导读:本文包含了介质刻蚀论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:激光,介质陶瓷,刻蚀,滤波器
介质刻蚀论文文献综述
许来涛,唐普洪,胡元云,丰崇友[1]（2015）在《激光刻蚀制备微波介质陶瓷滤波器工艺研究》一文中研究指出采用激光在微波介质陶瓷滤波器的镍、铜、银的镀层表面刻蚀制备耦合电容图形。分别研究了激光刻蚀功率、激光刻蚀速度对图形微槽深度、产品合格率和产品二次污染率的影响。结果表明,在激光刻蚀速度一定时,耦合电容图形微槽的深度、产品的二次污染率随激光刻蚀功率先增大后减小,激光刻蚀功率为15 W时达到最大值;在激光刻蚀功率一定时,耦合电容图形微槽的深度、产品的二次污染率随激光刻蚀速度的增大而减小。产品合格率在激光刻蚀速度一定时,激光刻蚀功率达到13 W以后保持在95%以上;在激光刻蚀功率一定时,激光刻蚀速度达到1 000mm/min以前保持在95%以上。因此最佳的激光刻蚀参数为:刻蚀速度为800mm/min,刻蚀功率为18 W。(本文来源于《应用激光》期刊2015年05期）
[2]（2014）在《中微介质刻蚀机Primo AD-RIE荣获第十六届工博会金奖》一文中研究指出2014第十六届中国国际工业博览会圆满闭幕。在本届工博会上,中微公司的介质刻蚀机Primo AD-RIE从上千家参展企业中脱颖而出,被授予工博会金奖。这是中微继去年MOCVD Prismo D-BLUE夺得工博会银奖第一名之后,再获殊荣,更上层楼。Primo AD-RIE采用了一系列具有自主创新知识产权的、国际首创的设计和技术,包括:可切换频率的射频系统,改良的反应室室内材料,叁通路精控气体调节,精确的双区温控系统等。以Primo ADRIE为代表的中微刻蚀设备填补了国内空白,并已成功进入海内外市场,同时也有力地推动了产业上下游产品的研制和生产。(本文来源于《集成电路应用》期刊2014年12期）
赵佶[3]（2014）在《中微发布业界首创介质刻蚀及除胶一体机Primo iDEA(TM)》一文中研究指出中微半导体设备有限公司(简称"中微")近日发布PrimoiDEA(TM)("双反应台介质刻蚀除胶一体机")——这是业界首次将双反应台介质等离子体刻蚀和光刻胶除胶反应腔整合在同一个平台上。PrimoiDEA(TM)主要针对2X纳米及更先进的刻蚀工艺,运用中微已被业界认可的D-RIE刻蚀技术和Primo平台,避免了因等离子体直接接触芯片引发的器件损伤(PID),提高了工艺的灵活性,减少了生产成本,提高了生产效率并使占用生产空间更优化。对于2X纳米及更先进刻蚀工艺的芯片来说,它们对表面电荷的积累极其敏感,并且面临着PID带来的潜在风险。PrimoiDEATM可将4个等离子体反(本文来源于《半导体信息》期刊2014年04期）
周洋,王德苗,金浩,郑小婵[4]（2014）在《一种激光刻蚀制作圆柱形介质天线的方法》一文中研究指出圆柱形介质加载四臂螺旋天线因宽波束、圆极化、体积小等优点被认为是微小卫星天线的理想方案。为了解决介质加载四臂螺旋天线制作的难点,提出了一种全新的磁控溅射金属化加激光刻蚀的新工艺,采用计算机数控结合激光刻蚀的柔性加工技术,制作出3维立体的四臂螺旋结构,制备了应用于微小卫星系统的介质加载四臂螺旋天线,相对于传统工艺,大大提高了加工精度,并缩短了加工周期。结果表明,天线的电气性能达到了设计要求,且具有良好的机械性能。该研究为以后此类曲面共形天线的制作提供了参考。(本文来源于《激光技术》期刊2014年03期）
钱侬,叶超,崔进[5]（2014）在《SiCOH低k介质中低表面粗糙度沟道的刻蚀研究》一文中研究指出采用60 MHz/2 MHz双频率驱动的容性耦合放电等离子体技术,以C2F6/O2/Ar为刻蚀气体,开展了SiCOH低k介质中刻蚀低表面粗糙度沟道的研究。主要研究了O2/C2F6流量比对与SiCOH低k薄膜之间的刻蚀选择性的影响,以及O2/C2F6流量比、下电极功率对沟道刻蚀特性的影响。发现在O2/C2F6流量比为0.1以下时,光致抗蚀剂掩膜层与SiCOH低k薄膜之间具有较好的刻蚀选择性。对于沟道刻蚀,在O2/C2F6流量比为0.1时,下电极功率对沟道的表面粗糙度和剖面结构具有明显的影响。在下电极功率为30 W时,刻蚀的沟道底部平坦、沟道壁陡直,槽形完好,沟道底面的平均表面粗糙度降低至3.32 nm,因此,可以在SiCOH低k薄膜中刻蚀剖面结构完整的低表面粗糙度沟道。(本文来源于《真空科学与技术学报》期刊2014年01期）
徐向东,刘颖,邱克强,刘正坤,洪义麟[6]（2013）在《HfO_2顶层多层介质膜脉宽压缩光栅的离子束刻蚀》一文中研究指出多层介质膜光栅是高功率激光系统的关键光学元件.为了满足国内强激光系统的迫切需求,首先利用考夫曼型离子束刻蚀机开展了HfO2顶层多层介质膜脉宽压缩光栅的离子束刻蚀实验研究.采用纯Ar及Ar和CHF3混合气体作为工作气体进行离子束刻蚀实验,获得了优化的离子源工作参数.结果表明,与纯Ar离子束刻蚀相比,Ar和CHF3混合气体离子束刻蚀时的HfO2/光刻胶的选择比大.HfO2的离子束刻蚀过程中再沉积效应明显,导致刻蚀光栅占宽比变大.根据刻蚀速率分布制作的掩模遮挡板可以提高刻蚀速率均匀性,及时清洗离子源和更换灯丝,可保证刻蚀工艺的重复性.利用上述技术已成功研制出多块最大尺寸为80 mm×150 mm、线密度1480线/mm、平均衍射效率大于95%的HfO2顶层多层介质膜脉宽压缩光栅.实验结果与理论设计一致,为大口径多层介质膜脉宽压缩光栅的离子束刻蚀提供了有益参考.(本文来源于《物理学报》期刊2013年23期）
陈赐海[7]（2012）在《激光刻蚀实现介质谐振器参数微调的研究》一文中研究指出研究提出激光刻蚀加工技术的新方法,实现微波陶瓷介质谐振器的参数微调。首先运用电磁理论推导求解本征值问题的有限元法,利用该方法验证了机械调节谐振器参数存在的缺点,重点研究激光刻蚀微调操作中存在的几种影响因素,获得激光微调参数与谐振频率改变量的关系式。最后用自制相对频率误差小于0.2%的微波介质谐振器验证了激光刻蚀法微调的优势。(本文来源于《压电与声光》期刊2012年05期）
胡利勤[8]（2010）在《刻蚀型介质后栅FED器件的研究》一文中研究指出针对后栅型场致发射显示器(FED)器件介质层制作困难的问题,提出采用刻蚀型介质制作后栅型FED器件。该器件采用普通银浆制作栅极电极,以刻蚀型介质制作介质层,采用感光银浆制作阴极电极,并作为介质刻蚀的掩膜层,CNT为阴极发射材料。器件耐压测试结果表明该介质层耐压性能良好,场发射测试结果表明该器件场发射性能优良。(本文来源于《光电子技术》期刊2010年04期）
李铭,张彬,戴亚平,王韬,范正修[9]（2009）在《多层介质膜光谱调制反射镜的反应离子束刻蚀误差容限》一文中研究指出在千焦拍瓦高功率放大系统设计中,激光脉冲的时空和光谱整形技术一直受到人们的广泛关注。利用反应离子束刻蚀等微纳超精细加工而成的多层电介质结构反射镜可在高功率条件下实现啁啾脉冲的光谱整形。在光谱整形介质结构反射镜的设计与制造中,需要根据要求的反射率来合理提出反应离子束刻蚀误差容限指标。推导出反应离子束刻蚀误差容限的解析表达式。针对神光Ⅱ千焦拍瓦高功率放大系统设计中提出的多层介质光谱调制反射镜,分析了调制结构反射镜各层加工的容许误差,确定了反应离子束刻蚀误差容限指标。研究表明:刻蚀高折射率介质的加工误差容限为35 nm;刻蚀低折射率介质的加工误差容限为62 nm。此外,还从使用需要和加工难易的角度,对刻蚀方案进行了讨论。就加工难易程度而言,优选反应离子束刻蚀方案,且采用刻蚀并残留低折射率介质的方案更容易实现。(本文来源于《强激光与粒子束》期刊2009年05期）
[10]（2009）在《90/65纳米介质刻蚀机》一文中研究指出中微半导体设备(上海)有限公司的90/65纳米介质刻蚀机荣获2008年度中国半导体创新产品和技术奖。1产品简介中微公司Primo D-RIE系列90、65纳米刻蚀设备采用创新的设计,可应用于12英寸直径晶圆,90纳米及更高端工艺的芯片制造。具有自主知识产权(本文来源于《中国集成电路》期刊2009年05期）
介质刻蚀论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
2014第十六届中国国际工业博览会圆满闭幕。在本届工博会上,中微公司的介质刻蚀机Primo AD-RIE从上千家参展企业中脱颖而出,被授予工博会金奖。这是中微继去年MOCVD Prismo D-BLUE夺得工博会银奖第一名之后,再获殊荣,更上层楼。Primo AD-RIE采用了一系列具有自主创新知识产权的、国际首创的设计和技术,包括:可切换频率的射频系统,改良的反应室室内材料,叁通路精控气体调节,精确的双区温控系统等。以Primo ADRIE为代表的中微刻蚀设备填补了国内空白,并已成功进入海内外市场,同时也有力地推动了产业上下游产品的研制和生产。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
介质刻蚀论文参考文献
[1].许来涛,唐普洪,胡元云,丰崇友.激光刻蚀制备微波介质陶瓷滤波器工艺研究[J].应用激光.2015
[2]..中微介质刻蚀机PrimoAD-RIE荣获第十六届工博会金奖[J].集成电路应用.2014
[3].赵佶.中微发布业界首创介质刻蚀及除胶一体机PrimoiDEA(TM)[J].半导体信息.2014
[4].周洋,王德苗,金浩,郑小婵.一种激光刻蚀制作圆柱形介质天线的方法[J].激光技术.2014
[5].钱侬,叶超,崔进.SiCOH低k介质中低表面粗糙度沟道的刻蚀研究[J].真空科学与技术学报.2014
[6].徐向东,刘颖,邱克强,刘正坤,洪义麟.HfO_2顶层多层介质膜脉宽压缩光栅的离子束刻蚀[J].物理学报.2013
[7].陈赐海.激光刻蚀实现介质谐振器参数微调的研究[J].压电与声光.2012
[8].胡利勤.刻蚀型介质后栅FED器件的研究[J].光电子技术.2010
[9].李铭,张彬,戴亚平,王韬,范正修.多层介质膜光谱调制反射镜的反应离子束刻蚀误差容限[J].强激光与粒子束.2009
[10]..90/65纳米介质刻蚀机[J].中国集成电路.2009