导读:本文包含了镍铬薄膜电阻论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:薄膜电阻,镍铬硅,湿法刻蚀,磁控溅射
镍铬薄膜电阻论文文献综述
罗俊尧,刘光壮,杨曌,李保昌,沓世我[1]（2019）在《镍铬硅薄膜电阻层的磁控溅射及湿法刻蚀工艺研究》一文中研究指出本文通过直流磁控溅射法在96氧化铝基板上沉积镍铬硅薄膜,然后采用光刻及湿法刻蚀工艺实现不同要求的电阻图形。图形化过程中,分别对比HNA刻蚀体系、TMAH刻蚀体系以及催化氧化刻蚀体系的刻蚀效果,从中优选最佳刻蚀体系,并进一步对其进行工艺参数优化。在CNA含量为30%的催化氧化刻蚀体系(CNA:HNO_3:H_2O)中,刻蚀温度50℃,刻蚀速率约为4nm/s时,刻蚀效果最佳,与设计尺寸偏差小,可实现镍铬硅薄膜图形刻蚀线宽(15±1)μm,满足高精度精密薄膜电阻的设计和生产要求。(本文来源于《真空》期刊2019年05期）
王强文,郭育华,刘建军,王运龙,宋夏[2]（2018）在《硅基高精度镍铬薄膜电阻的制备和性能表征》一文中研究指出集成无源元件(IPD)技术可以将分立的无源元件集成在衬底内部,提高系统的集成度。为了获得高精度的薄膜电阻,采用多层薄膜电路工艺在硅晶圆上制备了不同线宽的镍铬薄膜电阻,利用显微镜和半导体参数测试仪对薄膜电阻的图形线宽及电学特性进行了表征及测试。结果表明,制备出的镍铬薄膜电阻线宽精度在±5%以内,电阻精度在±0.5%以内,具有稳定的电学特性。基于镍铬的高精度硅基无源集成电阻器在系统集成中有广泛的应用价值。(本文来源于《电子器件》期刊2018年06期）
罗俊尧,杨曌,李保昌,沓世我[3]（2018）在《磁控溅射制备镍铬硅薄膜电阻的湿法刻蚀工艺研究》一文中研究指出本文通过直流磁控溅射法在96氧化铝基板上沉积镍铬硅薄膜,然后采用光刻及湿法刻蚀工艺实现不同要求的电阻图形。图形化过程中,分别对比HNA刻蚀体系、TMAH刻蚀体系以及催化氧化刻蚀体系的刻蚀效果,从中优选最佳刻蚀体系,并进一步对其进行工艺参数优化。在CNA含量为30%的催化氧化刻蚀体系(CNA:HNO_3:H_2O)中,刻蚀温度50℃,刻蚀速率约为4nm/s时,刻蚀效果最佳,与设计尺寸偏差小,可实现镍铬硅薄膜图形刻蚀线宽15±1um,满足高精度精密薄膜电阻的设计和生产要求。(本文来源于《粤港澳大湾区真空科技创新发展论坛暨2018年广东省真空学会学术年会论文集》期刊2018-11-30）
胡东平,王小龙,唐俐[4]（2016）在《本底真空对磁控溅射镍铬合金薄膜电阻的影响》一文中研究指出目的研究本底真空对溅射镍铬合金薄膜性能的影响。方法在不同溅射时间下制备了不同厚度的镍铬合金薄膜,采用4、6、8、10 h不同的抽真空时间制备薄膜样品,并在空气、氮气及真空气氛中,对同一工艺条件下制备的镍铬合金薄膜样品分别在300、400、500℃下进行热处理,所有样品分别测试方块电阻。结果不同厚度的镍铬合金薄膜的方块电阻与薄膜厚度之间存在非线性关系,样品的方块电阻随着溅射前抽真空时间的增加而降低。在真空和空气中进行热处理的薄膜的方块电阻变化规律一致,而在氮气中的则相反。结论本底真空残留气体对镍铬合金薄膜的氧化是引起薄膜电阻率增大的主要原因,即射频磁控溅射镍铬合金薄膜被氧化而使电阻率增大,随着溅射时间的增加,残留气体影响减小,导致电阻率降低。前期抽真空时间大于9 h,靶材溅射清洗时间大于110 min时,制备的镍铬合金薄膜电阻率才趋于稳定。(本文来源于《表面技术》期刊2016年07期）
严琴,冯勇建,程翔[5]（2007）在《镍铬薄膜电阻的制备和热处理分析》一文中研究指出在采用磁控溅射方法制作用于集成电路的镍铬薄膜电阻过程中,发现在对薄膜热处理时薄膜的电阻特性发生了有规律的变化,这种变化不是单纯的线形增大或减小。针对这种现象,我们经过分析认为,由于金属薄膜的电阻率不同于块金属的电阻率,已不是定值,它与金属膜厚有着一定的关系,而热处理所产生的凝聚效应、氧化效应和稳态效应对不同厚度的薄膜电阻率的影响程度是不一样的,因此电阻经处理后的变化值最终表现出不同的变化趋势。这一现象的发现对我们今后在集成电路镍铬合金薄膜电阻的设计优化方面具有较高的参考意义。(本文来源于《传感器世界》期刊2007年09期）
吴勇,杜磊,庄奕琪,魏文彦,仵建平[6]（2006）在《镍铬薄膜电阻器噪声特性研究》一文中研究指出薄膜电阻器的低频噪声有别于常规电阻器的噪声特征,与其结构和工艺密切相关。通过溅射工艺生产的阻值为1.5k?镍铬薄膜电阻器分别在生产完成和1000h老化试验之后进行了低频噪声测量和分析得到器件低频噪声特征,结合电子元器件低频噪声理论探讨了器件中各种噪声成分的来源及产生机制并给出该镍铬薄膜电阻生产线降低噪声的工艺手段。并讨论了电迁移损伤对1/f噪声特征的影响,指出噪声的异常波动对电迁移损伤具有明确的指示作用。(本文来源于《电子元件与材料》期刊2006年01期）
陈志一[7]（1992）在《方便、廉价的高稳定微带电路铬薄膜电阻》一文中研究指出本文通过理论分析和实验获得了蒸发低电阻温度系数铬薄膜电阻的最佳工艺。文章认为在微带电路中用铬薄膜电阻取代钽膜电阻,具有工艺简单、重复性好等优点,这不仅节约了贵重材料,缩短了工艺流程,而且阻值范围宽,应用范围更广。因此,对微带电路中薄膜电阻的生产来说是一项有意义的改革。(本文来源于《现代雷达》期刊1992年03期）
俞长贵,陈建南,顾霭云[8]（1986）在《硅片作基体的片状镍铬薄膜电阻器》一文中研究指出Ni-Cr薄膜电阻器是用氧化的硅片作基体,真空蒸发一层Ni-Cr合金膜并用直接光刻工艺获得所需的电阻图形。组装后再用超声波切割进行随机动态调阻。它具有温度系数小、阻值高、长期稳定性好,微波特性好等特点。用于薄膜半导体混合集成电路,并适合作为表面装配技术中的片状元件。我们试制了250～300Ω/口的Ni-Cr电阻器。并用于混合集成的选频开关电路中。(本文来源于《电子元件与材料》期刊1986年06期）
郑开甲[9]（1984）在《提高镍铬薄膜电阻网络稳定性的工艺探讨》一文中研究指出探讨薄膜精密电阻网络的稳定性,不外从材料和工艺两方面着手。在材料方面作者就Si对Ni-Cr电阻性能的影响曾作过研究。本文则探讨某些常规工艺对电阻性能的影响,提出消除不利因素,提高精密电阻网络稳定性的工艺措施。(本文来源于《电子元件与材料》期刊1984年06期）
樊百昌,吕乃康[10]（1983）在《真空淀积速率对镍铬硅薄膜电阻电性能的影响》一文中研究指出镍铬合金是制造薄膜电阻的常用材料。这种电阻材料虽然电阻率高、高温性能稳定,但正温度系数较大(约2×10~(-4)/℃),不能用作温度系数低的精密电阻。如果在镍铬材料中加入4～10％(重量比)的硅,采用真空蒸发可以制成电阻温度系数很小的镍铬硅系薄膜电阻器。在同一蒸发温度下,镍铬硅这叁种成分的蒸汽压相差较大易出现分馏现象,影响到膜层的均匀性以及电阻性能,所以真空淀积条件要严加控制。通常在1600℃蒸发时组元的(本文来源于《真空科学与技术》期刊1983年06期）
镍铬薄膜电阻论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
集成无源元件(IPD)技术可以将分立的无源元件集成在衬底内部,提高系统的集成度。为了获得高精度的薄膜电阻,采用多层薄膜电路工艺在硅晶圆上制备了不同线宽的镍铬薄膜电阻,利用显微镜和半导体参数测试仪对薄膜电阻的图形线宽及电学特性进行了表征及测试。结果表明,制备出的镍铬薄膜电阻线宽精度在±5%以内,电阻精度在±0.5%以内,具有稳定的电学特性。基于镍铬的高精度硅基无源集成电阻器在系统集成中有广泛的应用价值。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
镍铬薄膜电阻论文参考文献
[1].罗俊尧,刘光壮,杨曌,李保昌,沓世我.镍铬硅薄膜电阻层的磁控溅射及湿法刻蚀工艺研究[J].真空.2019
[2].王强文,郭育华,刘建军,王运龙,宋夏.硅基高精度镍铬薄膜电阻的制备和性能表征[J].电子器件.2018
[3].罗俊尧,杨曌,李保昌,沓世我.磁控溅射制备镍铬硅薄膜电阻的湿法刻蚀工艺研究[C].粤港澳大湾区真空科技创新发展论坛暨2018年广东省真空学会学术年会论文集.2018
[4].胡东平,王小龙,唐俐.本底真空对磁控溅射镍铬合金薄膜电阻的影响[J].表面技术.2016
[5].严琴,冯勇建,程翔.镍铬薄膜电阻的制备和热处理分析[J].传感器世界.2007
[6].吴勇,杜磊,庄奕琪,魏文彦,仵建平.镍铬薄膜电阻器噪声特性研究[J].电子元件与材料.2006
[7].陈志一.方便、廉价的高稳定微带电路铬薄膜电阻[J].现代雷达.1992
[8].俞长贵,陈建南,顾霭云.硅片作基体的片状镍铬薄膜电阻器[J].电子元件与材料.1986
[9].郑开甲.提高镍铬薄膜电阻网络稳定性的工艺探讨[J].电子元件与材料.1984
[10].樊百昌,吕乃康.真空淀积速率对镍铬硅薄膜电阻电性能的影响[J].真空科学与技术.1983