导读:本文包含了硼扩散源论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:氮化硼片,均匀性,片状,石英舟
硼扩散源论文文献综述
[1]（1978）在《采用片状氮化硼扩散源提高TTL电路质量》一文中研究指出硅固态平面扩散源是七十年代出现的一种新的扩散技术,由于它具有均匀的扩散浓度,好的重复性和大大提高劳动生产率的优点,特别是随着硅片直径的增大、浅结扩散的采用促使氮化硼平面源的应用得到推广。我厂自76年年底开始采用片状氮化硼后使TTL电路的质量得到了一定程度的提高,最近四机部在上海召开了片状氮化硼扩散源经验交流会,使氮化硼的应用又取得了进展。(本文来源于《半导体技术》期刊1978年02期）
王义[2]（1977）在《硼扩散源及其在半导体器件中的应用》一文中研究指出在半导体器件的制造工艺中,向硅衬底中掺以P型或N型杂质形成PN结的时候居多,但是,本文应用的是形成PN结最基本的方法——杂质热扩散法。通常,这种扩散工艺由淀积和推进扩散二个阶段组成。首先,在淀积工艺中,在硅表面形成浅的高浓度杂质扩散区域,紧接着在推进扩散工艺中使结向更深的硅衬底内部浸透,控制表面杂质浓度。可以说,这种杂质浓度的控制和结深的控制左右着器件的性能。进而,这种扩散的好坏受到淀积工艺相当大的影响。因此,本文在说明了淀积工艺中P型杂质硼源概况的同时,着重介绍一下最近Owens-Illinois公司研究的新硼扩散源“硼~(+TM)(以下TM略去)的特点。(本文来源于《微电子学》期刊1977年02期）
萩木佳叁,王万里[3]（1977）在《硼扩散源及其在半导体器件中的应用》一文中研究指出在半导体器件工艺中,多数情况是在硅衬底中掺 p 型或者 n 型杂质形成 pn 结。而最基本的 pn 结形成方法,一般采用杂质的热扩散法。通常,这种扩散工艺是由预沉积和再扩散两步工序组成的。首先是预沉积工序,它是在硅表面形成浅的高浓度杂质扩散区,其次是再扩散工序,它是使结更深地向硅衬底内推进,控制表面杂质浓度。认为控制了这个杂质浓度和结深就确定了半导体器件的性能,这种说法也并不过分。而且还可以说,预沉积将大大影响扩散的好坏。因此,本文简要说明一下关于预沉积中 p 型杂质(硼)扩散源的情况。同时,介绍一下最近 Owens-Illinois 公司研究的新的硼扩散源“Boro+~(TM)”(以下省略 TM)的优点。(本文来源于《半导体情报》期刊1977年04期）
黄可旦[4]（1972）在《氮化硼扩散源》一文中研究指出到目前为止,极大多数的分立元件和集成电路的制造都是采用液态叁溴化硼或者汽态乙硼烷作为硅热扩散的 P 型扩散源。这两种方法都不能完全满足一个理想系统的要求:相等的杂质物质转移到所有硅片上,每一硅片所有部位都有均匀的杂质浓度;(本文来源于《微电子学》期刊1972年05期）
[5]（1970）在《用乙硼烷作硅中硼扩散源》一文中研究指出研究了以乙硼烷(B_2H_6)作硼扩散源的情况。在950℃至1200℃温度下氧化和还原时,所用的气体浓度为1.5至700ppm。氧化条件下获得的重复性和均匀性十分良好。并认为B_2H_6氧化时形成的水对分布在炉管中的硼掺杂片有重要的影响。在还原条件下所得的结果是不甚满意的,但还原条件可以应(本文来源于《压电与声光》期刊1970年02期）
硼扩散源论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
在半导体器件的制造工艺中,向硅衬底中掺以P型或N型杂质形成PN结的时候居多,但是,本文应用的是形成PN结最基本的方法——杂质热扩散法。通常,这种扩散工艺由淀积和推进扩散二个阶段组成。首先,在淀积工艺中,在硅表面形成浅的高浓度杂质扩散区域,紧接着在推进扩散工艺中使结向更深的硅衬底内部浸透,控制表面杂质浓度。可以说,这种杂质浓度的控制和结深的控制左右着器件的性能。进而,这种扩散的好坏受到淀积工艺相当大的影响。因此,本文在说明了淀积工艺中P型杂质硼源概况的同时,着重介绍一下最近Owens-Illinois公司研究的新硼扩散源“硼~(+TM)(以下TM略去)的特点。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
硼扩散源论文参考文献
[1]..采用片状氮化硼扩散源提高TTL电路质量[J].半导体技术.1978
[2].王义.硼扩散源及其在半导体器件中的应用[J].微电子学.1977
[3].萩木佳叁,王万里.硼扩散源及其在半导体器件中的应用[J].半导体情报.1977
[4].黄可旦.氮化硼扩散源[J].微电子学.1972
[5]..用乙硼烷作硅中硼扩散源[J].压电与声光.1970