导读:本文包含了斜切基片论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:Ge纳米点,离子束溅射,斜切基片
斜切基片论文文献综述
杨杰,王茺,陶东平,杨宇[1]（2012）在《斜切基片上溅射生长高密度小尺寸Ge纳米点的研究》一文中研究指出采用离子束溅射技术,在斜切的单晶Si基底上生长了高密度的小尺寸Ge纳米点。系统研究了斜切基底上的表面台阶对Ge纳米点生长初期表面原子吸附行为的影响,以及斜切基片上Ge纳米点随原子沉积量的演变规律。实验结果表明,在斜切基片上原子级的表面台阶能有效地抑制吸附原子的表面扩散。因此,有利于Ge纳米点的形核,并抑制纳米点的过度长大,从而获得高密度、小尺寸的Ge纳米点。(本文来源于《功能材料》期刊2012年10期）
王天生,田永君,彭炜,漆汉宏,李林[2]（2007）在《基片斜切角度对YBCO薄膜微观结构及超导电性能的影响》一文中研究指出研究基片斜切角度对YBCO薄膜微观结构及超导电性能的影响。采用脉冲激光沉积(PLD)法在0°~6°斜切(001)SrTiO3基片上制备了具有c取向的YBCO薄膜。用XRD和TEM对薄膜微观结构进行了分析,用标准四引线法测定薄膜电阻-温度关系,从而确定薄膜的超导电性能。结果表明,随斜切角度的增大,薄膜晶体质量下降,晶格弯曲畸变程度增大,超导临界转变温度降低,转变宽度增大。(本文来源于《稀有金属材料与工程》期刊2007年05期）
王天生,田永君,彭炜,漆汉宏,李林[3]（2006）在《斜切基片上台阶流动生长的YBCO薄膜及BST/YBCO双层薄膜》一文中研究指出用脉冲激光沉积法在斜切(001)SrTiO3单晶基片上生长了c轴取向的YBa2Cu3O7-δ超导薄膜,在斜切(001)LaAlO3单晶基片上生长了Ba0.1Sr0.9TiO3/YBa2Cu3O7-δ双层薄膜,并用扫描电镜和透射电镜对薄膜组织进行了表征。结果表明,在1°~3°斜切的SrTiO3基片上生长的YBa2Cu3O7-δ薄膜,呈现台阶流动(stepflow)到叁维岛状生长的转变;而6°~15°斜切基片上生长的YBa2Cu3O7-δ薄膜为完全台阶流动生长。在1.2°斜切的LaAlO3基片上原位制备了良好异质外延生长的Ba0.1Sr0.9TiO3/YBa2Cu3O7-δ双层薄膜。在77K,1MHz频率和±30V直流偏压下,测定了其电容-电压特性,确定其介电常数、可调谐性和品质因数分别为1200,60%和133。表明该Ba0.1Sr0.9TiO3薄膜可应用于在液氮温度下工作的可调谐微波器件。(本文来源于《稀有金属材料与工程》期刊2006年04期）
时东霞,巴德纯,庞世瑾,胡文斐,李林[4]（2002）在《SrTiO_3斜切基片上外延生长YBa_2Cu_3O_(7-δ)薄膜的扫描探针显微镜研究》一文中研究指出采用激光脉冲沉积法在钛酸锶SrTiO3 (0 0 1)斜切基片上外延生长YBa2 Cu3 O7 δ薄膜 ,在大气环境下采用扫描探针显微镜对YBa2 Cu3 O7 δ薄膜的表面纳米形貌进行直接观察。发现YBa2 Cu3 O7 δ薄膜具有相对光滑的表面形貌 ,薄膜表面由沿SrTiO3台阶趋向外延生长的纳米台阶组成 ,薄膜生长模式主要以台阶媒体生长为主。(本文来源于《真空科学与技术》期刊2002年02期）
王天生,漆汉宏,田永君,胡文斐,赵新杰[5]（2001）在《斜切基片上c-取向YBa_2Cu_3O_(7-δ)薄膜的生长特性及开裂行为》一文中研究指出用脉冲激光沉积方法在斜切SrTiO3 (0 0 1)基片上制备了YBa2 Cu3 O7 δ薄膜 ,并用原子力显微镜、X射线衍射仪及透射电镜研究了薄膜表面形貌、取向特征、结晶性和显微结构。结果表明 ,薄膜表面呈“台阶 台面”结构 ,并伴有与台阶边缘垂直的裂纹产生 ,说明薄膜以“台阶流动”方式生长 ;而且薄膜具有c 轴取向 ,但其结晶性不好。在薄膜中没有观察到a b孪晶的存在。薄膜的开裂和结晶性较差均是由于斜切基片台阶表面晶格四方畸变抑制了薄膜正交转变时a b孪晶的产生 ,而使晶格错配应变不能释放造成的。(本文来源于《真空科学与技术》期刊2001年06期）
刘维,李林,徐立华,胡文斐,赵新杰[6]（2000）在《斜切基片上同质、异质外延薄膜的TEM研究》一文中研究指出钙钛矿结构薄膜如铁电和高温超导薄膜有极大的应用前景和探索新型多元素氧化物薄膜的前途,因此它的外延生长机制引起人们的极大关注。不少人认为螺旋位错岛状生长是YBa2Cu3O7-δ(YBCO)薄膜的本征生长模式[1],因此薄膜表面的平整度极差,使器件应用尚不能(本文来源于《电子显微学报》期刊2000年04期）
刘维,李林,徐立华,胡文斐,赵新杰[7]（2000）在《斜切基片上同质、异质外延薄膜的TEM研究》一文中研究指出钙钛矿结构薄膜如铁电和高温超导薄膜有极大的应用前景和探索新型多元素氧化物薄膜的前途,因此它的外延生长机制引起人们的极大关注。不少人认为螺旋位错岛状生长是YBa2 Cu3O7-δ( YBCO)薄膜的本征生长模式[1] ,因此薄膜表面的平整度极差,使器件应用(本文来源于《第十一次全国电子显微学会议论文集》期刊2000-06-30）
斜切基片论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
研究基片斜切角度对YBCO薄膜微观结构及超导电性能的影响。采用脉冲激光沉积(PLD)法在0°~6°斜切(001)SrTiO3基片上制备了具有c取向的YBCO薄膜。用XRD和TEM对薄膜微观结构进行了分析,用标准四引线法测定薄膜电阻-温度关系,从而确定薄膜的超导电性能。结果表明,随斜切角度的增大,薄膜晶体质量下降,晶格弯曲畸变程度增大,超导临界转变温度降低,转变宽度增大。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
斜切基片论文参考文献
[1].杨杰,王茺,陶东平,杨宇.斜切基片上溅射生长高密度小尺寸Ge纳米点的研究[J].功能材料.2012
[2].王天生,田永君,彭炜,漆汉宏,李林.基片斜切角度对YBCO薄膜微观结构及超导电性能的影响[J].稀有金属材料与工程.2007
[3].王天生,田永君,彭炜,漆汉宏,李林.斜切基片上台阶流动生长的YBCO薄膜及BST/YBCO双层薄膜[J].稀有金属材料与工程.2006
[4].时东霞,巴德纯,庞世瑾,胡文斐,李林.SrTiO_3斜切基片上外延生长YBa_2Cu_3O_(7-δ)薄膜的扫描探针显微镜研究[J].真空科学与技术.2002
[5].王天生,漆汉宏,田永君,胡文斐,赵新杰.斜切基片上c-取向YBa_2Cu_3O_(7-δ)薄膜的生长特性及开裂行为[J].真空科学与技术.2001
[6].刘维,李林,徐立华,胡文斐,赵新杰.斜切基片上同质、异质外延薄膜的TEM研究[J].电子显微学报.2000
[7].刘维,李林,徐立华,胡文斐,赵新杰.斜切基片上同质、异质外延薄膜的TEM研究[C].第十一次全国电子显微学会议论文集.2000