本文主要研究内容
作者陈晓,王岩国,谷林,张志华（2019）在《焦耳热效应、电击穿和应力对单根GaN纳米线Ⅰ-Ⅴ曲线的影响》一文中研究指出：利用原位透射电子显微术,研究了单根GaN纳米线Ⅰ-Ⅴ曲线与热效应、电击穿和压电效应的关系.在透射电子显微镜内构建一个基于GaN纳米线的金属-半导体-金属结构,测量单根纳米线的Ⅰ-Ⅴ曲线.随着连续测量次数的增加,纳米线的温度升高,电流逐渐增加,且Ⅰ-Ⅴ曲线由最初的不对称逐渐变得近乎对称;纳米线在较低电压下长时间连续测量后被击穿,Ⅰ-Ⅴ曲线对测量次数不再敏感.将GaN纳米线压弯后,电流明显下降,压电效应明显.分析表明,单根纳米线测量时的时间间隔和接触应力情况等是Ⅰ-Ⅴ曲线变化的重要因素.本研究可为极性纳米线的原位电学性质研究提供实验参考.
Abstract
li yong yuan wei tou she dian zi xian wei shu ,yan jiu le chan gen GaNna mi xian Ⅰ-Ⅴqu xian yu re xiao ying 、dian ji chuan he ya dian xiao ying de guan ji .zai tou she dian zi xian wei jing nei gou jian yi ge ji yu GaNna mi xian de jin shu -ban dao ti -jin shu jie gou ,ce liang chan gen na mi xian de Ⅰ-Ⅴqu xian .sui zhao lian xu ce liang ci shu de zeng jia ,na mi xian de wen du sheng gao ,dian liu zhu jian zeng jia ,ju Ⅰ-Ⅴqu xian you zui chu de bu dui chen zhu jian bian de jin hu dui chen ;na mi xian zai jiao di dian ya xia chang shi jian lian xu ce liang hou bei ji chuan ,Ⅰ-Ⅴqu xian dui ce liang ci shu bu zai min gan .jiang GaNna mi xian ya wan hou ,dian liu ming xian xia jiang ,ya dian xiao ying ming xian .fen xi biao ming ,chan gen na mi xian ce liang shi de shi jian jian ge he jie chu ying li qing kuang deng shi Ⅰ-Ⅴqu xian bian hua de chong yao yin su .ben yan jiu ke wei ji xing na mi xian de yuan wei dian xue xing zhi yan jiu di gong shi yan can kao .
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自大连交通大学学报的陈晓,王岩国,谷林,张志华，发表于刊物大连交通大学学报2019年02期论文，是一篇关于,大连交通大学学报2019年02期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自大连交通大学学报2019年02期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。