导读:本文包含了漏致势垒降低论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:环栅肖特基势垒金属氧化物半导体场效应管,二维泊松方程,阈值电压模型,漏致势垒降低
漏致势垒降低论文文献综述
许立军,张鹤鸣[1]（2013）在《环栅肖特基势垒金属氧化物半导体场效应管漏致势垒降低效应研究》一文中研究指出结合环栅肖特基势垒金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)结构,通过求解圆柱坐标系下的二维泊松方程得到了表面势分布,并据此建立了适用于低漏电压下的环栅肖特基势垒NMOSFET阈值电压模型.根据计算结果,分析了漏电压、沟道半径和沟道长度对阈值电压和漏致势垒降低的影响,对环栅肖特基势垒MOSFET器件以及电路设计具有一定的参考价值.(本文来源于《物理学报》期刊2013年10期）
王晓艳,张鹤鸣,王冠宇,宋建军,秦珊珊[2]（2011）在《漏致势垒降低效应对短沟道应变硅金属氧化物半导体场效应管阈值电压的影响》一文中研究指出结合应变硅金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)结构,通过求解二维泊松方程,得到了应变Si沟道的电势分布,并据此建立了短沟道应变硅NMOSFET的阈值电压模型.依据计算结果,详细分析了弛豫Si1-βGeβ中锗组分β、沟道长度、漏电压、衬底掺杂浓度以及沟道掺杂浓度对阈值电压的影响,从而得到漏致势垒降低效应对小尺寸应变硅器件阈值电压的影响,对应变硅器件以及电路的设计具有重要的参考价值.(本文来源于《物理学报》期刊2011年02期）
陈磊,孙玲玲,刘军[3]（2010）在《小尺寸MOS晶体管的漏致势垒降低效应建模》一文中研究指出该文针对PSP模型中漏致势垒降低效应建模纯经验性的缺点,通过求解二维泊松方程得到漏致势垒降低效应引起阈值电压漂移的解析解,并将其应用于32nm晶体管的直流I-V曲线拟合,结果显示此模型有很好的拟合精度。(本文来源于《杭州电子科技大学学报》期刊2010年03期）
漏致势垒降低论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
结合应变硅金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)结构,通过求解二维泊松方程,得到了应变Si沟道的电势分布,并据此建立了短沟道应变硅NMOSFET的阈值电压模型.依据计算结果,详细分析了弛豫Si1-βGeβ中锗组分β、沟道长度、漏电压、衬底掺杂浓度以及沟道掺杂浓度对阈值电压的影响,从而得到漏致势垒降低效应对小尺寸应变硅器件阈值电压的影响,对应变硅器件以及电路的设计具有重要的参考价值.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
漏致势垒降低论文参考文献
[1].许立军,张鹤鸣.环栅肖特基势垒金属氧化物半导体场效应管漏致势垒降低效应研究[J].物理学报.2013
[2].王晓艳,张鹤鸣,王冠宇,宋建军,秦珊珊.漏致势垒降低效应对短沟道应变硅金属氧化物半导体场效应管阈值电压的影响[J].物理学报.2011
[3].陈磊,孙玲玲,刘军.小尺寸MOS晶体管的漏致势垒降低效应建模[J].杭州电子科技大学学报.2010
标签：环栅肖特基势垒金属氧化物半导体场效应管; 二维泊松方程; 阈值电压模型; 漏致势垒降低;