导读:本文包含了溅射参数论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:NbN涂层,高功率调制脉冲磁控溅射,相组成,硬度
溅射参数论文文献综述
李玉阁,袁海,蒋智韬,雷明凯[1]（2019）在《高功率调制脉冲磁控溅射沉积NbN涂层特征工艺参数研究》一文中研究指出目的研究不施加基片温度和固定Ar/N2流量比为64/16的条件下,微脉冲占空比、充电电压特征工艺参数与负偏压对NbN涂层相组成、微结构和力学性能的影响。方法采用高功率调制脉冲磁控溅射技术(MPPMS),通过控制微脉冲占空比、充电电压和负偏压等特征工艺参数,沉积一系列具有不同相组成的NbN涂层,通过X射线衍射仪、纳米压痕仪和维氏硬度计,分别表征NbN涂层的相组成、结构、硬度和韧性,并通过扫描电子显微镜(SEM)对NbN生长形貌和压痕形貌进行观察分析。结果改变微脉冲占空比和充电电压,所有NbN涂层均由δ-NbN和δ'-NbN组成,施加基片偏压后,NbN涂层主要由δ'-NbN组成。所有的NbN涂层均呈现致密柱状晶结构,且提高微脉冲占空比、充电电压和负偏压,制备的NbN涂层均更加致密。随微脉冲占空比升高,涂层硬度由25 GPa增至36 GPa,涂层的韧性逐渐增加。提高充电电压制备的Nb N涂层,其表现出与控制微脉冲占空比制备的涂层相似的规律。施加负偏压后,涂层主要由δ'-NbN组成,涂层的硬度和韧性均下降。结论两相结构和高致密性是使NbN涂层硬度和韧性同时增强的主要因素。(本文来源于《表面技术》期刊2019年08期）
邹亚伟,黄涛,王晓冬[2]（2019）在《细长管道内壁直流磁控溅射镀NEG膜的工艺参数研究》一文中研究指出在未来加速器中,真空盒为细长管道,通过给管道内壁镀非蒸散型吸气剂薄膜(NEG),可以减小电子倍增和束流导致的压力不稳定性,并且提供线性抽速,使其成为管道泵,是获得良好真空的唯一条件,但国外不对中国转让NEG的镀膜工艺,国内缺乏相关的理论。在本文中,我们主要通过搭建细长管道内壁直流磁控溅射镀膜系统,研究相关镀膜参数如真空度、磁场强度、溅射电压、溅射电流之间的内在关系,通过控制变量的方法分别探测了在放电过程中两两参数之间的变化关系,同时运用COMSOL软件对镀膜过程中辉光放电等离子体的状态进行模拟,分别模拟研究真空度、磁场强度和放电电压对管道内电场、氩离子数密度、电密度等径向分布的影响,分析验证了管道内壁镀膜理论与平面镀膜理论之间的异同点,为管道内镀NEG膜设备工艺参数的设定范围提供更充足的理论基础,以提高所镀NEG薄膜的均匀性。(本文来源于《第十四届国际真空科学与工程应用学术会议论文（摘要）集》期刊2019-08-04）
陶冶[3]（2019）在《磁控溅射工艺参数对SnO_2、FTO薄膜性能的影响》一文中研究指出磁控溅射制备的SnO_2、FTO薄膜的光电性能与衬底温度和氧气流量紧密相关,但在现有文献中这两个参数对薄膜性能的影响阐述得并不清楚。在本课题中,在不同的衬底温度下,分别以Sn和Sn+15wt%SnF_2为靶材通过射频反应磁控溅射在玻璃、PET衬底上沉积了SnO_2、FTO薄膜。在不同的衬底温度下,通过XRD、AFM、霍尔效应、透射谱、PL谱研究了薄膜的结构与光电性能随氧气流量的变化。结果如下:随衬底温度从常温升至300℃,SnO_2薄膜和FTO薄膜结晶度均增加。在较高的衬底温度下,即使氧气流量较低,结晶化的SnO_2薄膜和FTO薄膜也同样能制得。在常温到100℃的衬底温度下,PET衬底上沉积的FTO薄膜均为非晶态。随氧气流量的增加,SnO_2薄膜和FTO薄膜择优取向随着氧气流量增加均由(101)转化为(200),说明F掺杂对薄膜择优取向影响较小。每个衬底温度都会存在一个最佳氧气流量范围以使薄膜获得较好的光电性能。玻璃衬底上沉积的SnO_2和FTO薄膜分别在常温和150℃下获得较好的光电性能,其中得到的SnO_2薄膜最低电阻率为3.65×10~(-3)?·cm,透射率为81.50%,FTO薄膜能获得的最低电阻率为2.26×10~(-3)?·cm,透射率为86.43%;PET衬底上的FTO薄膜在100℃时能获得的最低电阻率为4.28×10~(-3)?·cm,透射率为85.20%。随着氧气流量的增加,两种衬底上的SnO_2和FTO薄膜的E_g值均先急剧增加,而后趋于稳定且E_g的这个稳定值随衬底温度升高而增加。对于玻璃衬底上的SnO_2和FTO薄膜,所有光致发光光谱的形状都是相似的,说明F掺杂不影响薄膜的激发峰来源。与V_O有关的激发峰强度随氧气流量的变化趋势均与薄膜载流子浓度的相符,表明SnO_2和FTO两种薄膜电学性能均取决于V_O。(本文来源于《武汉科技大学》期刊2019-05-01）
王孝锋,侯大寅,徐珍珍,徐文正,杨莉[4]（2019）在《磁控溅射工艺参数对碳膜表面形貌及浸润性的影响》一文中研究指出为了分析磁控溅射工艺对碳膜表面形貌及浸润性的影响,在室温下采用磁控溅射技术在硅片表面沉积碳膜,并利用原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)、静态接触角测量仪对所得碳膜进行表征。结果表明:随着溅射功率的提高,碳膜表面粗糙度先减小后增大,致密性逐渐改善,静态接触角先增大后减小;随着溅射时间的延长,碳膜的表面粗糙度逐渐增加,均匀性在一定的溅射时间内逐渐改善,静态接触角呈现先减小后增大再减小的趋势;随着溅射压强的增加,碳膜表面粗糙度先增大后减小,致密性在过高的溅射压强下会变差,静态接触角先减小后增大。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2019年02期）
曹殿鹏,邹树梁,肖魏魏,唐德文,雷明[5]（2018）在《预处理和溅射工艺参数对锆合金表面TiN涂层膜/基结合强度的影响》一文中研究指出为获得高结合强度锆合金表面涂层的制备技术,采用磁控溅射法制备了TiN涂层、划痕法测试了膜/基结合强度,研究了基体预处理表面粗糙度、溅射功率、基体加热温度和基体偏压对锆合金表面TiN涂层膜/基结合强度的影响。实验制备的TiN涂层厚度在5~15μm范围内、基体预处理表面粗糙度在(0.20±0.03)μm范围内时,溅射功率为500W及基体加热至300℃时涂层均有较好的结合强度。基体偏压为-100V时涂层在所讨论的4种基体偏压中具有最好的结合强度。结果表明,溅射工艺参数对涂层膜/基结合强度有显着影响,其中影响显着性从大到小依次为基体加热温度、基体偏压、溅射功率、基体预处理表面粗糙度。(本文来源于《原子能科学技术》期刊2018年11期）
王涛[6]（2018）在《溅射参数及掺杂对直流溅射非晶碳膜粗糙度及疏水性的影响》一文中研究指出为拓展GLC型非晶碳膜的应用领域,澄清其亲/疏水特性的主要影响因素及变化规律,本文试图通过改变基片偏压和石墨(C)靶电流等溅射参数,以及引入一定含量Al、Si、Mo、W掺杂组元,借助XPS、SEM、AFM对沉积态薄膜成分/结构/形貌特征的实验表征,在实现对薄膜sp2键合比例、表面形貌/粗糙度及表面能的有效调控基础上,借助接触角测量仪对薄膜湿润角的实验测量结果,澄清溅射参数及掺杂对直流溅射非晶碳膜粗糙度及疏水性的影响规律,并结合薄膜微观特征及表面能变化对其亲疏水特征变化规律进行机制分析,在实验规律基础上,对基于直流溅射及掺杂技术制备GLC薄膜的疏水性可调控程度进行评定,为进一步深入研究提供必要的实验依据。研究结果表明:(1)GLC非晶碳膜可通过调控其sp2键合比例、表面粗糙度及表面能实现亲疏水特征的显着变化。其中,Cr-GLC薄膜在不同溅射参数下,其水接触角变化范围为80.9～110.2°,润湿特征介于亲水和疏水之间,在特定参数下可表现出疏水特征。与C靶电流相比,基片偏压对其疏水性的影响更为显着,在固定C靶电流为2.5 A条件下,随基片偏压由-30 V增至-90 V,薄膜水接触角相应由80.9°增大到107.6°,相应的薄膜sp2键合比例也由0.47增至0.59,表面粗糙度由4 nm增大至12 nm,其内在机制是随基片偏压的升高,薄膜sp2键合比例及粗糙度的同步提高所致;而当固定基片偏压为-65 V时,随C靶电流由1.0 A提高至2.5 A,薄膜sp2键合比例及粗糙度均有一定程度降低,相应导致其水接触角由110.2°降到102.3°,但均维持疏水特征。此外,实验测试结果还表明,Cr-GLC薄膜的表面能受溅射参数的影响程度轻微,与其亲疏水特征相关性较弱。(2)掺杂组元对Cr-GLC薄膜疏水性的影响程度差异明显,其中:掺杂Al、Si时,Al/Cr-GLC和Si/Cr-GLC薄膜均表现疏水特征,而掺杂Mo、W所获Mo/Cr-GLC、W/Cr-GLC薄膜均显示亲水特征。在Al、Si、Mo、W四种掺杂组元中,A1对改善Cr-GLC薄膜疏水性的作用效果最显着,薄膜疏水性随Al含量增加呈不断提高趋势,A1含量为2.4 at%时,Al/Cr-GLC薄膜实现了本文研究范围内的最佳疏水性水平,实测水接触角为116.8°。结合掺杂后薄膜成分/结构、表面形貌/粗糙度及表面能的变化,可推测Al掺杂后薄膜表面形成的A1-O键可降低薄膜表面能的极性分量,且随Al掺杂比例的提高,薄膜sp2键合比例也逐步提高是导致上述规律的主要原因。与Al相比,对Cr-GLC薄膜引入少量Si掺杂后,薄膜疏水性变化不大,水接触角在96-102.8。之间变化;而引入Mo、W掺杂后,薄膜表面能极性分量显着增大,且其sp2键合比例和表面粗糙度也有一定程度降低,因而通过叁个可能的作用机制均造成薄膜疏水性减弱并表现出亲水特征。(本文来源于《西安理工大学》期刊2018-06-30）
李春伟,田修波,徐淑艳,郑权,张群利[7]（2018）在《工作参数对电场增强高功率脉冲磁控溅射的调制作用研究》一文中研究指出基于辅助阳极的电场增强高功率脉冲磁控溅射(Hi PIMS)技术改善了常规Hi PIMS放电及镀膜过程。研究工作参数对电场增强Hi PIMS的调制作用可为该技术的应用提供理论依据。利用数字示波器收集Hi PIMS基体离子电流,分析了不同工作气压、靶基间距、脉冲频率和脉冲宽度等工作参数对基体离子电流的调制作用规律。利用扫描电镜观察了钒膜的截面形貌特征。结果表明:在相同的靶电压下,基体离子电流平均值随工作气压的增加而增加并逐渐达到饱和值;随靶基间距的增加基体离子电流平均值逐渐减小;随脉冲频率的增加基体离子电流平均值逐渐减小后趋于稳定;当脉冲宽度为150μs时的基体离子电流平均值高于脉冲宽度为200μs时的基体离子电流平均值。工作参数对膜层的制备具有调制作用,在适中的工作参数下,电场增强Hi PIMS获得的钒膜与基底结合良好、膜层致密完整。(本文来源于《真空科学与技术学报》期刊2018年05期）
李春伟,田修波,宋炜昱,赵美君,张旭[8]（2018）在《工作参数对磁场增强高功率脉冲磁控溅射放电特性的影响》一文中研究指出研究磁场增强高功率脉冲磁控溅射技术的放电特性在不同工作参数下的演变规律。利用数字示波器采集Hi PIMS的基体离子电流用于表征其放电特性的变化。结果表明:靶放电电压不同时基体离子电流对工作气压的响应不同,较低靶电压时基体离子电流平均值随工作气压的增加逐渐增加;而较高靶电压时基体离子电流平均值随工作气压增加迅速增加后趋于稳定。基体离子电流随基体偏压的变化表现出两个特征,较低基体偏压时的基体离子电流在脉冲开始阶段呈现出较强的电子流波段,而基体偏压较高时则未出现电子流。不同脉冲频率及靶电压下的基体离子电流的波形形状大致相似,但当处于较高靶电压时存在一个明显特征,即当脉冲结束后离子流会出现一个尖锐峰值。随脉冲宽度的增加,基体离子电流负向电子流和正向离子流均逐渐增大。(本文来源于《真空科学与技术学报》期刊2018年04期）
王晓婧,刘艳红,刘威,李怀林[9]（2018）在《锆合金表面射频磁控溅射SiC涂层制备工艺参数优选》一文中研究指出目前,国内针对锆合金包壳涂层技术研究相对较少。通过射频磁控溅射方法在锆合金基体表面沉积Si C涂层,研究了溅射功率、基片加热温度和溅射时间对涂层形貌、结合力和厚度的影响,确定了最佳的工艺参数为溅射功率200 W,加热温度400℃,溅射时间6 h。采用扫描电镜(SEM)及能谱仪(EDS)、扫描成像X射线光电子能谱仪(XPS)和X射线衍射仪(XRD)对该工艺参数下制备的Si C涂层样品进行了成分分析。结果表明,所制备的涂层的主要成分为非晶Si C。对优化Si C涂层样品进行了初步的高温水蒸气氧化试验,证明其具备一定的抗氧化性,但还有待提高。(本文来源于《材料保护》期刊2018年04期）
李阳,程海峰,刘东青,郑文伟,张朝阳[10]（2017）在《磁控溅射参数对Al薄膜微观结构及红外特性的影响研究》一文中研究指出利用磁控溅射法在Si(100)基片上制备了Al薄膜,采用X射线衍射、扫描电镜、扫描探针显微镜和红外光谱仪研究了基片温度、溅射功率和溅射时间对Al薄膜表面、断面形貌和红外反射率的影响。结果表明:随着基片温度的升高,Al颗粒的尺寸变大,由均匀细颗粒变为不规则形状,并逐渐熔为一个整体,断面形貌变得凹凸不平,表面粗糙度增大,红外反射率呈下降的趋势;随着溅射功率的增大,Al薄膜致密平整,表面粗糙度增大,红外反射率先增大后不变;随着溅射时间的延长,Al薄膜表面粗糙度增大,红外反射率先增大后不变。(本文来源于《化工新型材料》期刊2017年12期）
溅射参数论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
在未来加速器中,真空盒为细长管道,通过给管道内壁镀非蒸散型吸气剂薄膜(NEG),可以减小电子倍增和束流导致的压力不稳定性,并且提供线性抽速,使其成为管道泵,是获得良好真空的唯一条件,但国外不对中国转让NEG的镀膜工艺,国内缺乏相关的理论。在本文中,我们主要通过搭建细长管道内壁直流磁控溅射镀膜系统,研究相关镀膜参数如真空度、磁场强度、溅射电压、溅射电流之间的内在关系,通过控制变量的方法分别探测了在放电过程中两两参数之间的变化关系,同时运用COMSOL软件对镀膜过程中辉光放电等离子体的状态进行模拟,分别模拟研究真空度、磁场强度和放电电压对管道内电场、氩离子数密度、电密度等径向分布的影响,分析验证了管道内壁镀膜理论与平面镀膜理论之间的异同点,为管道内镀NEG膜设备工艺参数的设定范围提供更充足的理论基础,以提高所镀NEG薄膜的均匀性。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
溅射参数论文参考文献
[1].李玉阁,袁海,蒋智韬,雷明凯.高功率调制脉冲磁控溅射沉积NbN涂层特征工艺参数研究[J].表面技术.2019
[2].邹亚伟,黄涛,王晓冬.细长管道内壁直流磁控溅射镀NEG膜的工艺参数研究[C].第十四届国际真空科学与工程应用学术会议论文（摘要）集.2019
[3].陶冶.磁控溅射工艺参数对SnO_2、FTO薄膜性能的影响[D].武汉科技大学.2019
[4].王孝锋,侯大寅,徐珍珍,徐文正,杨莉.磁控溅射工艺参数对碳膜表面形貌及浸润性的影响[J].人工晶体学报.2019
[5].曹殿鹏,邹树梁,肖魏魏,唐德文,雷明.预处理和溅射工艺参数对锆合金表面TiN涂层膜/基结合强度的影响[J].原子能科学技术.2018
[6].王涛.溅射参数及掺杂对直流溅射非晶碳膜粗糙度及疏水性的影响[D].西安理工大学.2018
[7].李春伟,田修波,徐淑艳,郑权,张群利.工作参数对电场增强高功率脉冲磁控溅射的调制作用研究[J].真空科学与技术学报.2018
[8].李春伟,田修波,宋炜昱,赵美君,张旭.工作参数对磁场增强高功率脉冲磁控溅射放电特性的影响[J].真空科学与技术学报.2018
[9].王晓婧,刘艳红,刘威,李怀林.锆合金表面射频磁控溅射SiC涂层制备工艺参数优选[J].材料保护.2018
[10].李阳,程海峰,刘东青,郑文伟,张朝阳.磁控溅射参数对Al薄膜微观结构及红外特性的影响研究[J].化工新型材料.2017
标签：NbN涂层; 高功率调制脉冲磁控溅射; 相组成; 硬度;