导读:本文包含了器件工艺论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:反式钙钛矿太阳能电池,无机空穴传输材料,“一步法”,添加剂
器件工艺论文文献综述
张鹤懿[1]（2019）在《反式钙钛矿太阳能电池器件工艺的优化及基础研究》一文中研究指出近几年来,有机-无机杂化卤化钙钛矿太阳能电池因其具有较高的光电转换效率,且可以低成本制备,逐渐成为了光伏领域的新一代研究热点。钙钛矿太阳能电池具有多种不同的器件结构,主要包括正置介孔结构,正置平面异质结结构和反式平面异质结结构,反式平面结构因其结构简单且可溶液制备并且实验工艺易重复,所以具有制备成为柔性器件以及产业化大规模加工等可行性,备受国内外研究人员的广泛关注。研究至今,反式平面钙钛矿太阳能电池领域最常见如下两个问题:一是如何确保钙钛矿晶体的高结晶度以及均匀生长和平整致密多晶薄膜的形成;二是器件各层材料的能级带隙互相之间是否可以实现理想的匹配。本论文的主要工作是通过针对光伏器件的几大基本性能参数优化的角度,以低成本易重复为前提,对反式钙钛矿太阳能电池器件从几个不同方面入手进行工艺的优化和基础的研究。主要工作分为以下叁个部分:(1)基于更匹配的带隙与能级,更换反式钙钛矿电池器件的空穴传输材料,优化空穴传输层的制备,以提高基础器件的开路电压。主要工作包括:空穴传输材料的选择与合成,具体为NiO_x和CuO_x纳米颗粒及其分散液的制备、不同空穴传输层的制备、基于各传输材料体系的反式器件的制备与表征,最终得到基于NiO_x的最优器件,功率转换效率超过15%。(2)通过对钙钛矿层制备工艺的优化,选择醋酸铅作为铅源,基于一步法旋涂无反溶剂制备工艺与反溶剂工艺(甲苯)进行对比,且基于甲苯摸索合适的反溶剂滴加时间及其规律。随后在无反溶剂工艺前提下,选择合适铅源制备钙钛矿薄膜,并在此基础上对前驱体进行掺杂,得到了高重复性的高效率器件,最优器件的转换效率超过17%。(3)通过叁类不同的添加剂探究了不同机理下添加剂对于钙钛矿层形貌的影响,进而讨论对于器件起到的不同优化作用。主要工作包括:碳量子点对于晶界的钝化作用(基于该体系的器件效率超过18%)、相近结构纯无机钙钛矿铁酸铋晶核的引入(基于该体系的器件效率超过15%)、无机盐NH_4SCN的晶粒尺寸的优化(基于该工艺的钙钛矿薄膜晶粒尺寸达到2.7μm)。(本文来源于《南京邮电大学》期刊2019-12-09）
何国华,周凤龙,符云峰[2]（2019）在《球栅阵列封装器件振动弯曲变形工艺实验研究》一文中研究指出开展了随机振动环境条件下PCB板动态弯曲行为对球栅阵列封装器件焊点可靠性影响研究;通过评估PCB板固有频率计算印制板最大动态弯曲挠度,并利用连接器压接机改进与优化设计开展试验件弯曲变形试验。最终通过电性能测试与金相剖切方法评估振动弯曲对球栅阵列封装器件焊点界面影响。(本文来源于《科技创新与应用》期刊2019年34期）
陈晓亮,陈天,钱忠健,孙伟锋[3]（2019）在《130nm CMOS工艺中应力对MOS器件饱和电流的影响》一文中研究指出在深亚微米CMOS集成电路制造工艺中,应力对MOS器件性能的影响已经不可忽略。应力可以改变半导体载流子的迁移率,因此影响MOS器件的饱和电流。通过对不同版图布局的MOS器件饱和电流进行分析,研究了130 nm CMOS工艺中浅槽隔离(STI)和金属硅化物引起的应力对器件饱和电流的影响。结果表明,器件沟道长度方向的STI应力使PMOS器件饱和电流提高10%左右,同时使NMOS器件饱和电流降低20%～30%;而沟道宽度方向STI应力使NMOS器件饱和电流降低16%～20%,使PMOS器件饱和电流降低14%。相对来说,除了沟道长度方向的金属硅化物拉伸应力对NMOS器件影响较大外,金属硅化物引起的其他应力对MOS器件性能的影响较弱。通过对130 nm CMOS工艺应力的分析,可以指导版图设计,从而改善器件和电路性能。(本文来源于《半导体技术》期刊2019年12期）
张博翰,陈建军,梁斌,罗园,黄俊[4]（2019）在《28nm工艺基于T＿Coil结构的带ESD防护器件的高速IO设计》一文中研究指出高速串行接口芯片是通信领域的核心芯片,也是云计算的核心互联芯片,高速串行接口芯片的IO在实现高速率的同时如何保证其军品ESD指标是关键难点之一。传统的设计方法,在保证ESD防护能力的前提下,高速IO设计往往无法达到预期的带宽。针对传统设计方法存在的缺点,采用基于T_Coil结构的带ESD防护器件的高速IO电路结构。然后,完成28nm工艺下基于T_Coil结构的带ESD防护器件的高速IO设计,采用反向二极管技术设计ESD防护器件,使用CadenceVirtuoso软件完成其电路设计和版图设计。最后,基于仿真工具给出了功能性能仿真结果和带寄生参数的仿真结果,并与传统技术进行对比,设计实现了16Gbps的速率。(本文来源于《计算机与数字工程》期刊2019年11期）
王玉龙,王威,石宝松,张艳鹏,张伟[5]（2019）在《宇航产品CCGA封装器件高可靠组装工艺研究及进展》一文中研究指出陶瓷柱栅阵列封装器件(CCGA)由于其诸多的技术优势,在高可靠性产品中大量被选用。本文以XQR2V3000-CG717 (铅柱为Pb80/Sn20)为例开展了高可靠性组装工艺研究工作,详细论述了组装工艺及环境应力试验过程并开展了可靠性分析,从最终的试验结果看,CCGA器件焊接后,焊料与PCB焊盘及焊柱间润湿良好;焊料与焊盘间形成的合金层均匀连续,厚度在0.5μm-3.0μm之间,均匀处约在1μm左右,从形貌上看,基本以Cu_6Sn_5的典型扇贝状形貌呈现,均未见明显的Cu_3Sn形成;说明焊接工艺(温度、时间)较为适宜,CCGA器件焊接工艺良好、稳定。(本文来源于《2019中国高端SMT学术会议论文集》期刊2019-10-25）
曹家强,刘保见,杨涛,吴畏,陈虹羽[6]（2019）在《Cu—Cu键合工艺及其在高功率声光器件中的应用》一文中研究指出介绍了一种低温Cu—Cu扩散键合工艺技术,利用电子束蒸发Cr/Cu薄膜作为键合层制作了声光调制器。实验表明,Cr/Cu/Cu/Cr键合层厚为755.5 nm、键合温度120℃、键合压强30 MPa时,器件键合强度可达2.7 MPa。采用该工艺制作的调制器能够承受的最大电功率为8 W/mm~2,且峰值衍射效率达到70%,为研制高功率声光器件奠定了工艺基础。(本文来源于《压电与声光》期刊2019年05期）
杜元宝,张耀华,林胜,刘永福[7]（2019）在《离心沉降工艺对白光LED器件色区的影响》一文中研究指出在LED点胶工艺中,由于荧光粉受自身重力影响而引发沉降问题一直阻碍白光LED器件良率的提升,本文研究了荧光粉沉降对LED器件光电参数的影响,实验结果表明LED器件的光电参数会随着荧光粉沉降发生变化,但是沉淀时间达到8 h以后,LED器件光电参数趋于稳定。基于此,本文研究采用离心沉降工艺来加速荧光粉的沉降速度,让荧光粉在短时间内加速沉降至LED芯片表面,有效解决荧光粉自身沉降引起的色漂移,改进白光LED器件色区分布,实现LED器件颜色集中度进一步提升的目标。(本文来源于《照明工程学报》期刊2019年05期）
王进[8]（2019）在《MOEMS器件的硅微透镜阵列制造工艺》一文中研究指出开发了一种适于MOEMS器件的基于硅微加工技术的简易的硅微透镜阵列制造工艺。通过光刻胶热熔法与ICPRIE(感应耦合等离子反应离子刻蚀)相结合的方式,实现在硅晶圆上批量生产微透镜阵列。通过多层涂胶的方式以及以2.5℃/min的速率从115℃升温至130℃的热熔工艺,获得口径为2.41 mm、矢高99.9μm的光刻胶微透镜阵列。通过控制ICPRIE的胶与硅的刻蚀选择比达到约1∶1,将光刻胶曲率准确地转移到硅晶圆上。(本文来源于《仪表技术与传感器》期刊2019年10期）
刘英,侯星珍,符云峰[9]（2019）在《SBGA器件焊点缺陷原因分析及工艺改进》一文中研究指出一种SBGA封装的高速多引脚互联器件被应用在多个重要产品上,但在检验过程中发现其故障率明显高于同类封装器件,严重影响生产计划和产品质量。经过产品装配全过程分析后,确认主要原因为回流焊接参数不合理,氮气环境的不良影响,焊膏量不满足要求和焊端物理损伤。介绍了针对解决相应原因开展的工艺改进工作,并通过检验手段和数据统计确认了工艺优化的有效性。(本文来源于《电子工艺技术》期刊2019年05期）
成钢,丁旭[10]（2019）在《塑封器件去潮工艺研究》一文中研究指出塑封元器件在存储期间,由于其自身的材料和结构问题,会吸收周围空气中的水分。在进行焊接时,温度的急剧上升使器件内部受到湿应力和蒸汽压力的作用,从而产生内部分层或"爆米花"效应。因此长期存放的塑封器件在焊前要进行烘烤以驱除内部的潮气。针对实际的塑封钽电容器件的去潮工艺进行了分析,对常压和真空条件下去潮的工艺进行了对比。提出了高效的真空去潮工艺方法。(本文来源于《电子工艺技术》期刊2019年05期）
器件工艺论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
开展了随机振动环境条件下PCB板动态弯曲行为对球栅阵列封装器件焊点可靠性影响研究;通过评估PCB板固有频率计算印制板最大动态弯曲挠度,并利用连接器压接机改进与优化设计开展试验件弯曲变形试验。最终通过电性能测试与金相剖切方法评估振动弯曲对球栅阵列封装器件焊点界面影响。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
器件工艺论文参考文献
[1].张鹤懿.反式钙钛矿太阳能电池器件工艺的优化及基础研究[D].南京邮电大学.2019
[2].何国华,周凤龙,符云峰.球栅阵列封装器件振动弯曲变形工艺实验研究[J].科技创新与应用.2019
[3].陈晓亮,陈天,钱忠健,孙伟锋.130nmCMOS工艺中应力对MOS器件饱和电流的影响[J].半导体技术.2019
[4].张博翰,陈建军,梁斌,罗园,黄俊.28nm工艺基于T＿Coil结构的带ESD防护器件的高速IO设计[J].计算机与数字工程.2019
[5].王玉龙,王威,石宝松,张艳鹏,张伟.宇航产品CCGA封装器件高可靠组装工艺研究及进展[C].2019中国高端SMT学术会议论文集.2019
[6].曹家强,刘保见,杨涛,吴畏,陈虹羽.Cu—Cu键合工艺及其在高功率声光器件中的应用[J].压电与声光.2019
[7].杜元宝,张耀华,林胜,刘永福.离心沉降工艺对白光LED器件色区的影响[J].照明工程学报.2019
[8].王进.MOEMS器件的硅微透镜阵列制造工艺[J].仪表技术与传感器.2019
[9].刘英,侯星珍,符云峰.SBGA器件焊点缺陷原因分析及工艺改进[J].电子工艺技术.2019
[10].成钢,丁旭.塑封器件去潮工艺研究[J].电子工艺技术.2019
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