流二极管的理论工作区间;其次,理论分析了施加径向电场的重要意义,并给出了二次电子运动特征参数(最大位移、渡越时间、碰撞能量等)的理论预估结果;最后,对该新型二次电子倍增阴极强流二极管进行了蒙特卡罗模拟研究,获得了电子的运动轨迹、碰撞能量以及二次电子倍增工作区间等物理图像,并将蒙特卡罗数值模拟结果与理论结果进行了比对,两者吻合程度较好,对可能的误差来源进行了分析讨论。理论和模拟结果表明:新型二次电子倍增阴极强流二极管概念可行,工作区间内通过调整施加电场与磁场幅值,可有效达到电子运动状态可控的目标。另外,理论粗估了二次电子倍增饱和条件下的阴极发射电流密度,结果表明:发射电流密度可达kA/cm~2水平,具备强流发射特性;增加外加径向场强幅值可有效提升发射电流密度。最后,对该新型二次电子倍增阴极设计步骤和依据进行了讨论。(本文来源于《强激光与粒子束》期刊2018年06期）
梁聃[9]（2018）在《单通道电子倍增器的测试研究》一文中研究指出单通道电子倍增器(Single-Channel Electron Multiplier,CEM)是一种用于放大微弱信号的新型探测器,其拥有增益高、噪声低等特性,为应用于各种精密分析谱仪当中提供了强有力的技术支撑。由于CEM的参数直接影响其使用性能,针对此问题,本论文提出一种对极微弱离子流检测的方式,通过测试真空下离子流的实验装置来探测单通道电子倍增器的性能参数。本实验利用CEM针对离子流进行探测,通过对其输出信号进行系统的理论研究,从而设计出相应的前置放大器与之配合,并针对各个放大器噪声进行分析并提出消除对应噪声的理论,通过实验的方式对离子流进行检测,再对实验结果进行分析,针对后续CEM测试限制最高电压、模拟增益特性、供电电源以及探测器屏蔽的不同连接方式等进行了改善,对计数模式以及相关测试分析加以优化,根据CEM的特性以及相关测试系统,设计出相对合理的测试方案以及方法,以完成对单通道电子倍增器的测试研究。(本文来源于《长春理工大学》期刊2018-03-01）
陈一鸣[10]（2018）在《电子倍增CCD成像系统调制传递函数测量及优化方法》一文中研究指出电子倍增CCD(EMCCD)成像系统的调制传递函数(MTF)是EMCCD成像系统成像性能的关键指标,优化成像系统的MTF能够提高成像系统的分辨力。EMCCD成像系统在夜间侦察、生物观测、航天探测和遥感导航这些领域发挥着重大的作用。因此测量和优化成像系统的MTF会影响诸多领域的发展。本文针对EMCCD成像系统MTF的测量和优化方法进行以下几个方面的研究:本文针对EMCCD器件的工作原理和成像系统的工作过程,搭建模型分析了EMCCD成像系统MTF的影响因素;在研究EMCCD成像系统影响因素的测试方法后,搭建测试系统,编写系统控制和数据处理程序,完成对EMCCD成像系统MTF影响因素的测量;搭建倾斜刀口法测量成像系统MTF的测试系统。通过MTF测试系统分析EMCCD器件的采样积分、量子效率、电荷转移效率和电子倍增增益对成像系统MTF的影响。本文通过对滨松C9100 EMCCD相机和安道尔Luca EMCCD相机进行测试,得到成像系统的MTF会随着成像探测器采样间隔的增大而变小;根据量子效率的测试结果和量子效率对EMCCD成像系统MTF的影响,得出高量子效率的EMCCD器件会提升成像系统的MTF。通过对比成像系统在不同积分时间时的MTF曲线,得出当积分时间超过100ms后,积分时间对成像系统的影响可以忽略;模拟放大和电子倍增放大这两种方式都会降低成像系统的MTF,低模拟增益时成像系统MTF优于电子倍增增益时。在进行微光探测时先增加积分时间,然后设置低倍数的模拟增益,最后开启电子倍增增益,这种方式成像系统的MTF最高。(本文来源于《南京理工大学》期刊2018-03-01）
电子倍增论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
中国散裂中子源二期(China Spallation Neutron Source,CSNS-Ⅱ)升级,直线加速器能量增益将由现在的80 MeV提高到300 MeV,打靶束流功率由100 kW提高到500 kW。直线加速器升级采用Spoke腔加椭球腔的全超导结构,其中5-cell椭球腔负责把H-从150 MeV加速到300 MeV,工作频率为648 MHz,几何βg(βgλ/2为椭球腔单元长度,λ为工作波长)取0.60。利用叁维全波电磁场仿真软件CST (Computer Simulation Technology)对该椭球腔进行了研究分析,优化了椭球腔的高频参数和几何尺寸,使得轴向电场平整度、峰值电场比、峰值磁场比分别达到98.2%、2.70和4.89 m T?(MV/m)-1,R/Q值为305.59Ω。通过计算分析椭球腔的二次电子倍增效应,对发生二次电子倍增严重的地方进行了形状改良,减弱二次电子倍增,并且加速梯度在8 MV?m-1以上完全抑制了二次电子倍增。另外,对椭球腔的洛伦兹力进行了初步计算分析。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
电子倍增论文参考文献
[1].王运佳,王一非,高连山.不同结构盒栅式电子倍增器模拟计算[J].真空科学与技术学报.2019
[2].李波,刘华昌,王云,吴小磊,瞿培华.CSNS-Ⅱ超导椭球腔的高频设计和二次电子倍增研究[J].核技术.2019
[3].林焱剑.均匀面电子源和通道式电子倍增器性能研究[D].广西大学.2019
[4].王婧.单通道电子倍增器特性及性能测试分析[J].电子测试.2019
[5].董烨,刘庆想,庞健,周海京,董志伟.二次电子倍增对射频平板腔建场过程的影响[J].物理学报.2018
[6].余达,刘金国,何昕,何家维,陈佳豫.基于电子倍增的高光谱成像链模型的系统信噪比分析[J].光学学报.2018
[7].周吉强.EBAPS中电子倍增层增益特性测试系统的研究[D].长春理工大学.2018
[8].董烨,刘庆想,李相强,周海京,董志伟.新型二次电子倍增阴极的蒙特卡罗模拟研究[J].强激光与粒子束.2018
[9].梁聃.单通道电子倍增器的测试研究[D].长春理工大学.2018
[10].陈一鸣.电子倍增CCD成像系统调制传递函数测量及优化方法[D].南京理工大学.2018