导读:本文包含了双线击穿论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:功率晶体管,反向击穿曲线,半绝缘掺氧多晶硅(SIPOS),双线击穿
双线击穿论文文献综述
曹一江,史良钰,王振群,陈建春,刘晓为[1]（2009）在《SIPOS钝化功率晶体管“双线击穿”曲线现象的分析》一文中研究指出测试半绝缘掺氧多晶硅(SIPOS)层钝化的功率晶体管管芯反向击穿电压曲线时,出现异常击穿曲线——"双线击穿"曲线现象。通过对SIPOS钝化的功率晶体管管芯进行逐层腐蚀,再进行反向击穿曲线测试,以及扫描电镜对SIPOS层结构进行能谱分析,结果显示SIPOS层中氧含量过大,从而产生界面效应造成击穿电压回移,并解释了在应用特定测试仪器测试时显示出"双线击穿曲线"的现象,同时提出解决双线击穿曲线现象的方法。(本文来源于《电子器件》期刊2009年02期）
史良钰[2]（2009）在《SIPOS钝化功率晶体管双线击穿现象的研究》一文中研究指出SIPOS钝化的平面功率晶体管采用半绝缘掺氧多晶硅和二氧化硅的多层表面钝化技术。其中半绝缘掺氧多晶硅(Semi-Insulating Polycrystalline-Silicon,SIPOS)作为一种新的钝化技术,制备在器件衬底表面能有效的屏蔽外部电场,改善了厚SiO_2直接作钝化层时对Na~+等碱金属离子掩蔽能力差、SiO_2与硅衬底界面处存在界面效应和雪崩热载流子容易在SiO_2层中贮存等缺点。因此使用SIPOS薄膜作功率晶体管的钝化层,稳定器件电学性能,可以使功率器件获得更高的耐压。在实际生产中,某些批次的SIPOS钝化平面功率晶体管在“中测”过程中,发现反向击穿电压曲线为“双线击穿”的异常现象。并且出现这种异常击穿曲线现象的管芯占整个晶圆的90%以上,这种异常击穿的“早期失效”严重影响了该系列功率晶体管的良品率。本文针对SIPOS钝化功率晶体管出现的“双线击穿”曲线现象,分析了SIPOS钝化平面功率晶体管的结构和制备工艺,以及SIPOS层性质与钝化机理;根据SIPOS钝化功率晶体管的纵向结构,对出现“双线击穿”曲线现象的管芯进行逐层腐蚀和反向击穿电压的测试,发现腐蚀掉SIPOS层后的管芯,“双线击穿”曲线现象基本消除;通过对SIPOS层进行元素能谱分析,结果显示出现“双线击穿”曲线现象管芯的SIPOS层氧含量为45%左右,超过标准约10%;最后还分析了QT-2型晶体管特性测试仪本身特性与出现“双线击穿”曲线现象的关系。结果表明,严重超标的氧含量使SIPOS层呈现SiO_2性质,在SIPOS与Si衬底界面会出现界面效应,分析认为这是造成器件出现“双线击穿”曲线现象的主要原因;同时当界面陷阱饱和时间常数τ_s小于界面陷阱的泄空时间常数τ_r,且都小于QT-2型图示仪的扫描时间常数τ_c的条件成立时,就会在QT-2型晶体管特性测试仪中观测到稳定的“双线击穿”异常击穿曲线现象。(本文来源于《哈尔滨理工大学》期刊2009-03-01）
程福生[3]（1987）在《用BT法分析器件双线击穿的研究》一文中研究指出双线击穿的器件其性能极为不稳,也是微波管及高反压器件失效的主要原因。我们围绕着双线击穿这一课题,开展了一些工作,认定产生双线击穿的主要原因是来自SiO_2层中的可动Na~+浓度。为此,我们采用高频C—V法BT实验,对有双线和无双线击穿的二种样片的可动Na~+浓度,分别进行了定量分析。并进一步实验论证:可动Na~+浓度只要在小于3.4×10~(11)/cm~2的情况下,双线击穿即可消除。本文为器件的双线击穿问题提供了一定的依据和有关实验方法。(本文来源于《电子工艺技术》期刊1987年01期）
双线击穿论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
SIPOS钝化的平面功率晶体管采用半绝缘掺氧多晶硅和二氧化硅的多层表面钝化技术。其中半绝缘掺氧多晶硅(Semi-Insulating Polycrystalline-Silicon,SIPOS)作为一种新的钝化技术,制备在器件衬底表面能有效的屏蔽外部电场,改善了厚SiO_2直接作钝化层时对Na~+等碱金属离子掩蔽能力差、SiO_2与硅衬底界面处存在界面效应和雪崩热载流子容易在SiO_2层中贮存等缺点。因此使用SIPOS薄膜作功率晶体管的钝化层,稳定器件电学性能,可以使功率器件获得更高的耐压。在实际生产中,某些批次的SIPOS钝化平面功率晶体管在“中测”过程中,发现反向击穿电压曲线为“双线击穿”的异常现象。并且出现这种异常击穿曲线现象的管芯占整个晶圆的90%以上,这种异常击穿的“早期失效”严重影响了该系列功率晶体管的良品率。本文针对SIPOS钝化功率晶体管出现的“双线击穿”曲线现象,分析了SIPOS钝化平面功率晶体管的结构和制备工艺,以及SIPOS层性质与钝化机理;根据SIPOS钝化功率晶体管的纵向结构,对出现“双线击穿”曲线现象的管芯进行逐层腐蚀和反向击穿电压的测试,发现腐蚀掉SIPOS层后的管芯,“双线击穿”曲线现象基本消除;通过对SIPOS层进行元素能谱分析,结果显示出现“双线击穿”曲线现象管芯的SIPOS层氧含量为45%左右,超过标准约10%;最后还分析了QT-2型晶体管特性测试仪本身特性与出现“双线击穿”曲线现象的关系。结果表明,严重超标的氧含量使SIPOS层呈现SiO_2性质,在SIPOS与Si衬底界面会出现界面效应,分析认为这是造成器件出现“双线击穿”曲线现象的主要原因;同时当界面陷阱饱和时间常数τ_s小于界面陷阱的泄空时间常数τ_r,且都小于QT-2型图示仪的扫描时间常数τ_c的条件成立时,就会在QT-2型晶体管特性测试仪中观测到稳定的“双线击穿”异常击穿曲线现象。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
双线击穿论文参考文献
[1].曹一江,史良钰,王振群,陈建春,刘晓为.SIPOS钝化功率晶体管“双线击穿”曲线现象的分析[J].电子器件.2009
[2].史良钰.SIPOS钝化功率晶体管双线击穿现象的研究[D].哈尔滨理工大学.2009
[3].程福生.用BT法分析器件双线击穿的研究[J].电子工艺技术.1987
标签：功率晶体管; 反向击穿曲线; 半绝缘掺氧多晶硅(SIPOS); 双线击穿;