本文主要研究内容
作者吴德振,周细应,邱小小,郝艳,刘银杰（2019）在《ZnO掺杂对ZnSb相变薄膜结构和电学特性的影响》一文中研究指出：目的通过掺杂不同量的ZnO提升ZnSb相变薄膜的晶化温度和晶态膜电阻。方法采用磁控溅射双靶共溅方式制备不同含量ZnO掺杂的ZnSb薄膜,使用真空四探针设备原位测试薄膜电阻随温度的变化情况,用EDS、DSC、XRD、Raman、FESEM、UV-Vis分别对薄膜的成分、晶化温度和熔点、掺杂薄膜的结构、薄膜厚度、表面形貌以及光学带隙进行分析。结果 ZnO掺杂量为1.6%时,Zn O掺杂提升了薄膜的晶化温度和晶态薄膜的电阻,并抑制了ZnSb晶粒的长大。薄膜的晶化温度由253℃提升至263℃,光学带隙由0.37 eV提升至0.38 eV,掺杂薄膜晶粒大小为20 nm左右,远低于未掺杂的50 nm。掺杂薄膜内的O原子更易与Sb结合,过多的Zn O掺杂会使薄膜结晶后形成Sb2O3晶粒,使薄膜的晶化温度下降。结论低含量ZnO掺杂的ZnSb薄膜具有更高的晶化温度、更细小的ZnSb晶粒以及更高的膜电阻;过量的Zn O掺杂使薄膜在结晶后产生分离的Sb2O3相,恶化薄膜性能。
Abstract
mu de tong guo can za bu tong liang de ZnOdi sheng ZnSbxiang bian bao mo de jing hua wen du he jing tai mo dian zu 。fang fa cai yong ci kong jian she shuang ba gong jian fang shi zhi bei bu tong han liang ZnOcan za de ZnSbbao mo ,shi yong zhen kong si tan zhen she bei yuan wei ce shi bao mo dian zu sui wen du de bian hua qing kuang ,yong EDS、DSC、XRD、Raman、FESEM、UV-Visfen bie dui bao mo de cheng fen 、jing hua wen du he rong dian 、can za bao mo de jie gou 、bao mo hou du 、biao mian xing mao yi ji guang xue dai xi jin hang fen xi 。jie guo ZnOcan za liang wei 1.6%shi ,Zn Ocan za di sheng le bao mo de jing hua wen du he jing tai bao mo de dian zu ,bing yi zhi le ZnSbjing li de chang da 。bao mo de jing hua wen du you 253℃di sheng zhi 263℃,guang xue dai xi you 0.37 eVdi sheng zhi 0.38 eV,can za bao mo jing li da xiao wei 20 nmzuo you ,yuan di yu wei can za de 50 nm。can za bao mo nei de Oyuan zi geng yi yu Sbjie ge ,guo duo de Zn Ocan za hui shi bao mo jie jing hou xing cheng Sb2O3jing li ,shi bao mo de jing hua wen du xia jiang 。jie lun di han liang ZnOcan za de ZnSbbao mo ju you geng gao de jing hua wen du 、geng xi xiao de ZnSbjing li yi ji geng gao de mo dian zu ;guo liang de Zn Ocan za shi bao mo zai jie jing hou chan sheng fen li de Sb2O3xiang ,e hua bao mo xing neng 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自表面技术的吴德振,周细应,邱小小,郝艳,刘银杰，发表于刊物表面技术2019年07期论文，是一篇关于相变薄膜论文,电学特性论文,晶化温度论文,结构变化论文,表面技术2019年07期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自表面技术2019年07期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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