导读:本文包含了整流管论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:轻型整流管,铝管壳,管壳设计,电气特性验证
整流管论文文献综述
全靓,操国宏,李勇,朱为为[1]（2019）在《轻型整流管的管壳设计及性能研究》一文中研究指出为了研制高强度、高稳定性、高气密性的轻型整流管管壳,从结构设计入手,一是阐述整流管管壳设计方法,探讨管壳制造流程及难点;二是采用铝合金材料,设计轻型整流管管壳结构,针对难点提出技术处置方法;叁是通过管壳外绝缘理论计算以及管壳外部电场仿真,验证轻型整流管管壳设计合理性。研究案例表明:对于外台面直径为78 mm的整流管管壳,新设计的铝管壳重量仅为899 g,较同尺寸铜管壳重量减轻49%。采用铝管壳器件和铜管壳器件样品,对比开展电气特性验证。结果表明:铝管壳器件封装后的高温耐压能力和热循环负载能力与铜管壳器件相当,且铝管壳器件在推荐安装力下的接触压降与铜管壳器件相当。为航空航天、深海探测等领域中使用的轻型整流管管壳提供了一种新的设计方案。(本文来源于《工业技术创新》期刊2019年03期）
闫丽红,王永顺,韩根亮[2]（2018）在《一种新型肖特基整流管设计》一文中研究指出为了提高功率肖特基整流管的反向击穿电压、抗浪涌能力,采取加场限环的方法从有源区参数、外延材料、流片工艺、产品电参数、可靠性等方面进行全面设计,制造了一种新型结势垒肖特基整流管JBS(Junction Barrier Schottky Rectifier)。经测试,器件的电参数水平正向电压VF为0.85 V~0.856 V,反向电流IR为4.0μA~50.5μA,反向电压VR为307.5 V~465.2 V,抗静电水平从低温退火的6 k V~12 k V提高到15 k V。经高温直流老化测试,器件的可靠性达到了预期的设计要求。(本文来源于《电子器件》期刊2018年05期）
王峰瀛,范晓波[3]（2018）在《高功率半导体整流管芯片散热效率计算仿真》一文中研究指出为了保证芯片性能,避免芯片受损,对高功率半导体整流管芯片散热效率进行计算和仿真研究。通过有限体积法进行热计算,利用质量守恒方程、能量守恒方程以及动量守恒方程对热传递问题进行描述,确定高功率半导体整流芯片边界条件,给出散热效率计算公式。在恒温室的防风罩中进行测试,依据模型和边界条件,通过ANSYS参数化编程语言APDL构建高功率半导体整流芯片叁维有限元模型,分析芯片散热情况。研究平行排列微通道、正交网络结构、螺旋环绕结构和树枝分形结构微通道下芯片散热效率。向有限元模型整流管芯片主体施加热载荷,获取不同基板材料的温度分布情况,得到不同基板材料下芯片散热效率。结果表明,高功率半导体整流管芯片微通道应选用树型结构,基板材料应选择Cu/Si C复合基板。(本文来源于《科学技术与工程》期刊2018年21期）
闫丽红,王永顺,刘缤璐[4]（2018）在《10A/300V JBS整流管设计》一文中研究指出在研究功率肖特基整流管的基础上,为提高反向击穿电压、漏电流、抗浪涌能力,采用加场限环的方法,设计并制造了10 A/300 V结势垒肖特基整流管(JBS)。从有源区参数、外延材料、流片工艺、产品电参数、可靠性等方面进行了全面设计。经测试,电参数水平正向电压VF为0.85~0.856 V,反向电流IR为4~50.5μA,反向电压VR为307.5~465.2 V,抗静电水平从低温退火的6~12 kV提高到15 kV,经高温直流老化后,可靠性电参数水平满足预期的设计要求。(本文来源于《电子科技》期刊2018年08期）
田苗[5]（2017）在《烧铝工艺及其在平板压接式整流管芯片的应用研究》一文中研究指出针对航空电源系统对大功率整流管的需求不断增大,文中从欧姆接触理论出发,阐述了铝材料作为欧姆接触材料的优势,研究了适合本单位现有生产条件下的烧铝工艺,又依据用户需求,将烧铝工艺应用在正向额定电流400A、反向峰值电压1600V、最高工作结温180℃、反向恢复时间1μs的快恢复整流管芯片并进行了试验研究。(本文来源于《物联网技术》期刊2017年12期）
[6]（2016）在《意法半导体(ST)高温表面贴装可控硅整流管推进功率模块小型化》一文中研究指出横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)推出了业内首个800V表面贴装可控硅整流管(简称SCR,又称单向晶闸管)。当工作温度达到最高额定150°C时,新产品性能无衰退现象,使得开发人员能够任意缩减功率模块的尺寸,适合工况恶劣且需要高可靠性的电力应用。新产品TM8050H-8SCR的额定输出电流为80A,采用高压D3PAK(TO-268-HV)封装,这让1-10kW中等功率应用能够利用表面贴装的组装效率,使用尺寸更小的印刷电路板和散热器,从而降低系统总体成本。封装的结至外壳热阻极低,仅为0.25°C/W,确保高效散热,引脚至散热片爬电距离很大,(本文来源于《半导体信息》期刊2016年05期）
[7]（2016）在《意法半导体(ST)高温表面贴装可控硅整流管推进功率模块小型化》一文中研究指出中国,2016年9月21日——横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelec-tronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)推出了业内首个800 V表面贴装可控硅整流管(简称SCR,又称单向晶闸管)。当工作温度达到最高额定150°C时,新产品性能无衰退现象,使得开发人员能够任意缩减功率模块的尺寸,适合工况恶劣且需要高可靠性的电力应用。新产品TM8050H-8 SCR的额定输出电流为80 A,采用高压D3PAK(TO-268-HV)封装,这让1~10 k W中等(本文来源于《微型机与应用》期刊2016年19期）
柴彦科[8]（2016）在《20A/600V硅基JBS整流管的研制和一种40mA/120V垂直沟道CRD的研究》一文中研究指出JBS肖特基整流管由于具有高击穿电压、低漏电流、低正向压降及抗浪涌电流强等优点,在移动通讯、电源及高频大功率电子电路中有着广泛的应用。恒流二极管(CRD)由于价格便宜、恒流性能优良、使用方便等优势,是构成各种电子设备的恒流源、保护电路的重要组成部分。近年来,随着发光二极管(LED)产业的飞速发展,越来越多的使用者将JBS肖特基整流管与CRD应用于LED供电线路中,使二者同时也得到快速发展,本论文对二者分别进行了相应的研究,主要开展的工作如下:1、设计并成功制备了一种20A/600V硅基JBS肖特基整流管。有源区采用了蜂窝状分布结构,边缘采用了场限环、TEOS-BPSG、多晶硅和SiO2复合型终端结构,经过测试发现,在正向压降不大于1.5V的情况下,正向电流可达到20A;反向击穿电压(在反向漏电流不大于100μA情况下)可达到600V。并对其温度特性进行了研究,结果表明:随着环境温度的升高,器件的正向压降不断降低;反向击穿电压不断增高,反向泄漏电流也逐渐增大。2、设计了一种40mA/120V硅基垂直沟道环形分布扩散结恒流二极管。有源区设计为P+环相间分布的形式,终端采用了场限环结构。通过Atlas数值仿真工具对恒流二极管的P+扩散区间距、扩散结深等参数进行了相应的数值模拟,并对器件的温度特性进行了研究。通过初步的工艺制备并测试发现,器件未达到预期的恒流目标。经过数值仿真及理论分析,发现造成器件性能较差的原因主要是P+扩散区结深不够及P+扩散区形貌分布不佳,使得沟道长宽比不能满足缓变沟道近似(GCA)基本原理。据此,提出了进一步改进工艺的措施,即利用扩散及离子注入形成P+扩散区工艺,在尽量减小横向扩散的基础上得到较深的P+扩散结深,且要达到沟道长宽比大于4:1;并提出和设计了一种新的基于金属-半导体肖特基接触的沟槽纵向恒流二极管结构。(本文来源于《兰州大学》期刊2016-06-01）
李汝冠,周斌,许炜,曾畅,廖雪阳[9]（2016）在《基于结构函数的大功率整流管封装内部热阻分析》一文中研究指出在对大功率整流管(以下简称器件)进行瞬态热阻抗测试的基础上,基于结构函数分析技术建立器件由热阻、热容组成的RC热模型,并结合器件的封装结构对其内部热阻进行分析,得到了器件各层材料的内部热阻分别为:芯片0.12℃/W、焊接层0.18℃/W、绝缘层0.21℃/W、管座0.67℃/W。研究表明,利用结构函数分析大功率整流管内部热阻是一种可靠、有效的方法,对于器件封装结构的热设计具有重要意义。(本文来源于《电子元件与材料》期刊2016年01期）
何永深[10]（2015）在《也谈整流管6×4 及6Z4》一文中研究指出读过贵报今年第2期第15版张先生的文章后，觉得该文有多处失误，举例如下 1关于电子管的型号 a关于电路图中的6x4GT 据查，6x4系列整流管有7脚管6x4，8脚管6x5及6x5—GT。尽管这3种管的电参数(本文来源于《电子报》期刊2015-04-12）
整流管论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
为了提高功率肖特基整流管的反向击穿电压、抗浪涌能力,采取加场限环的方法从有源区参数、外延材料、流片工艺、产品电参数、可靠性等方面进行全面设计,制造了一种新型结势垒肖特基整流管JBS(Junction Barrier Schottky Rectifier)。经测试,器件的电参数水平正向电压VF为0.85 V~0.856 V,反向电流IR为4.0μA~50.5μA,反向电压VR为307.5 V~465.2 V,抗静电水平从低温退火的6 k V~12 k V提高到15 k V。经高温直流老化测试,器件的可靠性达到了预期的设计要求。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
整流管论文参考文献
[1].全靓,操国宏,李勇,朱为为.轻型整流管的管壳设计及性能研究[J].工业技术创新.2019
[2].闫丽红,王永顺,韩根亮.一种新型肖特基整流管设计[J].电子器件.2018
[3].王峰瀛,范晓波.高功率半导体整流管芯片散热效率计算仿真[J].科学技术与工程.2018
[4].闫丽红,王永顺,刘缤璐.10A/300VJBS整流管设计[J].电子科技.2018
[5].田苗.烧铝工艺及其在平板压接式整流管芯片的应用研究[J].物联网技术.2017
[6]..意法半导体(ST)高温表面贴装可控硅整流管推进功率模块小型化[J].半导体信息.2016
[7]..意法半导体(ST)高温表面贴装可控硅整流管推进功率模块小型化[J].微型机与应用.2016
[8].柴彦科.20A/600V硅基JBS整流管的研制和一种40mA/120V垂直沟道CRD的研究[D].兰州大学.2016
[9].李汝冠,周斌,许炜,曾畅,廖雪阳.基于结构函数的大功率整流管封装内部热阻分析[J].电子元件与材料.2016
[10].何永深.也谈整流管6×4及6Z4[N].电子报.2015