导读:本文包含了提升良率论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:柔性,AMOLED,叁星,Galaxy,摩托罗拉,华为,多层结构,中国电子报,供应链,显示功能
提升良率论文文献综述
王伟[1]（2019）在《柔性屏良率提升空间大 折迭屏手机量产仍需时日》一文中研究指出自叁星折迭屏手机Galaxy Fold测试机出现故障，叁星宣布延迟发售该型号之后。蛰伏数月，近日叁星Galaxy Fold又在中国官网上线并开通了用户预定通道。与此同时，最近有关折迭屏手机的相关消息也接踵而来，华为5G折迭屏手机Mate X重新拿到了工信(本文来源于《中国电子报》期刊2019-09-06）
李林杰,金琼,陈浩,刘园园[2]（2018）在《平台管理助推LCM良率提升的方法研究》一文中研究指出一、背景与目的公司转型期间,新产品数量增多,生产问题同时增多,管理者不能对整体情况再进行有效的掌控,部分不良分析组织在内部管理上已经转变为分组式的产品良率管理。但是由于分析组织之间又跨组织,而且分组式管理的水平又参差不齐,导致产品良率提升没有了主导者,组织之间协同作业差,分析组织的管理者也不能及时掌控产品的实际问题。此种情况下,如何整合公司各个部门资源一起努力以达到良率的健康指标呢?怎样才能使大家都参与(本文来源于《电子世界》期刊2018年20期）
李军,宾新凤,胡攀攀[3]（2018）在《基于IE的SKG童车外观一次良率提升研究》一文中研究指出根据对某公司型号为SKG的童车外观质量的调查研究,通过主次因素排列图找到影响产品外观质量的主要因素,参照因果分析图,运用"5M1E"分析法对主要因素进一步分析,找到影响产品外观质量的主要因素,然后通过不良品率控制图及正交试验法对这些因素进行改善。经改善后,实现产品一次良率由80.1%提升为91.4%,增加了11.3个百分点,验证了该改善方案的可行性。(本文来源于《企业科技与发展》期刊2018年04期）
[4]（2018）在《存储器大厂3D NAND良率提升NAND产能恐过剩》一文中研究指出受到部份零组件缺货影响,ODM/OEM厂2017年第四季PC出货不如预期,导致固态硬盘(SSD)需求急降,价格也一路走跌,2018年上半年NAND Flash市场供过于求已难避免。市调机构集邦预期,叁星、东芝等存储器大厂已拟定3DNAND扩产计划,新产能将在2019年后开出,届时NAND Flash市场将供过于求。SSD价格在2017年11月开始走跌,原因在于市场需求明显转淡,2.5英寸SATA 3介面120GB TLC SSD价格由40美元跌到年初的32美元,240GB(本文来源于《半导体信息》期刊2018年01期）
占永生[5]（2017）在《FG电子公司C产品良率的提升研究》一文中研究指出随着我国改革开放,消费性的电子产品从无变有,从弱变强,然而随着中国的经济不断发展,以及电子行业的迅速发展,消费性的电子产品已没有2010年左右那么大的利润空间,企业获利越来越少,特别是最近几年,许多制造企业获利降到5%以下。对于代工企业更是雪上加霜,只能挣取非常有限的人力成本,一不小心就会亏损,代工制造企业现在真的很难生存下去,需要提高自己企业产品的良率来提高获利的空间。因本人在台资企业上班,而我们公司主要是帮MS客户代工产品,本论文主要是研究我们公司帮MS客户代工的一个C机种,而提高C产品的良率及重测率的过程中,和本企业的文化、及代工的性质有一定的相适应性,只能作为在一个特定的环境下提高C产品良率的一个案例。本文主要是提高消费性电子产品的良率及重测率,依C产品游戏机手柄为案例,通过整个团队的共同努力,从设计、来料、SMT(Surface Mount Technology)贴片、组装等一系列的改善来提高产品的良率及重测率。而这个过程,从公司的SFC(System Floors Control)系统把各个机种的良率、重测率、不良现象、不良数量、测试各个产品的各站测试时间以及测试此台不合格品的人、设备、线体等,都可以清楚的记录在SFC内面,非常方便找到问题点,通过这些数据,运用QC七大手法等相关的品质工具来做细细的分析,找到相关真正的原因,通过团队的努力一起拟定对策,并经过相关的效果确认合格后,才形成公司的标准文件等,这样就可以非常有效的保障对策持续执行,避免相关的问题重复发生等。(本文来源于《南昌大学》期刊2017-05-01）
陈燊林[6]（2016）在《40纳米工艺PMOS漏电流检测分析与良率提升》一文中研究指出最近几十年来,半导体技术一直是遵循着摩尔定律的发展规律前进,新的工艺带来了芯片性能、面积和功耗等其他优势,促进着半导体行业和信息产业的不断发展。然而随着工艺尺寸不断减小,同时也带来了集成度、互联延时、串扰噪声、工艺偏差、电压降等各种问题,特别是40nm及以下的新工艺技术,成品率的提升成为新工艺量产最为棘手的问题,甚至是一代新工艺开发能否最终实现量产而最难以逾越的技术门槛。本文即是针对华力40nm新工艺量产化过程中出现的PMOS漏电流缺陷,重点研究了PMOS器件的漏电流缺陷机理及其良率提升的优化方案。在先进半导体制造工艺线上,影响产品良率的缺陷有很多,其中99%以上的缺陷都产生在工艺流程制造的表面部分,可以通过电子扫描显微镜等直接观察再通过工艺改进排除这些缺陷,然后有一小部分缺陷产生在工艺制造过程中或者说是看不见的缺陷。在40nmCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺中的接触孔化学机械抛光研磨工序后的电子束(E-Beam)电性检测中会发现一些看不见的PMOS漏电流缺陷,导致芯片数据记忆力保存失效等问题,这使得良率提升和缺陷分析更加困难。本论文以此缺陷失效为研究样品,首先从良率检测过程中,发现了“数据保存1失效”,以此为出发点,系统分析研究导致此失效的缺陷和失效机理,经过2D系统测试,发现此是器件性能失效,进一步通过先进的E-beam电压对比方法检测,找到失效的主要原因为是PMOS漏电流缺陷,并发现PMOS漏电流缺陷主要发生在NP SD(N+source/drain)光刻区域,经过仔细分析发现缺陷的产生主要是由于:1)NP光阻线宽尺寸;2)NP光刻发生位移。根据缺陷的成因本论文提出了以下3个工艺改进和优化建议:1)全局增加NP掩膜版图形线宽;2)NP光刻掩膜版局部增加线宽;3)NP光刻掩膜版局部增加线宽+光刻胶硬化,以此来降低PMOS漏电流,经工艺流片试验验证,上述叁个工艺优化过程可以极大地降低PMOS漏电流以及PMOS漏电流缺陷数量,缺陷数量从35545颗单位晶圆降低到55颗单位晶圆,并且快速地解决了由此缺陷产生的产品良率问题,直接减少良率损失22%,同时也显示出VC(Voltage Contrast)电压对比检测手段在芯片制造生产线上直接进行缺陷检测分析在时间方面具有巨大的优势。(本文来源于《上海交通大学》期刊2016-11-01）
李军,范丙毅,汪鹤飞,李翔宇[7]（2016）在《手机HSG产能爬坡期CNC6夹一次良率提升研究》一文中研究指出针对某手机HSG在产能爬坡期CNC6夹加工中因产品质量问题所导致的一次良率达不到制程目标良率的问题,基于六西格玛管理方法的DMAIC改进模式,通过对制程不良问题的界定和测量找出影响产品质量的关键因素,然后参照CNC6夹不良因果图,运用失效模式和效应分析方法对关键影响因素进行分析,并应用响应曲面法求得产品加工的最佳方案。经改善后,实现产品一次良率由96.63%提升至98.37%的较好效果。(本文来源于《企业科技与发展》期刊2016年06期）
何平,李瑞环[8]（2015）在《HDI精细线路良率提升研究》一文中研究指出随着HDI的快速发展,HDI线路设计的精细程度要求越来越高。因此对于PCB厂商来说,提升HDI精细线路的良率就显得尤为重要。影响HDI精细线路的主要原因是干膜与铜面的结合力,通过对干膜与铜面的结合力机理进行研究,得出影响干膜与铜面结合力的叁个主要因素:陶瓷磨板的磨痕、干膜的填充性能、前处理微蚀方式,并提出了相应的改善措施,取得了非常好的效果。(本文来源于《广东科技》期刊2015年24期）
脱穷[9]（2015）在《电源芯片漏电流失效分析及良率提升研究》一文中研究指出电源管理芯片是每部移动电子设备不可或缺的部分,它直接影响着移动电子设备的功耗和待机时间。在设计和制造工艺交互作用下产生的缺陷所造成的漏电流失效是制约电源管理芯片产品良率的主要因素。在芯片能够批量上市之前,它首先必须达到能以可接受的良率(Yield)进行批量制造的水平。但从集成电路设计到工艺制造存在一个良率逐步提升的过程,需要一定的时间。芯片的设计验证完成时间还要再加上这个良率时间才是真正的产品上市时间,因此良率的快速提升成为集成电路芯片设计公司打开市场,获得利润的迫切要求。本文选取一款市面在用的移动电子设备上的电源管理芯片开展漏电流失效分析及良率提升研究。在数据分析方面,抽样出100片晶圆,对它的漏电流针测(Chip Probe, CP)并对采样数据采用累积迭加分布的方式制作分布图。在电性分析方面,采用4156C(精密半导体参数分析仪)测量I-V曲线,采用红外发光显微镜(Emission Microscopy, EMMI)和激光诱导电阻率变化测试仪(Optical Beam Induced Resistance Change, OBIRCH)定位缺陷位置。然后用原子力显微镜(Atomic Force Microscopy, AFM)和纳米探针系统(NanoProbe)分析失效模式。在物理分析方面,采用物理剥层、聚焦离子束显微镜(Focused Ion Beam, FIB)、扫描电镜(Scanning Electron Microscope, SEM)、缺陷化学成分分析和电压衬度(Voltage Contrast, VC)定位技术来建立失效模型。通过研究,找到了该芯片的失效根源,配合生产线研究失效的产生机理,找出了良率提升的办法。(本文来源于《大连理工大学》期刊2015-06-01）
陈伟[10]（2015）在《基于九步法的PVD生产良率提升的应用研究》一文中研究指出随着经济环境的好转以及科学技术的提升,消费电子产品及奢侈品行业得到了迅猛地发展。为消费电子产品及奢侈品行业提供高端外观零部件生产和加工的小型企业顺着需求爆发的大势得以生存,规模也在迅速扩张中。然而这些小型企业在发展中也面临着严峻的质量挑战。很多小型企业是从做对质量要求不高的标准件起家,当需求转变为客户定制、数量庞大、质量要求严格叁大特点的时候,逐渐暴露出了在质量管理方面的弱势。最终只能选择生产更多的产品数量来冲抵产品良率过低的问题,以此来提升企业自身在市场中的竞争力,争抢更多的订单。但是这样的操作模式也带来了一系列的问题。生产更多的数量再挑出良品的模式会导致企业硬件及软件的投资上升,影响实际的交货产能。次品率高导致企业的生产成本上升。企业的上下游供应链都需要承担更高的缺陷产品漏检风险。因此运用一些普遍的质量管理方法论对企业的质量进行科学管理、提高生产良率对这些零部件生产企业以及对整体产品供应链的管控都具有重大意义。本文在比较了解决问题的四种主流方法PDCA法、A3报告法、DMAIC法、8D法之后,针对企业规模、企业发展阶段、管理水平以及问题的规模和难度等选择了A3报告法来解决课题研究企业的问题。在运用A3法典型八个步骤的过程中,还针对问题的性质对A3法进行了适当的改进,推出了创新的九步法。改进包括将A3法第六步的审视对策改成了快速试验以及增加了第九步反思与行动。这样的改动使得改进后的A3法更加适合于解决需要试验确定结果的工程问题。同时又借鉴了PDCA法的完整闭环思路,最终将持续改进的精益思想带入课题研究企业的日常管理中去。在对A3法的应用过程中,本文侧重于利用A3按步骤解决问题的思维,摈弃了典型日本企业在运用A3法时需要做成A3文本用于向上级报告的做法。借鉴的是方法而不是形式。本文将九步法的方法论运用到实际生产中作为解决问题的主导,深入问题的发生现场,邀请有经验的成员加入问题解决队伍,以企业为基地做了一系列的实验。首先通过分析良率数据找出了造成良率较低的主要缺陷分布为麻点和脏污缺陷。通过借助先进的第叁方检测机构的设备确认了麻点和脏污的成分。通过解决麻点和脏污的问题最终降低了产品的缺陷率,提高了产品的整体良率。在课题实施后,Z公司的良率从最初的85%提高到了92%,使得企业的交货产能得到无形的提高,同时也降低了整个供应链中的质量风险。这套解决问题的方法也可以帮助企业在将来遇到工程问题时,更加科学、更加全面地解决问题。(本文来源于《上海交通大学》期刊2015-01-01）
提升良率论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
一、背景与目的公司转型期间,新产品数量增多,生产问题同时增多,管理者不能对整体情况再进行有效的掌控,部分不良分析组织在内部管理上已经转变为分组式的产品良率管理。但是由于分析组织之间又跨组织,而且分组式管理的水平又参差不齐,导致产品良率提升没有了主导者,组织之间协同作业差,分析组织的管理者也不能及时掌控产品的实际问题。此种情况下,如何整合公司各个部门资源一起努力以达到良率的健康指标呢?怎样才能使大家都参与
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
提升良率论文参考文献
[1].王伟.柔性屏良率提升空间大折迭屏手机量产仍需时日[N].中国电子报.2019
[2].李林杰,金琼,陈浩,刘园园.平台管理助推LCM良率提升的方法研究[J].电子世界.2018
[3].李军,宾新凤,胡攀攀.基于IE的SKG童车外观一次良率提升研究[J].企业科技与发展.2018
[4]..存储器大厂3DNAND良率提升NAND产能恐过剩[J].半导体信息.2018
[5].占永生.FG电子公司C产品良率的提升研究[D].南昌大学.2017
[6].陈燊林.40纳米工艺PMOS漏电流检测分析与良率提升[D].上海交通大学.2016
[7].李军,范丙毅,汪鹤飞,李翔宇.手机HSG产能爬坡期CNC6夹一次良率提升研究[J].企业科技与发展.2016
[8].何平,李瑞环.HDI精细线路良率提升研究[J].广东科技.2015
[9].脱穷.电源芯片漏电流失效分析及良率提升研究[D].大连理工大学.2015
[10].陈伟.基于九步法的PVD生产良率提升的应用研究[D].上海交通大学.2015
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