导读:本文包含了扫描隧道显微镜诱导发光论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:针尖增强拉曼光谱,扫描隧道显微镜,扫描隧道显微镜诱导分子发光,纳腔等离激元
扫描隧道显微镜诱导发光论文文献综述
王慧芳[1]（2018）在《纳腔等离激元在针尖增强拉曼光谱和扫描隧道显微镜诱导分子发光中的应用探究》一文中研究指出针尖增强拉曼光谱(TERS)和扫描隧道显微镜(STM)诱导分子发光是两种在纳米尺度上探究分子、电子、光子、声子以及等离激元之间相互作用和转化的重要研究方法,而纳腔等离激元对这两种技术的实现具有十分重要的意义。本论文先用针尖增强拉曼光谱技术,通过纳腔等离激元对单分子拉曼信号的增强作用和局域响应,从实验上研究了分子在金属表面的吸附行为。然后利用量子主方程的方法,从理论上研究了纳腔等离激元与单分子之间的相互作用,探讨了纳腔等离激元在扫描隧道显微镜诱导分子发光中的作用问题。在第一章中,我们介绍了本论文所做工作的基本原理和研究背景。首先从表面极化等离激元、局域表面等离激元等方面介绍了表面等离激元光子学;接着在扫描隧道显微镜和纳腔等离激元的基础上,介绍了针尖增强拉曼光谱和扫描隧道显微镜诱导分子发光的基本原理;最后引出本论文的主要工作和研究内容。在第二章中,我们通过纳腔等离激元对单分子光谱信号的增强作用,用针尖增强拉曼光谱技术研究了还原性卟啉分子在Ag(100)表面的吸附行为。通过STM图像和TERS光谱,我们发现还原性卟啉分子在Ag(100)表面有叁种吸附类型。结合以往文献报道和Ag(100)表面分子吸附区域附近的原子分辨晶格图像,我们认为这叁种吸附类型分别对应还原性卟啉分子在Ag(100)表面Hollow位、Bridge位和Top位的吸附。我们进一步对这叁种吸附类型进行了 STM操作,结合STM图像和TERS光谱,我们发现,在分子中心进行操纵时,第二种吸附类型和第叁种吸附类型均可以向第一种吸附类型转变;在分子瓣上进行操纵时,第一种吸附类型和第二种吸附类型的分子构型可以随着分子瓣依次被“压下去”而改变。此外,通过对分子内不同位置进行TERS测量,发现分子中心、分子瓣上和分子瓣间隙的TERS光谱是不一样的。最后,我们还测量了 NaCl岛上的还原性卟啉分子的TERS光谱,发现NaCl岛表面的TERS光谱与Ag(100)表面的TERS光谱有所不同,与粉末样品的拉曼光谱吻合得更好一些,这说明NaCl岛减弱了银衬底与分子之间的相互作用,起到了一定的脱耦合作用。以上针对不同吸附类型的TERS鉴别,充分展示了 TERS技术中纳腔等离激元的高度局域性以及由此所带来的超高分辨探测能力。为了进一步探究等离激元与单分子的相互作用,在第叁章中,我们用量子主方程的方法,从理论上研究了当分子或者等离激元分别被激发的情形下等离激元-分子耦合体系的时间演化和光谱性质,并在此基础上讨论了纳腔等离激元在扫描隧道显微镜(STM)诱导发光中发挥的不同作用。当STM针尖在分子上方,隧穿电子可以直接激发分子,此时等离激元的主要作用是通过提高分子的辐射速率来增强其发光,并且耦合体系表现出分子特征的尖锐发光峰。另一方面,当STM针尖很靠近分子边缘但没有载流子注入到分子时,等离激元-分子相互作用在这两个量子客体之间产生相消干涉,从而使等离激元发射谱中在分子光学能隙附近出现法诺凹谷。最后,我们还讨论了分子辐射速率对分子发光光谱线型的影响。(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2018-04-30）
田广军,罗毅[2]（2016）在《扫描隧道显微镜诱导产生的单分子电致发光特性的理论研究》一文中研究指出利用扫描隧道显微镜(STM)中高度局域的隧穿电子可以激发吸附在其表面的分子体系并使之发射出光子。我们从理论计算的角度对这一过程进行了系统的研究,其中重点研究了STM针尖与衬底间形成的局域表面等离激元对分子发光特性的影响。为了同时处理隧穿电子和局域表面等离激元对分子的激发,我们发展了一套密度矩阵方法并利用这一方法对卟啉衍生物分子的STM电致发光行为进行了模拟。通过理论计算发现局域表面等离激元诱导产生的受激辐射是造成实验上观测到的分子电致发光光谱谱型改变的成因[1,2]。同时,我们通过将密度矩阵方法与第一性原理计算相结合计算出了C_(60)分子在STM激发下的荧光和磷光光谱。计算结果与实验结果符合的非常好,从而使得我们可以对实验上测得的发光光谱给出合理的指认[3]。(本文来源于《中国化学会第30届学术年会摘要集-第十九分会：化学中的量子与经典动力学》期刊2016-07-01）
郁云杰[3]（2016）在《扫描隧道显微镜诱导发光技术在纳米表征中的应用》一文中研究指出如何在单分子尺度上揭示纳米结构的光电特性是纳米光电子学研究中的核心科学问题。扫描隧道显微镜(STM)具有单原子级别的实空间表征能力,极大地提高了人类认识和操控微观世界的能力。将STM与光学检测技术结合起来的STM诱导发光技术(STML),可以把高空间分辨的形貌表征技术与高灵敏的能量、时间分辨的光学检测技术结合起来,不仅提高了 STM的化学分析能力,而且还可以帮助我们研究纳米结构-固体界面以及纳米结构在特定纳米环境中的跃迁及其相关的动力学过程。本论文的主要工作就是发展并完善了与超高真空低温STM联用的STML技术,实现了单分子电致荧光,并利用单分子电致荧光稳态成像技术表征了分子质子转移的瞬态中间态,为拓展STML技术在纳米光源、光电集成、以及化学反应动态学等方面的应用奠定了基础。本论文分为四个部分:第一章,我们首先简要介绍了 STM以及表面等离激元(surface plasmons)的物理背景和研究现状。随后,我们详细介绍了 STM诱导发光技术及其研究现状。最后,我们简单地介绍了本工作中所使用的相关实验仪器。第二章,我们研究了 STM诱导的单个空心酞菁分子(H_2Pc)的电致荧光现象。利用NaCl薄膜作为脱耦合层,我们成功地实现了源自H_2Pc分子HOMO-LUMO能级间辐射跃迁的单分子电致荧光。通过分析电致发光光谱随纳腔等离激元模式的变化,我们讨论了纳腔等离激元在STM诱导分子发光中的重要作用,并结合隧穿电导谱讨论了单分子电致发光机理。我们还利用STM操纵技术展示了隧道结中单分子发光的可调性。第叁章,我们研究了单个空心酞菁分子内的质子转移过程。我们利用纳腔等离激元共振增强,提高了单个H_2Pc分子的自发辐射速率,并探测到单个H_2Pc分子的热荧光。结合光谱成像技术,我们首次在单分子尺度上直接观察到分子内质子转移过程中中间态的存在。我们的结果不仅可以帮助人们更加深刻地理解卟啉酞菁类分子内的质子转移过程,而且还提供了一种新的利用非驰豫荧光成像技术探索表面上分子动力学过程的新思路与新方法。第四章,我们对现有的STML探测模式进行了拓展。首先,为了表征纳米结构的近场光学特性,我们发展了近场收集模式。我们使用尖端镀有半导体透明导电膜(ITO)的光纤探针作为STM针尖,研究了 GaAs(110)表面以及吸附在GaAs(110)表面的H2TBPP分子的STM诱导发光现象,初步实现了近场探测。其次,为了获取隧道结中单个分子辐射的角向分布特性和偏振特性,进而分析隧道结中分子偶极取向等重要信息,我们发展了低温超高真空STML的样品背面的光子收集系统,目前已初步实现了后焦面成像探测,为后续单分子光源和光电集成的研究奠定了基础。(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2016-05-09）
姜建伟[4]（2015）在《多层锌卟啉分子薄膜扫描隧道显微镜诱导发光》一文中研究指出随着电子元器件尺寸逐渐缩小,受限于摩尔定率的半导体微电子技术日益走向极限。开展分子尺度光电行为的研究对纳米光电器件的发展具有十分重要的意义。扫描隧道显微镜(STM)具有超高的空间分辨率,而且利用STM针尖高度局域化的隧穿电流可以激发样品发光。这种STM诱导发光技术为探索纳米材料提供了非常重要的实验方法。为此我们利用STM研究了Au(111)表面多层锌卟啉(ZnTPP)分子的荧光现象。本论文的主要研究内容可以概括为下面叁个方面：1.用热蒸发方法在云母片和Au膜表面制备不同层数的ZnTPP样品,进行光致发光实验。得到ZnTPP分子的单体和聚集体荧光光谱,同时验证Au表面分子层的脱耦合效果；观测到分子聚集状态的变化导致分子发光峰强度的激增现象。2.对Au(111)表面多层ZnTPP分子排列结构进行STM表征,展现分子薄膜由分子链到分子岛再到分子层的堆积过程。分子的排列堆积构型随着层数的增多而发生变化,出现倾斜和平铺两种构型。其中倾斜排列结构有利于的STM诱导分子发光。3.多层ZnTPP分子的STM诱导发光实验可以得出：1-3ML分子样品上只能得到等离激元发光的信号,分子的荧光被淬灭；利用分子层的脱耦合作用,5ML样品上可以稳定地得到分子荧光光谱；随着分子层数的增加,在7ML分子膜上得到分子聚体特征的荧光谱峰。(本文来源于《华东师范大学》期刊2015-05-20）
邝艳敏[5]（2015）在《扫描隧道显微镜诱导单分子发光中的脱耦合问题研究》一文中研究指出未来信息和能源技术的一个重要发展方向就是纳米尺度上的分子器件的光电集成技术,其物理基础是分子尺度上的光电相互作用以及光子态的调控。扫描隧道显微镜(STM)诱导发光技术融合了具有单原子实空间分辨率的STM技术和高灵敏单光子探测技术,利用高度局域的隧穿电流,诱导单个纳米发光体发光,可以较为全面地在纳米尺度上研究光电转换行为。其研究结果可以深化我们对电子、光子、激子、等离激元量子态之间相互作用和耦合的理解,为今后研制电激励纳米光源以及相关的集成光电器件提供科学基础。基于STM的研究需要导电性的衬底,因此,在STM诱导单分子发光的研究中,常用金属材料作为衬底。然而,当荧光分子直接吸附在金属衬底上,分子和衬底间将存在电荷与能量转移,进而会导致分子电致荧光被淬灭。因此,分子有效脱耦合是STM诱导发光研究中的一个关键问题。目前常用的脱耦合方法是物理脱耦合方法,即在发光体和金属衬底之间加入薄层绝缘材料,隔绝分子与衬底之间的电荷转移,减弱分子和衬底之间的能量转移。除了物理脱耦合方法,还存在化学脱耦合方法,即通过化学官能团修饰分子,进而实现分子的自脱耦合。此外,化学脱耦合方法还可以合理调控发光基团跃迁偶极取向与隧道结中纳腔等离激元(NCP)的方向,使分子跃迁偶极取向与NCP方向平行,进而通过分子偶极与等离激元的相互作用来增强STM诱导分子发光。本论文针对STM隧道结中的脱耦合问题,从物理脱耦合与化学脱耦合这两种研究角度出发,通过构筑“金属探针-发光体-间隔体-金属衬底”结构,研究单个分子的STM电致荧光,进而讨论分子尺度上的电光转换及STM隧道结内纳腔等离激元与分子的相互作用,该研究为探索具有高效电光转换效率的单分子光源奠定基础。本论文内容主要分为以下四部分：第一章,我们首先介绍了扫描隧道显微镜诱导发光技术和纳米等离激元学,然后介绍我们常用到的发光体卟啉类分子的相关知识,最后简单介绍了我们实验的相关仪器设备和本论文的主要工作。第二章,我们采用不同链长的C4S、C6S、C8S自组装硫醇膜(SAMs)作为脱耦层,利用STM针尖局域电流诱导单个卟啉分子发光,得到了具有单个卟啉分子特征的电致荧光峰。通过选用不同的硫醇自组装膜作为脱耦合层,可以控制荧光分子与金属衬底之间的距离。我们发现分子荧光的Qx(0,0)跃迁峰随着间隔层厚度的增加而变窄,在间隔层距离为0.81-1.25nm条件下,反映能量展宽的半峰宽(w)与距离之间近似满足w∝d-3关系,经典的偶极理论似乎仍然有效。第叁章,除了采用物理脱耦合的方式实现STM诱导单个卟啉分子发光之外,我们进一步研究了化学脱耦合方法。我们自主设计和合成了多功能的融“嫁接基团-间隔基团-发光基团”于一体的“叁脚架”结构的卟啉光电分子,采用两种不同的溶液制备方法将他们分散到金属表面,实现STM诱导单分子尺度的自脱耦分子荧光。分子发光效率可以达到10-4,与传统的分子发光效率10-5～10-6相比,高了一个量级,可见通过化学脱耦合手段控制分子偶极取向,可以实现较强的STM诱导分子荧光。第四章,在第叁章自脱耦合“叁脚架”结构的卟啉分子研究中,分子不总是能直立吸附在金属衬底上。为了更好地控制分子偶极取向,我们改进分子设计方式,设计了“四脚架”二萘嵌苯分子和“四脚架”卟啉分子,每个脚都有一个荧光分子,因此无论以何种结构吸附在衬底上,总有荧光基团沿着探针方向,这就为得到较强的STM诱导发光提供了可能。我们采用“闪热”脱吸附的方法成功实现了高度功能化的大分子在金属衬底上的制备,通过STM诱导单个功能大分子发光,得到了“四脚架,,卟啉分子的电致发光,而且发光效率大约在10-4,跟以前多层脱耦合分子的发光效率相比,电致分子荧光的强度提高了约一个数量级,实现了通过设计分子自脱耦合、调控分子偶极取向以增强分子荧光的目的。本论文采用物理手段和化学手段两种脱耦合方式,实现STM诱导单分子发光。值得特别指出的是,通过构筑特殊多功能光电分子的化学脱耦合途径,不仅可以实现分子自脱耦合,而且还可控制分子跃迁偶极的取向,在增大跃迁偶极垂直分量的同时,可以增强分子荧光与等离激元之间的相互作用,进而实现较强的STM诱导分子发光。本文基于这一设计策略的研究结果为研发新型的电激励纳米光源提供了新的思路和方法。(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2015-05-01）
耿锋[6]（2012）在《扫描隧道显微镜诱导分子发光中的脱耦合调控研究》一文中研究指出随着元件尺寸逐步缩小到纳米尺度,半导体微电子技术的发展将遇到量子漏电流、热耗散和RC延迟等瓶颈而面临巨大挑战。与电子传输相比,光子作为信息载体具有高带宽、高容量、高速度和低功耗等优势。但是传统的光子学技术受制于阿贝衍射极限而难以实现元件的高度集成,如何突破光子元件尺寸上的限制,在纳米尺度上实现电子学和光子学的融合就成为纳米光电集成中的首要研究目标。其中,电激励的纳米光源的研究为光电器件的高度集成提供了可能性,而其物理基础便是纳米尺度上的电光相互作用和转换。扫描隧道显微镜(STM)不仅可以用来表征原子分子尺度上的物质结构,而且针尖作为高度局域的电子发射源可以用来激发表面纳米结构发光。这种将高分辨的扫描隧道显微镜和高灵敏的光学检测系统相结合的技术为我们提供了探索纳米尺度上光电现象和规律的新手段。在STM诱导分子发光的研究中,前期的结果已经明确表明,分子的有效脱耦合和STM纳腔等离激元的耦合作用是获得分子发光的关键。之前的分子与金属衬底之间的脱耦合主要是通过添加绝缘层和多分子层等物理间隔层的方法来实现,而利用化学合成进行的化学脱耦合方法由于分子设计和合成的复杂性、样品提纯和制备的难度等原因,在STM诱导发光中还未见相关的研究和报道。本论文中我们除了探讨传统的物理脱耦合之外,还着重研究了新的化学脱耦合的方法,通过在分子上直接添加化学基团隔绝分子与衬底之间的电子耦合,来实现分子的STM诱导发光。本论文的主要内容分为以下四个部分：在第一章中,我们首先介绍了扫描隧道显微镜和纳米等离激元学的相关研究背景,然后详细回顾了了与本论文有关的STM诱导发光技术的特点、研究的历史和现状,最后还简单介绍了我们实验的相关仪器设备和工作。在第二章中,我们研究了C60分子层对STM诱导“Ag针尖-C60分子-Au(111)”纳腔体系等离激元发光的调制作用。结合发光光谱、分子分辨的光子图以及扫描隧道谱(STS)的分析可知,在Au(111)上两层C60分子体系中得到的发光均来自于纳腔的等离激元发光,并且C60分子作为介质层引入带来的针尖高度变化对局域等离激元的场增益有着重要的影响,会导致等离激元发光减弱。此外,我们还发现,在给定的偏压下,对于不同层数的C60分子,其等离激元发光峰形会发生不同程度的红移,而完整等离基元共振峰形的出现与偏压之间存在明显的依赖关系。这些结果表明C60分子的电子态也参与了激发等离激元发光的非弹性隧穿过程,对于纳腔等离激元的发光也起着重要的调制作用,导致不同于纯净金属表面发光的能量截止条件的出现,发光光谱相比于金属表面表现出不同的偏压依赖关系,分子上等离激元发光的光子能量满足修正的能量截止条件hv≤|eV-EM|。我们认为实验中得到的等离激元发光主要来自于针尖的电子态与C60电子态之间的非弹性隧穿激发通道。在本章中,我们还展示了Au(111)表面上单层C60分子的高分辨光子图,并对分子分辨机制进行了分析和讨论。在第叁章中,我们以Au(111)表面上C60作为底层脱耦合结构,研究了并五苯分子在C60/Au(111)表面上的STM诱导发光情况以及偶极取向对发光的影响。在多层的分子样品上我们得到了来自并五苯分子晶体的发光,表明了多层分子脱耦合结构对于获得分子发光的重要性。我们还发现分子的发光仅在样品正偏压条件下才能得到,结合STS谱分析可知,这种单极性特征可能是由分子的LUMO、 HOMO电子态相对于费米面的不对称性以及针尖-分子、分子-衬底隧道结的不同性质所决定。此外,并五苯分子在C60上长轴斜立的生长构型使得分子的跃迁偶极存在一定的垂直分量,等离激元与分子发光的频谱匹配关系也证实了分子偶极与纳腔等离激元的耦合作用。但是斜立情况下分子平面的倾角仍然较小,而并五苯的HOMO-LUMO跃迁偶极是在分子短轴方向,使得等离激元和分子偶极之间的耦合作用并不是太强,发光效率相对较低。因此,如何合理设计分子的偶极取向是获得等离激元增强荧光的重要条件。在第四章中,我们主要研究通过化学方法合成的功能光电分子在金属表面的STM诱导发光情况。设计合成功能光电分子主要有两个目的,首先是实现自脱耦合,抑制荧光淬灭效应。通过利用化学基团作为间隔层支撑荧光基团,使其与金属衬底隔绝。实现有效的自脱耦合以防止荧光淬灭；其次是实现偶极方向匹配,提高分子发光效率。通过设计特定的分子构型使得荧光基团的跃迁偶极方向与STM纳腔中等离激元场的振荡方向相匹配,以实现有效的等离激元增强荧光。我们的实验主要采用了叁类卟啉分子的衍生物,利用化学基团将卟啉荧光基团撑起以达到有效的脱耦合和合理的偶极取向。第一类分子是OxP分子的衍生物,在OxP分子环内对位位置取代为卟啉,使得卟啉斜躺在OxP之上；第二类分子是叁脚架支撑的单卟啉分子；第叁类分子是将四个卟啉连接在一起的四脚架结构分子。我们将这些化学修饰过的分子通过溶液方法组装于金膜表面,对其进行STM诱导发光研究。对于OxP分子衍生物来说,虽然取代卟啉跟衬底之间有OxP基团作为隔绝层,但是由于取代卟啉跟OxP基团之间存在着明显的非辐射能量转移通道,而且取代卟啉的平躺构型也使得跟衬底之间距离较近,OxP与衬底相互作用仍然较强,金属的荧光淬灭效应仍然占据主导地位。因此,取代卟啉的激发态容易被淬灭从而得不到分子发光。而对于叁脚架支撑的卟啉和四脚架卟啉这两种分子,组装到表面时,可以实现顶部荧光基团的有效脱耦合,并且在设计的特殊构型下,荧光基团的跃迁偶极能够存在明显的垂直分量,因此可以与STM纳腔等离激元产生强烈的相互作用,得到比较强的等离激元增强分子发光。通过本论文的实验研究,我们发现合理调控分子的结构构型,特别是间隔结构和偶极取向,可以实现发光基团的有效脱耦合并获得等离激元增强的分子发光。STM诱导分子发光中的这些基本规律的认识也为新型电泵纳米光源和纳米光电集成的发展提供了重要的的科学信息。(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2012-10-01）
张超[7]（2011）在《不同衬底上分子的扫描隧道显微镜诱导发光研究》一文中研究指出随着科学技术的发展，微电子半导体器件在材料尺寸和性能上已经接近于极限，研究基于分子尺度的纳米器件已是历史所趋，并成为微纳技术的前沿发展领域。分子尺度上的光电集成器件是未来信息与能源技术的重要发展方向，其科学基础是纳米尺度上的光电相互作用以及光子态的调控与利用。对于单原子、单分子等量子单体的纳米光电子学研究催生了一系列相关的实验方法，其中融合高分辨扫描隧道显微镜（STM）和高灵敏光学检测于一体的扫描隧道显微镜诱导发光技术（STML）已经成为探测纳米尺度下电光性质的重要工具。它不仅可以对单个原子或者分子进行成像和操纵，而且其高度局域化的隧穿电子还可以用来激发隧道结中的量子结构，产生光子发射。这一种技术为我们提供了一种联系单分子电子学和单分子光电子学的实验手段,不仅能够获得隧穿电流的电学输运信息,而且利用非弹性过程所产生的光子信息，可以帮助我们了解隧道结中的各种电磁耦合与衰变信息，有助于我们探索分子在纳米环境中的光电行为，特别是纳米隧道结中分子与周围量子结构和环境之间的能量演化现象与机制。隧道结中分子发光是STM诱导发光的一个重要研究方向。单分子发光不仅能够对分子科学和分子器件的研发提供重要的基本信息，而且单分子光源作为一种潜在的单光子源，在量子信息技术领域具有迷人的应用前景。另外，以分子材料为基础的有机电子器件，例如：有机发光二极管和有机光伏电池，近十年来有迅速的发展，但是对器件中的分子-界面性质、载流子注入和传输过程、激子能量怎样传递和衰变、激发态和光学跃迁的本质以及等离激元的增强作用等仍然缺乏深刻的认识。研究表面上、隧道结中分子的电光特性将有助于我们认识分子-金属界面的光电特性，为器件参数优化提供科学依据。实现STM诱导分子发光的关键是要解决荧光淬灭与局域化激发的问题。荧光淬灭问题通常通过插入电子脱耦合层来解决，而针对不同的衬底，分子的脱耦合方案与效果也是不一样的。另一方面，关于局域化激发问题，STM探针大小在纳米尺度甚至单原子，为分子的局域化激发奠定了基础。但分子如何被激发，是否能被有效激发到激发态，并通过辐射衰变而发光，则是个亟待澄清的科学问题。而其中等离激元在分子激发中的作用问题一直是研究的重点。不同材料的衬底，其等离激元的特性是很不相同的。贵金属衬底表面存在很强的表面等离激元模式，而半金属石墨衬底和半导体硅衬底的等离激元模式在可见区内则是非常微弱的。因此，不管是从荧光淬灭角度，还是从分子激发的角度，衬底对于表面分子的STM诱导发光特性都有着重要的影响。研究不同衬底上分子的STM诱导发光现象，将有助于我们了解STM诱导分子发光的机制，使我们能更好地对光子态进行调控和利用。此外，基于硅基和石墨烯材料的研究正成为当今和未来信息技术的主流。因此，在纳米尺度上开展石墨衬底和半导体硅衬底表面的分子发光研究，将为未来纳米尺度上的分子光电集成研究提供有用的信息。本论文的主要工作集中在利用STM诱导发光技术，研究探索分子在纳腔隧道结中不同衬底表面（金属、HOPG和Si（100））的电致发光现象。这有助于揭示电子、光子、激子和等离激元在纳米尺度下的耦合和转换机制，为分子光电器件的研究提供可靠的科学依据。本论文主要分为以下五个部分：在第一章中，我们介绍了扫描隧道显微镜诱导发光的相关背景。首先介绍了等离激元的物理概念、特征以及应用领域；然后对STM基本原理和STM诱导发光技术做了简介；最后介绍了金属、半导体以及荧光分子的STM诱导发光研究历史和现状。在第二章中，我们描述了一种可靠的、重复性好的适合于进行STML实验的银针尖的制备方法。银针尖产生的光子信号强度比钨针尖要多一个数量级，因此被认为是最合适产生高强度等离激元模式的针尖，在等离激元增强荧光和探针增强拉曼光谱中有着广泛的应用。我们详细介绍了优质发光探针的制作过程，包括电化学刻蚀中电解质的选择、电路的控制、以及真空中针尖表面氧化层的清洗方法等。通过这种方法得到的针尖，不仅能够获得很好的原子分辨的STM扫描图像。更重要的是，由于金属银本身介电函数虚部较小导致较低的光学衰减，在STM诱导发光实验中允许我们在小的隧穿电流以及短的曝光时间下，进行非常有挑战性的彩色光子图实验。第叁章，我们研究金属表面上分子的STM诱导发光现象。我们以Ag（111）和Au（111）表面吸附的PTCDA分子为研究对象，利用扫描隧道显微镜研究了分子与金属衬底相互作用对等离激元发光的调制影响。贵金属衬底表面存在很强的等离激元发光，通过对比不同衬底表面PTCDA分子的STM诱导发光光谱，分析了分子在隧道结中对等离激元发光的调制作用。我们提出，分子在隧道结中不仅仅起着间隔层的作用，衬底表面与分子之间相互作用导致表面电子态的变化对等离激元的调制同样有着重要的影响。此外，电子脱耦合作用不是产生分子荧光的充分条件，分子的电子结构和能级排列因素也是至关重要的。第四章，我们研究石墨（HOPG）表面TPP卟啉分子的STM诱导发光现象。我们利用HOPG作为衬底，对HOPG表面多层TPP分子膜的STM诱导发光特性进行了初步的研究。在干净的HOPG表面，由于等离激元模式在高能区域，因此在可见光范围内利用STM观察不到等离激元发光。石墨衬底避免了金属衬底等离激元对分子发光的影响问题，为我们提供了一个很好的研究STM诱导分子发光机制的体系。在HOPG表面五层TPP分子膜上，光致激发光谱发现，底层TPP分子已经很好地隔绝了顶层分子与衬底之间的相互作用，避免了非辐射偶极能量跃迁过程。同时我们利用STM高度局域化的隧穿电子激发HOPG表面多层TPP分子膜，并得到了来自于TPP分子的本征荧光。通过比较采用“亮”态和“暗”态探针激发分子时产生的不同发光特性、以及针尖表面等离激元模式对HOPG表面TPP分子发光频带的选择性调控作用的分析，我们认为这种发光机制来源于纳腔隧道结中探针表面等离激元对针尖下分子的近场激发，而不是直接碰撞激发或者OLED中的注入式电子和空穴直接复合发光。第五章，我们初步研究了H钝化Si(100)表面上STM诱导荧光分子发光现象，并首次实现了硅衬底上分子团簇的STM电致发光。硅是半导体，其本征的等离激元模式在高能区域，在我们关注的可见区很弱，因此可以认为衬底等离激元对分子没有多少影响。分子如果直接吸附在Si（100）表面，由于与表面悬挂键之间的相互作用，分子的本征性质会被破坏，而H钝化后的Si（100）衬底表面则阻隔了这种直接相互作用，而且作为厚度最薄的钝化层，H钝化层还起到了脱耦合层的作用。我们通过氢钝化技术得到了H-Si（100）-2×1重构表面，并详细研究了PTCDA、TPP、ZnTPP以及H2TBPP分子在这个重构表面上的电致发光现象。PTCDA、TPP以及ZnTPP分子和衬底之间可能仍然存在较强的相互作用，我们没有检测到分子的本征荧光。而H2TBPP卟啉由于分子周围八个叔丁基的作用，将中心的卟啉环抬高，在一定程度上增加了分子与衬底之间的脱耦合效果，使我们能检测到来自H2TBPP分子的HOMO-LUMO荧光。(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2011-10-01）
陈留国[8]（2011）在《扫描隧道显微镜诱导发光中的光学检测和单分子发光研究》一文中研究指出随着器件尺寸不断缩小到纳米量级,支配半导体微电子技术发展的摩尔定律有可能将在不久的未来发展到极限。新兴的纳米光电集成技术旨在探索在纳米尺度上将电子学技术与光子学技术相融合的途径,有可能为摩尔定律的延续带来曙光光。研究纳米尺度下、尤其是单分子水平的光电行为,对未来纳米光电子器件的发展具有重要意义。单分子利用其发光特性不仅可以作为对周围纳米环境的传感器,而且单分子发光还具备一定的单光子发射特性,可能作为量子光源用于量子信息、量子处理以及量子密码技术中。然而传统的利用光激发研究单分子发光的方法,受到衍射极限的限制,只能对分子分布很稀疏的样品体系进行研究。利用电激发方法研究单分子发光,可充分利用隧穿电子的局域特性在纳米尺度范围内对分子进行有选择的激发。使用高分辨扫描隧道显微镜(STM)与高灵敏光学检测设备相结合的技术可以在空间、时间、能量叁个方面实现对单分子光电行为的高分辨表征与检测。由于单分子发光信号极其微弱,为了减小实验难度,一方面需要在设备研制方面实现高效光子收集和检测系统与STM的有效结合,另外一方面需要优化样晶结构来提高量子转化效率,从而降低对长检测时间和高电流的依赖,获得清晰、可靠、有价值的光学数据来阐释纳米尺度的光电现象及其本质。本论文的工作集中在如何优化STM诱导发光(STML)中的光子收集系统和样品结构,提高光子信号强度以及拓展新的STM诱导发光检测手段。全文将分为五个部分进行讨论。第一·章,我们简略介绍了STM诱导发光的研究背景。首先介绍表面等离激元的发展历史和物理特性及其应用；然后分别对金属、半导体和有机分子体系的STM诱导发光的研究状况进行了介绍；最后我们简单介绍了单光子检测的原理和方法。第二章,我们首先对以前STML测量中各种收集方法的优缺点进行了比较。我们采取了两个非球面透镜的收集方案,并且用Zemax软件进行优化,模拟结果和实验给出的结果都充分显示了我们的半球光子收集效率达到13%。我们还对光学测量功能进行拓展,开发了雪崩光二极管(APD)光子图功能、同步彩色光子图功能、针尖增强拉曼光谱测量以及单光子检测功能等。第叁章,我们利用优化过的STML光子检测方法,在皮安量级隧穿电流和毫秒曝光时间内对分子进行表面等离激元发光的亚分子分辨成像。我们发现,分子对针尖诱导的等离激元发射具有调制作用,在分子岛内部会减弱发光,而在分子岛边缘发光会显着增强。我们运用有效介质理论对分子膜上光子强度进行了数值模拟,认为亚分子分辨光子图的形成是由隧道结间距相关的等离激元场增益和隧穿电子的高度局域化激发二者共同作用的结果。第四章第一部分中我们选择具有较好空穴传输特性的a-6T分子作为发光分子,研究多层α-6T自组装生长性质和相关的光学性质,我们在5层α-6T的得到了较好的光致α-6T荧光,但却没有得到电致荧光,我们从经典电磁理论和量子隧穿角度对结果进行了分析,表明脱耦合在STM诱导分子发光中并非充分条件,分子的电子结构、能级对准也是需要考虑的因素；第二部分我们将α-6T分子作为脱耦合层对卟啉分子进行STM诱导发光研究,在实验中观察到了以前从未观察到的高到10-3光子/电子的量子产率。我们认为如此之高的量子产率并非来自于针尖与分子的接触,而是源自α-6T提供的丰富的空穴与针尖电子的高效复合,等离激元与分子激子的耦合对分子发光的增强也有很重要的作用。第五章我们研究利用NaC1作为脱耦合层来获得单个卟啉分子的STM诱导发光。实验中我们还在分子团簇上观察到光谱移动和分裂现象。我们认为光谱的分裂主要是由于电子同时激发几个分子导致,光谱移动是由于NaC1衬底的偶极电荷导致分子的能级发生移动。利用含时密度泛函(TD-DFT)方法,我们对NaC1偶极电荷引起的分子激发能量移动进行了计算,计算结果与实验结果表现出了一致的趋势。最后我们利用光子相干检测手段对卟啉分子STM诱导发光进行了初步实验,二次相干函数在延迟为零的地方显示出微小的倒尖峰(dip)结构,表明了电致卟啉分子发光可能具有一定的单光子发射特性。(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2011-05-01）
陶兴[9]（2011）在《扫描隧道显微镜诱导发光的理论研究》一文中研究指出扫描隧道显微镜(STM)不仅能对纳米世界进行原子分辨的观察和操纵,而且其隧穿电流作为高度局域化的激发源,可以用来激发隧道结发光,从而提供了隧道结中与各种激发衰减相关的局域电磁性质的信息。不仅如此,STM诱导分子发光将分子电子学与分子光电子学结合了起来,从而同时实现了超高空间分辨和超高化学分辨的探测。为了深入了解分子的光学跃迁及其相关的能量转移过程,我们首先需要得到STM诱导的分子光学跃迁发光。然而,当分子直接吸附在金属表面时,分子荧光会被淬灭掉。因此,为了实现真正的分子发光,我们需要在发光分子和金属衬底之间加入脱耦合层,从而减少从分子到金属衬底的非辐射能量转移。另一方面,发光分子和金属衬底的表面等离激元的电磁相互作用会对分子发光光谱的谱形和强度起到调制作用。本论文首先研究了单纯起脱耦合作用的分子层对STM诱导金属表面等离激元发光光谱的影响,然后进一步将我们的理论扩展到与四苯基卟啉(TPP)分子的电子振动能级跃迁相关的STM诱导发光。我们发现,纳腔等离激元的共振激发能在很大程度上调制发光光谱,甚至产生从激发态的高振动能级S_1(1)和S_1(2)到基态跃迁的热荧光。为了得到更强的纳腔等离激元模式,从而实现更强的共振激发,我们还研究了二维等离激元光子晶体中纳腔场增益的优化问题。本论文主要分为以下四个部分。在第一章中,我们首先简单介绍了表面等离激元的定义,基本原理,以及与之相关的一些新效应和新应用。我们还介绍了STM的基本概念和一些常用的与STM相关的理论计算方法。然后,我们较为全面地介绍了STM诱导发光的理论研究进展,最后我们简单介绍了近期STM诱导分子发光的实验进展。在第二章中,我们利用第一性原理和经典电动力学相结合的方法,阐释单纯起脱耦合作用的介质层对STM诱导金属表面等离激元发光的影响。我们首先利用密度泛函理论(DFT)计算沿与金属表面垂直的方向的有效电势,并通过Schr?dinger方程求解体系电子波函数,进而求出隧穿电流。然后,我们用单叶旋转双曲面来模拟STM针尖,利用边界元(BEM)方法计算STM针尖与金属衬底之间的纳腔场增益因子。而对于隧道结光子发射的辐射功率的计算则是利用了经典电动力学中的倒易原理。我们具体研究了两个典型体系,一个是以分子层作为脱耦合层的体系(Metal tip/C_(60)/Au(111));另一个则是以氧化层作为脱耦合层的体系(Metal tip/Al_2O_3/NiAl(110))。我们发现,介质层的加入会导致发光强度的明显减弱,但对光谱的形状和发光的峰位的影响却很小。我们证明了介质层对发光的抑制是由于针尖与金属衬底的距离增加,从而针尖与金属衬底的电磁相互减弱所导致。而加入介质层后发光峰位之所以相对固定,则是由于针尖与金属衬底距离的增加所导致的蓝移现象与介质层的介电屏蔽效应引起的红移现象二者相互竞争后的妥协结果。值得注意的是,我们的理论计算结果之所以能与实验报告相吻合,主要是因为我们利用DFT恰当地描述了介质层对体系电势分布的影响,从而精确计算了有介质层时针尖与金属衬底之间的距离。我们发现,当金属表面吸附介质层时,尽管针尖与金属衬底的间距会增大,但真空层的距离却会有些相对减小。在第叁章中,我们研究了纳腔等离激元(NCP)对STM诱导分子发光的调控效应。我们利用独立衰减振子模型模拟分子的电子振动能级跃迁,采用有效介质理论处理分子与金属衬底的电磁相互作用,从而用分子和金属衬底的介电函数按照一定的体积权重因子的协同贡献来定义有效介质的介电函数((ε|-) )。我们具体研究了实验中常用的STM诱导Au(111)表面5层TPP分子发光的光谱。我们发现,当STM针尖与金属衬底之间的纳腔等离激元模式被调到和TPP分子的某个电子振动跃迁的能量匹配时,与该跃迁模式相对应的发光峰就会有显着增强。通过对纳腔等离激元的调节,我们甚至还得到了TPP分子从分子电子激发态的高振动能级S1(1)和S1(2)到基态跃迁的热荧光。不仅如此,我们还发现,纳腔等离激元共振能量的移动会导致TPP分子发光峰沿着NCP共振模式的方向做微小的移动。我们理论计算的结果和实验取得了很好的吻合。我们认为以上调控效应是由于纳腔等离激元共振激发分子后,分子在非平衡激发态上通过共振荧光的过程发光所导致的。在第四章中,为了进一步探讨等离激元场增益效应的提高途径,以便于增加分子的自发发射速率,我们利用时域有限差分(FDTD)方法研究了具有中心缺陷的二维等离激元光子晶体(2D-PPC)中Ag纳米棒的半径r对中心纳腔共振模式的场增益的优化方案。我们发现,在所研究的六角型等离激元光子晶体中,同时存在单个Ag纳米棒的局域表面等离激元(LSP)共振模式和光子晶体围绕缺陷的纳腔共振模式,且随着半径r的增大,纳腔共振模式的相对强度会增大,而LSP的相对强度会逐渐变小,以至于最后在频谱中看不到LSP的信号。更为重要的是,我们发现对应最优化的场增益效应,金属Ag纳米棒存在一个临界半径,即当纳米棒半径r等于PPC周期d的叁分之一时,例如对于d=375nm,当r_c=d/3=125nm时,PPC中的纳腔共振模式有最强的场增益、最好的光场限域性以及最大的品质因子Q。我们将这种场增益优化效应归因于当r=r_c时,纳腔共振模式的波长进入光子晶体禁带,从而阻止光辐射出光子晶体;而当r超过r_c时,纳腔共振模式的能量就会部分转移给Ag纳米棒之间的等离激元。所观察到的临界半径正是这两种机制相互竞争的结果。不仅如此,我们还发现纳腔共振模式的能量在临界半径r_c处达到极大值,且随着半径r的变化可以在很大范围内有规律地变化。例如,当r从62.5nm增大到125nm时,共振波长从~526nm蓝移到~488nm。我们的计算结果不仅给出了一种获得最强场增益效应的方法,还提供了一种通过改变金属纳米棒的半径来调节纳腔共振模式的能量以及等离激元光子晶体禁带位置的方法,为实现最强的纳腔等离激元共振激发荧光现象提供了理论依据。同时,这些结果也为纳腔中量子发光体的自发辐射率的共振增强以及等离激元纳米激光器性能的提高提供了新思路。(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2011-05-01）
高洪营[10]（2011）在《扫描隧道显微镜诱导的金属表面有机分子多层膜发光研究》一文中研究指出随着信息技术的高速发展,光电子器件步入了纳米尺度。纳米光电子学应运而生,它集合了纳米电子学与光子技术,主要研究如何控制纳米尺度内电子与光子之间的相互作用。纳米等离激元光子学则是近年来纳米光子学领域中研究十分活跃的一个新兴分支。在本论文中,我们主要利用扫描隧道显微镜针尖诱导发光技术(STML),来研究亚波长尺度内电子、光子、表面等离激元与激子(分子激发态视为偶极)之间的相互耦合作用。扫描隧道显微镜诱导发光技术是通过扫描隧道显微镜(STM)针尖高度局域的隧穿电子非弹性隧穿激发隧道结发光,并利用高效率的光子收集系统与高灵敏的光子检测系统来测量隧道结发射出的光子信息。它具有超高的空间、时间、能量分辨率,揭示了亚波长尺度隧道结内所发生的各种电光转换过程,有助于我们理解纳米尺度载流子输运与复合特征、能量转移与传递过程。在第一章中,我们概要地阐述了STML技术和纳米等离激元光子学的背景。其中,我们将突出介绍STML技术应用于研究纳米等离激元光子学的独特优势以及其发展潜力。通过扫描隧道显微镜技术与单光子检测技术的技术集成,我们力求在单分子尺度上对电子、光子、等离激元、激子与声子等量子体系之间的相互作用给出清晰的物理图像,并最终实现纳米环境中单量子体系量子态的精确控制。在第二章中,我们研究金属表面多层卟啉分子薄膜的扫描隧道显微镜诱导发光现象。实验中,我们发现针尖-衬底组成的纳米谐振腔中针尖诱导等离激元发光模式会随针尖状态变化而发生改变。通过脉冲修饰针尖或者选择不同的针尖,我们可以获得不同等离激元模式的纳米谐振腔。当谐振腔中引入卟啉荧光分子后,我们发现,由于金属表面的荧光淬灭效应,卟啉分子偶极需要一定的脱耦合作用才能实现中性分子偶极发光。在本工作中,这种脱耦合作用是通过底层的卟啉分子来实现的。实验发现,在亚波长尺度的纳米谐振腔中等离激元与卟啉分子偶极之间存在较强的相互耦合作用。当卟啉分子偶极的跃迁能级与等离激元的模式相匹配时,会发生明显的卟啉分子荧光共振增强,甚至会使得一些原本难于实现的分子高振动激发态能级直接向下辐射跃迁而发光,即产生热荧光现象。进一步,我们还发现了分子能量上转换发光现象,并提出了等离激元辅助的分子上转换荧光机制。在第叁章中,我们研究金属表面上卟啉衍生物超薄膜的结构与组装,并初步探索卟啉衍生物分子的STM诱导发光现象。在实验中,我们通过STM图像研究了母体OxP卟啉内环N键上不同取代基的化学修饰对卟啉分子结构与金属表面分子自组装的影响。由于通常情况下卟啉衍生物分子在热蒸发时并不稳定,我们探索出利用溶液滴组装的方式实现分子超薄膜样品制备。在此基础上,我们在金属表面制备了大卟啉衍生物分子Bz20xP, NaPh20xP, Pyr2OxP, Porph2OxP超薄膜。STM图像显示,随着取代基团进一步增大(苄基Bz→萘甲基NaPh→芘甲基Pyr→卟啉环甲基Porph),其金属表面有序组装难度逐渐加大,且往往需要低温退火才能观察其表面小范围有序结构。实验发现,不同的取代基会修饰并改变金属表面分子构型以及其自组装结构。但从另一个角度,随着取代基的增大,分子跟衬底间的淬灭效应减弱,有助于实现单个分子荧光,这将是实现单分子发光的一个重要途径。但实验表明,我们所研究的这些卟啉衍生物其自身的脱耦合相应仍然不够,仍不能产生源于分子的本征发光,所获得的针尖-卟啉衍生物-衬底隧道结发光更多的反映了隧道结中纳米等离激元发光的特征,分子的引入是作为间隔层,减弱了等离激元发光的强度。在第四章中,我们探讨了分子激发态寿命对于隧道节内分子发光的影响,并在此基础上展开了金属表面长寿命(～μs)叁重态分子(PtOEP, Eu(dpm)3和Ir(ppy)3)多层膜的扫描隧道显微镜诱导发光研究。实验证实,有机发光二极管(0LED)中常见的叁重态分子PtOEP可以在金属表面热蒸发沉积生长成平整有序的多层超薄膜结构,但即使在光致金属表面超薄膜磷光信号非常强的时候,仍然没有观察到隧道结电致PtOEP分子叁重态发光。进一步,我们还研究了稀土离子类叁重态分子(Eu(dpm)3和Ir(ppy)3)的组装与STML发光特征。由于Eu(dpm)3和Ir(ppy)3分子均为极性分子,分子间相互作用较强,所以其在金属表面无法形成有序结构。但对于Eu(dpm)3分子,其在多层膜之后则逐渐展现部分分子有序结构,体现了Eu(dpm)3分子的独特性。与PtOEP分子类似,稀土离子类分子多层膜STM诱导发光也没有观察到分子发光信号。造成这一现象的根本原因,可能在于两方面因素。一方面,扫描隧道显微镜针尖高度局域的电子注入激发(可达到单分子激发水平)与分子叁重态长寿命共同导致光子发射过程的动力学速率过低。另一方面,叁重态分子能级中缺少能够与纳腔等离激元发生耦合作用的电子态,即纳腔等离激元只能泵浦激发增强分子单重态之间的跃迁,而无法直接泵浦激发基态分子进入叁重态能级。最后,我们将初探在隧道节内引入复杂OLED结构(电子传输层一发光层一空穴传输层结构)的扫描隧道显微镜诱导发光研究。首先我们设计了多层PtOEP—7层TPP分子样品的隧道结发光,并获得了TPP分子发光信息,但是没有观察到PtOEP分子发光信息,而同时测得的光致发光信息则同时包含PtOEP和TPP分子的信息。实验表明,对于隧道结内复杂分子结构是可以实现分子发光的,同时隧道结内发光的分子也可以并非最外层分子发光。我们还设计了Eu(dpm)3—TPD以及Alq3—Eu(dpm)3—TPD分子体系的扫描隧道显微镜诱导发光实验。但其电致发光结果却始终表现为等离激元发光的特征,无分子发光信息。这种传统OLED结构在隧道结中之所以观察不到分子发光,究其原因,可以归结为两类：第一,电子传输层或者空穴传输层厚度不够,不足以起到控制载流子传输的作用,无法实现电子和空穴两种载流子在特定位置的复合辐射；第二,扫描隧道显微镜针尖的高度局域注入,不能形成有效的截面电流,不利于OLED结构的发光。总结,我们通过利用扫描隧道显微镜针尖诱导发光技术,研究了隧道结内纳米尺度上的电子与光子、等离激元与激子之间的耦合与转换相互作用。另一方面,在STM诱导分子发光中有效的脱耦合作用是实现分子发光的必需条件,而非充分条件。这些研究结果将为纳米等离激元技术的发展提供有用的科学信息与依据。(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2011-05-01）
扫描隧道显微镜诱导发光论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
利用扫描隧道显微镜(STM)中高度局域的隧穿电子可以激发吸附在其表面的分子体系并使之发射出光子。我们从理论计算的角度对这一过程进行了系统的研究,其中重点研究了STM针尖与衬底间形成的局域表面等离激元对分子发光特性的影响。为了同时处理隧穿电子和局域表面等离激元对分子的激发,我们发展了一套密度矩阵方法并利用这一方法对卟啉衍生物分子的STM电致发光行为进行了模拟。通过理论计算发现局域表面等离激元诱导产生的受激辐射是造成实验上观测到的分子电致发光光谱谱型改变的成因[1,2]。同时,我们通过将密度矩阵方法与第一性原理计算相结合计算出了C_(60)分子在STM激发下的荧光和磷光光谱。计算结果与实验结果符合的非常好,从而使得我们可以对实验上测得的发光光谱给出合理的指认[3]。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
扫描隧道显微镜诱导发光论文参考文献
[1].王慧芳.纳腔等离激元在针尖增强拉曼光谱和扫描隧道显微镜诱导分子发光中的应用探究[D].中国科学技术大学.2018
[2].田广军,罗毅.扫描隧道显微镜诱导产生的单分子电致发光特性的理论研究[C].中国化学会第30届学术年会摘要集-第十九分会：化学中的量子与经典动力学.2016
[3].郁云杰.扫描隧道显微镜诱导发光技术在纳米表征中的应用[D].中国科学技术大学.2016
[4].姜建伟.多层锌卟啉分子薄膜扫描隧道显微镜诱导发光[D].华东师范大学.2015
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[8].陈留国.扫描隧道显微镜诱导发光中的光学检测和单分子发光研究[D].中国科学技术大学.2011
[9].陶兴.扫描隧道显微镜诱导发光的理论研究[D].中国科学技术大学.2011
[10].高洪营.扫描隧道显微镜诱导的金属表面有机分子多层膜发光研究[D].中国科学技术大学.2011
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