导读:本文包含了低温自缓冲层论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:PbSe,量子点,太阳能电池
低温自缓冲层论文文献综述
朱孟花,唐江[1]（2019）在《高效PbSe量子点太阳能电池采用低温溶液过程SnO_2为缓冲层》一文中研究指出硒化铅(PbSe)量子点具有禁带宽度可调,吸光系数大及多重激子效应等特性,被广泛应用到太阳能电池中。然而,硒化铅太阳能电池多采用高温过程制备氧化锌为电子传输层,其制备工艺复杂,电池稳定性差,限制了其在光伏领域的应用。低温制备的SnO_2具有较合适的带隙和更高的电子迁移率,可以增强PbSe向电子传输层的电荷转移,减少界面电荷积聚。因此,我们采用了低温溶液过程制备了氧化锡电子传输层。同时,为了解决硒化铅量子点在空气中的稳定性及提高电池效率等问题,我们通过使用碘化铅溶液与表面含镉的硒化铅量子点之间进行相交换,在硒化铅量子点表面形成更稳性的卤化物钝化层。这一方法有效的提高了硒化铅量子点在空气中的稳定性,同时增加了硒化铅量子点的荧光产率,组装结构为ITO/SnO_2/PbSe/PbS-EDT/Au的硒化铅量子点太阳能电池最高光电转化效率达9.59%。(本文来源于《第六届新型太阳能电池材料科学与技术学术研讨会论文集》期刊2019-05-25）
于琪琪[2]（2018）在《超薄玻璃衬底上高质量ZnO缓冲层与GaN薄膜的低温生长》一文中研究指出柔性器件因其诸多优点和广阔的应用,已引起研究者们的广泛兴趣。研发柔性器件成为国际前沿课题。采用光电性能出色的GaN为p-n结材料、低成本大面积的超薄玻璃为柔性衬底,并开发出低温生长技术,将有助于研制大屏幕的柔性无机发光显示器件。由于玻璃是非晶态的,这使得其上生长的GaN薄膜结晶质量很差,出现表面粗糙、多晶结构等情形。考虑到ZnO与GaN具有相同的六方纤锌矿晶体结构和较小的晶格失配(<2%),采用ZnO为缓冲层在非晶玻璃上生长GaN薄膜。而玻璃低的软化温度又对生长技术提出了挑战,需要开发低温生长技术。利用脉冲激光沉积法对靶材的脉冲式供给,可提高薄膜前驱体在衬底上的表面迁移率,从而降低生长温度。本论文以超薄玻璃为衬底,引入ZnO作为缓冲层,利用脉冲激光沉积法,探索GaN薄膜的低温生长技术。主要研究成果如下:1、采用脉冲激光沉积法,在超薄玻璃衬底上制备出具有c轴高度生长取向的ZnO缓冲层。通过控制变量法,分别研究了激光能量、衬底温度、激光频率、氧气压强对ZnO薄膜微观结构、表面形貌、内部缺陷、光学性质和电学性质的影响,探究其中的物理机制,建立结构与物性之间的对应关系。结果表明,通过优化生长条件,获得的ZnO薄膜具有六方纤锌矿结构,沿c轴高度取向生长,膜面光滑平整、均匀致密,结晶质量良好,内部的氧空位等缺陷较少,载流子浓度与ZnO块体相比高出2个数量级,在300~1200 nm波段的平均透过率可达90%以上。2、在制得高质量ZnO缓冲层的基础上,进一步低温生长GaN薄膜。首先将沉积了GaN的样品与ZnO缓冲层和ZnON层相比较,从外观颜色、衍射峰位、断面分层和化学成分四个方面进行分析,最终确定了在ZnO缓冲层/玻璃衬底上形成的是GaN薄膜。随后,研究了不同氮气压强下的后退火处理、离子活化源辅助生长、不同氮气压强生长对GaN薄膜晶体结构和表面形貌的影响。结果表明,当退火的氮气压强为30 Pa时,薄膜的结晶质量较好,内应力最小,且薄膜表面颗粒均匀、致密。通过比较离子活化源辅助溅射和传统氮气气氛辅助溅射两种方法,发现传统氮气气氛辅助法制备的GaN薄膜更接近化学计量比。而对于不同氮气压强下生长的GaN薄膜(10~30 Pa N_2),20 Pa氮气压强下生长的样品晶粒尺寸较大,薄膜内应力较小,N/Ga比最接近于化学计量比,且GaN与ZnO明显分层,没有出现显着的原子扩散现象。本论文的研究工作可为进一步在超薄玻璃衬底上制备GaN基p-n结提供实验参考,从而为柔性非晶衬底上大面积无机发光显示器件的研制与低成本生产提供科学依据与技术支持。(本文来源于《上海师范大学》期刊2018-05-01）
张东,赵琰,宋世巍,李昱材,王健[3]（2017）在《低温缓冲层对金刚石衬底上GaN的沉积作用》一文中研究指出采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积技术,以自支撑金刚石厚膜作为衬底,改变缓冲层参数条件,低温沉积氮化镓(Ga N)薄膜材料。实验结束之后,利用反射高能电子衍射、X射线衍射和原子力显微镜系统性对实验制备的薄膜样品进行测试分析,探究引入低温缓冲层与无缓冲层以及改变缓冲层沉积温度对Ga N薄膜质量的影响。结果表明,低温缓冲层的制备,对后续的薄膜样品沉积制备起到减小晶格失配的作用,而且低温缓冲层沉积温度在100℃时,沉积制备的薄膜样品呈高度c轴择优取向,结晶性较好;薄膜表面平整。(本文来源于《中国粉体技术》期刊2017年06期）
周志文,叶剑锋,李世国[4]（2015）在《低温锗量子点缓冲层技术生长硅锗弛豫衬底研究》一文中研究指出为了提高生长在硅衬底上的硅锗弛豫衬底的质量,提出了低温锗量子点缓冲层技术,分析了该技术在应变弛豫的促进,表面形貌的改善,位错密度的降低等方面的作用机理。基于低温锗量子点缓冲层技术,利用超高真空化学气相淀积系统,在硅衬底上生长出高质量的硅锗弛豫衬底。锗组份为0.28,厚度不足380 nm的硅锗弛豫衬底,应变弛豫度达到99%,表面没有Cross-hatch形貌,表面粗糙度小于2 nm,位错密度低于105 cm-2。(本文来源于《深圳信息职业技术学院学报》期刊2015年03期）
李明阳,韩雪松,许新蕊,马春宇,杨利营[5]（2013）在《低温处理的TiO_2纳米颗粒薄膜作为缓冲层的有机光伏电池》一文中研究指出通过溶胶凝胶法(sol-gel)合成了TiO2纳米颗粒(NPs),制备了结构为ITO/PEDOT:PSS/P3HT:PCBM/TiO2/Al的有机太阳能电池(OSC)器件。通过优化阴极缓冲层TiO2NPs的热处理温度,考察了温度以及溶剂对TiO2 NPs薄膜的光学性能、形貌结构和电学性能的影响,并研究了其对OSC性能的影响及作用机理。实验发现,TiO2 NPs处理温度为80℃时,器件的效率达到了2.52%。相对于参比器件,器件的光电转换效率(PCE)、填充因子(FF)分别提高了60%、64.7%。(本文来源于《光电子.激光》期刊2013年09期）
张家奇,赵杰,刘超,崔利杰,曾一平[6]（2012）在《低温缓冲层对MBE生长ZnTe材料性能的改善》一文中研究指出研究了低温缓冲层对在GaAs(001)衬底上用分子束外延(MBE)生长ZnTe薄膜晶体质量的影响。发现插入低温缓冲层后ZnTe的结晶质量、表面形貌和发光质量都得到了显着的提高,双晶X射线摇摆曲线(DCXRC)的ZnTe(004)衍射峰半峰宽(FWHM)从529 arcsec减小到421 arcsec,表面均方根(RMS)粗糙度从6.05 nm下降到3.93 nm。而作为对比,插入高温缓冲层并不能对ZnTe薄膜的质量起到改善作用。基本上实现了优化工艺的目标并为研制ZnTe基光电器件微结构材料奠定了很好的实验基础。(本文来源于《半导体技术》期刊2012年01期）
吴猛,曾一平,王军喜,胡强[7]（2011）在《蓝宝石图形衬底上GaN低温缓冲层的研究》一文中研究指出低温下,在蓝宝石图形衬底上使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长低温GaN(LT-GaN)缓冲层,并对其表面形貌进行了细致的观察,发现了不同于已报道的GaN选择性成核生长现象。基于不同厚度的低温GaN缓冲层生长了n型GaN(n-GaN),发现过厚或者过薄的缓冲层都会对n-GaN晶体质量产生负面影响,并结合初始成核阶段进行了原因分析。制备了基于不同厚度的n-GaN的发光二极管(LED)样品,分析了GaN晶体质量对LED输出功率的影响。同时发现,晶体质量较差的时候,光提取效率可能主导着对LED器件性能的影响。(本文来源于《半导体技术》期刊2011年10期）
马李刚,马书懿,陈海霞,黄新丽[8]（2011）在《ZnO缓冲层上低温生长Al掺杂的ZnO薄膜》一文中研究指出采用射频磁控溅射法在ZnO缓冲层上制备了不同Al掺杂量的ZnO(AZO)薄膜。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)等表征技术,研究了AZO薄膜的微观结构、表面形貌和发光特性。结果表明,随着Al掺杂量的增加,ZnO薄膜的择优取向性发生了改变,且当Al的掺杂量为0.81%(原子分数)时,(002)衍射峰与其它衍射峰强度的比值达到最大,表明适合的Al掺杂使ZnO薄膜的择优取向性得到了改善。在可见光范围内薄膜的平均透过率超过70%。通过对样品光致发光(PL)谱的研究,发现所有样品出现了3个发光峰,分别对应于以444nm(2.80eV)、483nm(2.57eV)为中心的蓝光发光峰和以521nm(2.38eV)为中心较弱的绿光峰。并对样品的发光机理进行了详细的探讨。(本文来源于《功能材料》期刊2011年08期）
周志文,贺敬凯,李成,余金中[9]（2011）在《采用低温缓冲层技术在Si衬底上生长高质量Ge薄膜》一文中研究指出采用低温缓冲层技术,在Si衬底上生长了质量优良的Ge薄膜。利用原子力显微镜(AFM)、双晶X射线衍射(XRD)和拉曼散射等研究了薄膜的晶体质量。结果表明,由于无法抑制叁维岛状生长,低温Ge缓冲层的表面是起伏的。然而,Ge与Si间的压应变几乎完全弛豫。当缓冲层足够厚时,后续高温Ge外延层的生长能够使粗糙的表面变得平整。在90 nm低温Ge缓冲层上生长的210 nm高温Ge外延层,表面粗糙度仅为1.2 nm,位错密度小于5×105cm-2,XRD的峰形对称,峰值半高宽为460 arc sec。(本文来源于《光电子.激光》期刊2011年07期）
支安博,秦福文,白亦真[10]（2011）在《AZO薄膜作缓冲层对InN低温沉积的影响》一文中研究指出利用电子回旋共振-等离子增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)方法,在AZO薄膜(ZnO:Al)作缓冲层的玻璃衬底上采用两步法低温沉积了呈高度C轴择优取向的InN薄膜。利用反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(本文来源于《2011中国材料研讨会论文摘要集》期刊2011-05-17）
低温自缓冲层论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
柔性器件因其诸多优点和广阔的应用,已引起研究者们的广泛兴趣。研发柔性器件成为国际前沿课题。采用光电性能出色的GaN为p-n结材料、低成本大面积的超薄玻璃为柔性衬底,并开发出低温生长技术,将有助于研制大屏幕的柔性无机发光显示器件。由于玻璃是非晶态的,这使得其上生长的GaN薄膜结晶质量很差,出现表面粗糙、多晶结构等情形。考虑到ZnO与GaN具有相同的六方纤锌矿晶体结构和较小的晶格失配(<2%),采用ZnO为缓冲层在非晶玻璃上生长GaN薄膜。而玻璃低的软化温度又对生长技术提出了挑战,需要开发低温生长技术。利用脉冲激光沉积法对靶材的脉冲式供给,可提高薄膜前驱体在衬底上的表面迁移率,从而降低生长温度。本论文以超薄玻璃为衬底,引入ZnO作为缓冲层,利用脉冲激光沉积法,探索GaN薄膜的低温生长技术。主要研究成果如下:1、采用脉冲激光沉积法,在超薄玻璃衬底上制备出具有c轴高度生长取向的ZnO缓冲层。通过控制变量法,分别研究了激光能量、衬底温度、激光频率、氧气压强对ZnO薄膜微观结构、表面形貌、内部缺陷、光学性质和电学性质的影响,探究其中的物理机制,建立结构与物性之间的对应关系。结果表明,通过优化生长条件,获得的ZnO薄膜具有六方纤锌矿结构,沿c轴高度取向生长,膜面光滑平整、均匀致密,结晶质量良好,内部的氧空位等缺陷较少,载流子浓度与ZnO块体相比高出2个数量级,在300~1200 nm波段的平均透过率可达90%以上。2、在制得高质量ZnO缓冲层的基础上,进一步低温生长GaN薄膜。首先将沉积了GaN的样品与ZnO缓冲层和ZnON层相比较,从外观颜色、衍射峰位、断面分层和化学成分四个方面进行分析,最终确定了在ZnO缓冲层/玻璃衬底上形成的是GaN薄膜。随后,研究了不同氮气压强下的后退火处理、离子活化源辅助生长、不同氮气压强生长对GaN薄膜晶体结构和表面形貌的影响。结果表明,当退火的氮气压强为30 Pa时,薄膜的结晶质量较好,内应力最小,且薄膜表面颗粒均匀、致密。通过比较离子活化源辅助溅射和传统氮气气氛辅助溅射两种方法,发现传统氮气气氛辅助法制备的GaN薄膜更接近化学计量比。而对于不同氮气压强下生长的GaN薄膜(10~30 Pa N_2),20 Pa氮气压强下生长的样品晶粒尺寸较大,薄膜内应力较小,N/Ga比最接近于化学计量比,且GaN与ZnO明显分层,没有出现显着的原子扩散现象。本论文的研究工作可为进一步在超薄玻璃衬底上制备GaN基p-n结提供实验参考,从而为柔性非晶衬底上大面积无机发光显示器件的研制与低成本生产提供科学依据与技术支持。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
低温自缓冲层论文参考文献
[1].朱孟花,唐江.高效PbSe量子点太阳能电池采用低温溶液过程SnO_2为缓冲层[C].第六届新型太阳能电池材料科学与技术学术研讨会论文集.2019
[2].于琪琪.超薄玻璃衬底上高质量ZnO缓冲层与GaN薄膜的低温生长[D].上海师范大学.2018
[3].张东,赵琰,宋世巍,李昱材,王健.低温缓冲层对金刚石衬底上GaN的沉积作用[J].中国粉体技术.2017
[4].周志文,叶剑锋,李世国.低温锗量子点缓冲层技术生长硅锗弛豫衬底研究[J].深圳信息职业技术学院学报.2015
[5].李明阳,韩雪松,许新蕊,马春宇,杨利营.低温处理的TiO_2纳米颗粒薄膜作为缓冲层的有机光伏电池[J].光电子.激光.2013
[6].张家奇,赵杰,刘超,崔利杰,曾一平.低温缓冲层对MBE生长ZnTe材料性能的改善[J].半导体技术.2012
[7].吴猛,曾一平,王军喜,胡强.蓝宝石图形衬底上GaN低温缓冲层的研究[J].半导体技术.2011
[8].马李刚,马书懿,陈海霞,黄新丽.ZnO缓冲层上低温生长Al掺杂的ZnO薄膜[J].功能材料.2011
[9].周志文,贺敬凯,李成,余金中.采用低温缓冲层技术在Si衬底上生长高质量Ge薄膜[J].光电子.激光.2011
[10].支安博,秦福文,白亦真.AZO薄膜作缓冲层对InN低温沉积的影响[C].2011中国材料研讨会论文摘要集.2011