导读:本文包含了甚高频化学气相沉积论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:微晶硅薄膜,椭偏光谱法,生长指数,表面粗糙度
甚高频化学气相沉积论文文献综述
丁艳丽,朱志立,谷锦华,史新伟,杨仕娥[1]（2010）在《沉积速率对甚高频等离子体增强化学气相沉积制备微晶硅薄膜生长标度行为的影响》一文中研究指出本文采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了沉积速率系列不同生长阶段的微晶硅薄膜,通过椭圆偏振技术研究了生长过程中微晶硅薄膜表面粗糙度的演化.实验结果表明:沉积速率为0.08和0.24nm/s的低速沉积时,硅薄膜表面粗糙度接近,生长指数分别为β=0.21和β=0.20,对应有限扩散生长模式,此时沉积速率对硅薄膜生长影响不大,原因是低速沉积时成膜先驱物有足够时间迁移到能量低的位置;当沉积速率增加到0.66nm/s时,硅薄膜表面粗糙度明显增加,生长指数β=0.81,大于0.5,出现了异常标度行为,与低速沉积的生长模式明显不同,原因是高速沉积时成膜前驱物来不及扩散就被下一层前驱物覆盖,降低了成膜前驱物在薄膜表面的扩散,使表面粗糙度增加和生长指数β增大.β大于0.5的异常标度行为与阴影效应有关.(本文来源于《物理学报》期刊2010年02期）
葛洪,张晓丹,岳强,赵静,赵颖[2]（2008）在《甚高频等离子体增强化学气相沉积大面积平行板电极间真空电势差分布研究》一文中研究指出采用二维准平面电路模型研究了甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)大面积平行板电极间真空电势差分布.计算结果表明:随平行板电极尺寸增加和激发频率提高,电势驻波效应成为影响电极间电势差非均匀分布的重要因素.在尺寸为1.2m×0.8m的大面积平行板电极上应用40.68和60MHz两种激发频率,通过功率馈入点数量和位置优化,计算获得非均匀性分别为±2.5%和±5.5%的真空电势差分布.这些数值计算结果为大面积平行板电极在VHF-PECVD中应用提供了重要的理论指导.(本文来源于《物理学报》期刊2008年08期）
张晓丹,赵颖,高艳涛,朱锋,魏长春[3]（2005）在《甚高频等离子体增强化学气相沉积制备微晶硅太阳电池的研究》一文中研究指出采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术成功地制备了不同硅烷浓度和辉光功率条件下的微晶硅电池 .电池的J V测试结果表明 :在实验的硅烷浓度和功率范围内 ,随硅烷浓度的降低和功率的加大 ,对应电池的开路电压逐渐变小 ;硅烷浓度的不同对电池的短路电流密度有很大的影响 ,但功率的影响在实验研究的范围内不是很显着 .对于微晶硅电池 ,N层最好是非晶硅 ,这是因为一方面可以降低对电流的横向收集效应 ,另一方面也降低了电池的漏电概率 ,提高了电池的填充因子 .(本文来源于《物理学报》期刊2005年04期）
杨恢东,吴春亚,赵颖,薛俊明,耿新华[4]（2003）在《甚高频等离子体增强化学气相沉积法沉积μc-Si∶H薄膜中氧污染的初步研究》一文中研究指出对不同的本底真空条件下 ,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积的氢化微晶硅 (μc_Si∶H)薄膜中的氧污染问题进行了比较研究 .对不同氧污染条件下制备的薄膜样品的x射线光电子能谱与傅里叶变换红外吸收光谱测量结果表明 :μc_Si∶H薄膜中 ,氧以Si—O ,O—O和O—H叁种不同的键合模式存在 ,不同的键合模式源自不同的物理机理 .μc_Si∶H薄膜的Raman光谱、电导率与激活能的测量结果进一步显示 :沉积过程中氧污染程度的不同 ,对 μc_Si∶H薄膜的结构特性与电学特性产生显着影响 ;而不同氧污染对 μc_Si∶H薄膜电学特性的影响不同于氢化非晶硅 (a_Si:H)薄膜 .(本文来源于《物理学报》期刊2003年11期）
甚高频化学气相沉积论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
采用二维准平面电路模型研究了甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)大面积平行板电极间真空电势差分布.计算结果表明:随平行板电极尺寸增加和激发频率提高,电势驻波效应成为影响电极间电势差非均匀分布的重要因素.在尺寸为1.2m×0.8m的大面积平行板电极上应用40.68和60MHz两种激发频率,通过功率馈入点数量和位置优化,计算获得非均匀性分别为±2.5%和±5.5%的真空电势差分布.这些数值计算结果为大面积平行板电极在VHF-PECVD中应用提供了重要的理论指导.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
甚高频化学气相沉积论文参考文献
[1].丁艳丽,朱志立,谷锦华,史新伟,杨仕娥.沉积速率对甚高频等离子体增强化学气相沉积制备微晶硅薄膜生长标度行为的影响[J].物理学报.2010
[2].葛洪,张晓丹,岳强,赵静,赵颖.甚高频等离子体增强化学气相沉积大面积平行板电极间真空电势差分布研究[J].物理学报.2008
[3].张晓丹,赵颖,高艳涛,朱锋,魏长春.甚高频等离子体增强化学气相沉积制备微晶硅太阳电池的研究[J].物理学报.2005
[4].杨恢东,吴春亚,赵颖,薛俊明,耿新华.甚高频等离子体增强化学气相沉积法沉积μc-Si∶H薄膜中氧污染的初步研究[J].物理学报.2003