导读:本文包含了矩形量子线论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:表面光学声子模,叁元混晶,矩形量子线
矩形量子线论文文献综述
包锦,闫祖威[1]（2018）在《叁元混晶矩形量子线的表面光学声子模》一文中研究指出运用改进的无规元素等位移模型和玻恩-黄近似,结合介电连续模型,研究了叁元混晶矩形量子线系统的表面光学声子模.以AlxGa1-xAs和ZnxCd1-xSe为例,获得了表面光学声子模的色散关系以及表面光学声子模的频率随混晶组分和量子线结构的变化关系.结果表明:与二元晶体量子线不同,在叁元混晶量子线系统中存在四支表面光学声子模,这四支表面光学声子模的频率曲线位于叁元混晶的体纵、横光学声子的频率区间内,且其能量随混晶组分和量子线结构的变化而呈非线性变化.叁元混晶的"单模"和"双模"性也在色散曲线中体现出来.(本文来源于《内蒙古大学学报(自然科学版)》期刊2018年06期）
宋铁磊[2]（2011）在《矩形量子线中的电—声子相互作用》一文中研究指出本文采用变分法,系统的研究了矩形量子线中的杂质态和激子.计算讨论了无限深势阱中电子-和杂质-声子相互作用对杂质态结合能的影响,并进一步讨论了外加电场对束缚极化子的影响,接着讨论了无限深势阱中电子-和杂质-相互作用对激子结合能的影响,获得的结果主要有：一、研究了杂质-和电子-LO声子相互作用对矩形极性半导体量子线中束缚极化子结合能的影响.计算结果表明,声子效应明显的减小结合能,因此,它不能被忽略.杂质-声子效应在各种声子效应中起主要作用.在不考虑声子影响时,我们得到的结合能结果与之前的研究结论一致.随着方形量子线截面尺寸大小的减小,声子效应增强,并且明显的减小结合能.声子贡献明显的依赖于矩形量子线的截面形状,当量子线的截面形状变得很扁时,声子贡献明显的变弱.二、同时引入杂质离子-声子和电子-声子耦合,研究了电场下极性矩形量子线中LO声子对束缚极化子结合能的影响.数值计算结果表明,方形和矩形GaAs量子线中,结合能和声子效应不仅仅依赖于外电场,而且依赖于量子线的截面形状和尺寸大小以及杂质的位置.减小量子线的截面尺寸大小,结合能增加.此外,当杂质在量子线中心时,LO声子降低结合能,当杂质在量子线表面附近时,增强结合能,对于Stark能移,LO声子给出了类似的效应.叁、研究了矩形量子线中激子-LO声子耦合效应对Wannier激子的影响,得到了以下一些结论.由于声子效应对库仑势的屏蔽,激子-声子相互作用减小激子结合能.声子效应对轻空穴激子结合能的影响要比重空穴激子的影响小.声子效应对量子线维数的依赖性很敏感,随着量子线尺寸的减小而增加.Ⅱ-Ⅵ族量子线激子结合能和声子效应要比Ⅲ-Ⅴ族的大.考虑声子贡献后,给出的量子线激子结合能,与实验结果符合得更好.对于GaAs量子线,我们给出的理论结果要比先前的理论结果低,这与实验结果一致.对于ZnSe量子线我们给出的理论结果,定性的与实验一致.值得的注意是,在理论计算中,对于激子-声子相互作用,我们引入了受限LO声子,同时我们采取了沿着量子线的高斯型函数.这些近似可能会得出稍高些的激子结合能.可以通过引入表面(界面)光学声子,和采用在叁个方向受束缚的波函数,加以改善.四、利用变分法研究了LO-和SO-声子效应对矩形极性半导体量子线中束缚极化子结合能的影响.计算结果表明,声子效应明显的减小结合能,因此,它不能被忽略.SO声子对结合能贡献要比LO声子的贡献小.LO-声子效应在各种声子效应中起主要作用.相比于之前只考虑LO声子效应的工作,考虑SO声子后,结合能进一步降低.另外,声子效应导致的介电常数数的修正介于高频介电常数和静介电常数之间.(本文来源于《内蒙古大学》期刊2011-10-28）
王广新,段秀芝,钟寿仙,张鹏[3]（2010）在《磁场下InAs/InP应变矩形量子线能级结构》一文中研究指出利用微扰理论在有效质量近似下研究了磁场下截面长度固定的矩形量子线中电子和空穴的基态、第一激发态能量,在计算过程中考虑了形成量子线的两种材料的晶格常数不同带来的形变势、电子和空穴在材料中的质量失配以及空穴有效质量的各向异性等因素.结果表明:当磁场增大时,不同尺寸量子线中电子基态能量的差值增大的速度明显减小,而空穴的相应情况不明显;不同尺寸量子线中粒子的第一激发态能量差值随着磁场的增大而增大,并且差值较小.(本文来源于《内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版)》期刊2010年04期）
张丽[4]（2010）在《矩形量子线中声学极化子及其自陷转变》一文中研究指出随着分子束外延等超薄生长技术和精细束加工技术的不断发展和完善,目前已能够较好地制备出超晶格、量子阱、量子线和量子点等各种低维材料.由于低维体系不仅具有极其丰富的物理内涵和独特的性能,而且具有极其广阔的应用前景,对它们的研究在当代物理学、材料学以及日新月异的高新技术领域中显得极为重要.量子线的物理特性,是近年来人们关注的一个重要研究领域.对此类系统中的元激发的研究,以及了解其光学、电学等物理性质具有重要的意义.本文研究矩形量子线中声学极化子的“自陷”问题.运用Yu等人导出的矩形量子线中电子-声学声子相互作用哈密顿量,在沿着量子线的方向上采用Huybrechts变分法,在量子线截面内采用束缚波函数描述自陷电子态,计算了不同截面形状和尺寸的矩形量子线中声学极化子的能量及其对电子-声子耦合常数的数值导数,获得矩形量子线中声学极化子自陷转变的条件.结果表明：在声子截止波矢固定的条件下,截面面积一定时,量子线中声学极化子自陷的临界电子-声子耦合常数随着截面长宽比的增大向耦合较弱的方向变化；改变截面面积,声学极化子在量子线中自陷的临界点介于一维和叁维系统自陷临界点之间；矩形量子线截面尺寸越小,量子线中声学极化子的自陷转变越容易发生.(本文来源于《内蒙古大学》期刊2010-05-23）
段秀芝,王广新,刘德,苟秉屏[5]（2009）在《磁场下InAs/InP矩形量子线中的电子结构》一文中研究指出在有效质量近似下,利用微扰理论研究了矩形量子线中电子和空穴的基态能量.考虑形成量子线的2种材料晶格常数不同带来的形变势、电子和空穴在材料中的质量失配以及空穴有效质量的各向异性等因素,在矩形长度不变时,计算了电子和空穴的基态能量随磁场以及矩形宽度的变化情况.结果表明,粒子的基态能量随着磁场的增大而增大,随着矩形宽度的增大而减小;磁场增大时,不同尺寸量子线中电子的基态能量随磁场的变化曲线间距减小的趋势比空穴明显得多;在较高磁场下,电子的基态能量随量子线尺寸增大下降的趋势比低磁场时明显,而空穴的这种特征不明显.(本文来源于《河北师范大学学报(自然科学版)》期刊2009年06期）
段秀芝[6]（2008）在《磁场下有限深矩形量子线中激子束缚能的研究》一文中研究指出本文提出一种计算矩形量子线中的电子态及空穴态的微扰法,在此基础上用有效势模型计算了激子的束缚能,给出了激子在有磁场时的束缚能与无磁场时的束缚能的差值随磁场的变化情况。在计算过程中,考虑了由形成量子线两种材料晶格常数不同带来的形变势以及电子和空穴在材料中的质量失配,由于计算的是基态能,所以只考虑了重空穴的影响。所得结果比前人工作与实验吻合得更好。本文计算了截面长度不变,宽度变化的InAs/InP矩形量子线中的电子和空穴的能量随磁场的变化情况,还计算了无磁场时激子的束缚能以及有磁场时激子的束缚能与无磁场时激子束缚能的差值随磁场的变化情况。最后对计算结果进行了分析和讨论,我们得到了以下结论:(1)在量子线尺寸不变的情况下,电子和空穴的能量随着磁场的增加而增加。在相同磁场下,电子和空穴的能量随着量子线尺寸的减小而增大。(2)在截面长度不变而宽度在比临界阱宽小的范围内变化的矩形量子线中,在宽度减小的情况下,激子的束缚能变小,受磁场的影响较大。用本文提出的微扰法计算更高阶的能量可得到更精确的结果。这种方法可用来计算矩形量子线中的其他问题,例如, X ?态、X +态、X 2态等等。我们还可以用这种微扰法来计算截面为叁角形或其他形状的量子线中的问题。(本文来源于《河北师范大学》期刊2008-04-01）
丁朝华,王立国,肖景林[7]（2003）在《矩形量子线中极化子的性质》一文中研究指出采用变分法,研究了矩形量子线中极化子在基态和激发态的系统能量。数值计算结果表明:随着量子线尺寸的减小,系统基态和激发态能量都增大。(本文来源于《光电子·激光》期刊2003年10期）
丁朝华,肖景林[8]（2003）在《矩形量子线中极化子的电子与LO声子相互作用能》一文中研究指出研究了矩形量子线中极化子基态和第一激发态的性质 .采用在有效质量近似下的变分变换方法导出了在基态和第一激发态时电子—LO声子之间相互作用能 .以GaAs晶体为例进行了数值计算 ,结果表明 :矩形量子线中极化子的相互作用能随量子线尺寸减小而增大(本文来源于《内蒙古民族大学学报(自然科学版)》期刊2003年03期）
[9]（1995）在《用原子层外延选择生长法制造GaAs／GaAsP矩形量子线结构》一文中研究指出用原子层外延选择生长法制造ＧａＡｓ／ＧａＡｓＰ矩形量子线结构１．前言为了制造半导体低维量子结构，就必须控制它的微细结构。普通方法之一是选择生长法［１，２］。这是在进行选择生长时，增大面方位的生长速度差。即必须有选择生长任意结晶面方位的晶体生长技术（面...(本文来源于《激光与光电子学进展》期刊1995年12期）
矩形量子线论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文采用变分法,系统的研究了矩形量子线中的杂质态和激子.计算讨论了无限深势阱中电子-和杂质-声子相互作用对杂质态结合能的影响,并进一步讨论了外加电场对束缚极化子的影响,接着讨论了无限深势阱中电子-和杂质-相互作用对激子结合能的影响,获得的结果主要有：一、研究了杂质-和电子-LO声子相互作用对矩形极性半导体量子线中束缚极化子结合能的影响.计算结果表明,声子效应明显的减小结合能,因此,它不能被忽略.杂质-声子效应在各种声子效应中起主要作用.在不考虑声子影响时,我们得到的结合能结果与之前的研究结论一致.随着方形量子线截面尺寸大小的减小,声子效应增强,并且明显的减小结合能.声子贡献明显的依赖于矩形量子线的截面形状,当量子线的截面形状变得很扁时,声子贡献明显的变弱.二、同时引入杂质离子-声子和电子-声子耦合,研究了电场下极性矩形量子线中LO声子对束缚极化子结合能的影响.数值计算结果表明,方形和矩形GaAs量子线中,结合能和声子效应不仅仅依赖于外电场,而且依赖于量子线的截面形状和尺寸大小以及杂质的位置.减小量子线的截面尺寸大小,结合能增加.此外,当杂质在量子线中心时,LO声子降低结合能,当杂质在量子线表面附近时,增强结合能,对于Stark能移,LO声子给出了类似的效应.叁、研究了矩形量子线中激子-LO声子耦合效应对Wannier激子的影响,得到了以下一些结论.由于声子效应对库仑势的屏蔽,激子-声子相互作用减小激子结合能.声子效应对轻空穴激子结合能的影响要比重空穴激子的影响小.声子效应对量子线维数的依赖性很敏感,随着量子线尺寸的减小而增加.Ⅱ-Ⅵ族量子线激子结合能和声子效应要比Ⅲ-Ⅴ族的大.考虑声子贡献后,给出的量子线激子结合能,与实验结果符合得更好.对于GaAs量子线,我们给出的理论结果要比先前的理论结果低,这与实验结果一致.对于ZnSe量子线我们给出的理论结果,定性的与实验一致.值得的注意是,在理论计算中,对于激子-声子相互作用,我们引入了受限LO声子,同时我们采取了沿着量子线的高斯型函数.这些近似可能会得出稍高些的激子结合能.可以通过引入表面(界面)光学声子,和采用在叁个方向受束缚的波函数,加以改善.四、利用变分法研究了LO-和SO-声子效应对矩形极性半导体量子线中束缚极化子结合能的影响.计算结果表明,声子效应明显的减小结合能,因此,它不能被忽略.SO声子对结合能贡献要比LO声子的贡献小.LO-声子效应在各种声子效应中起主要作用.相比于之前只考虑LO声子效应的工作,考虑SO声子后,结合能进一步降低.另外,声子效应导致的介电常数数的修正介于高频介电常数和静介电常数之间.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
矩形量子线论文参考文献
[1].包锦,闫祖威.叁元混晶矩形量子线的表面光学声子模[J].内蒙古大学学报(自然科学版).2018
[2].宋铁磊.矩形量子线中的电—声子相互作用[D].内蒙古大学.2011
[3].王广新,段秀芝,钟寿仙,张鹏.磁场下InAs/InP应变矩形量子线能级结构[J].内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版).2010
[4].张丽.矩形量子线中声学极化子及其自陷转变[D].内蒙古大学.2010
[5].段秀芝,王广新,刘德,苟秉屏.磁场下InAs/InP矩形量子线中的电子结构[J].河北师范大学学报(自然科学版).2009
[6].段秀芝.磁场下有限深矩形量子线中激子束缚能的研究[D].河北师范大学.2008
[7].丁朝华,王立国,肖景林.矩形量子线中极化子的性质[J].光电子·激光.2003
[8].丁朝华,肖景林.矩形量子线中极化子的电子与LO声子相互作用能[J].内蒙古民族大学学报(自然科学版).2003
[9]..用原子层外延选择生长法制造GaAs／GaAsP矩形量子线结构[J].激光与光电子学进展.1995