导读:本文包含了源离子注入论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:山东蓝宝石,离子注入技术,改色处理
源离子注入论文文献综述
张翰林,刘琦[1]（2013）在《等离子体源离子注入技术在蓝宝石颜色改善方面的探索》一文中研究指出采用等离子体源离子注入技术对山东省昌乐县蓝宝石进行改色处理,利用光学显微镜、维氏显微硬度计、USB4000光纤光谱仪、LA-ICP-MS等仪器对样品作了分析。初步试验表明,注入钛离子后,能增加蓝宝石表面光泽度,降低饱和度,达到颜色减淡的目的。最适宜的钛离子注入剂量强度和引出电压分别是在1×1017ions/cm2和50KV附近。(本文来源于《经济师》期刊2013年09期）
王加梅,赵青,武洪臣[2]（2012）在《铪离子等离子体源离子注入铜基体的数值模拟》一文中研究指出通过SRIM软件对铪离子等离子体源离子注入铜进行了模拟。模拟了铪离子注入铜的核阻止本领、电子阻止本领、入射深度随能量的变化,以及在不同注入条件下铪离子的摩尔浓度分布,并对模拟结果进行了分析。结果显示:能量低于6MeV时核阻止本领占主导地位,高于6MeV时电子阻止本领成为主要的能量损失,并且离子注入过程中会出现能量沉积的Bragg峰和质量沉积区域较集中的现象,入射深度随能量的增加而增加。(本文来源于《强激光与粒子束》期刊2012年05期）
田立成,李雪春,王友年[3]（2009）在《圆柱形PET材料的等离子体源离子注入过程鞘层演化模拟研究》一文中研究指出PET(Polyethylene terephthalate)材料由于具有低成本、不易损坏等优点而被广泛地应用于食品和药品包装领域,但PET材料对诸如CO_2和O_2等气体的阻隔特性较差,不利于食品或药品的长期保存。等离子体源离子注入技术(PSII)已成功用于PET的表面改性并有效提高了O_2等气体的阻隔特性。然而PET材料的导电性差,在PSII过程中PET材(本文来源于《第十四届全国等离子体科学技术会议暨第五届中国电推进技术学术研讨会会议摘要集》期刊2009-07-20）
傅云清,魏宝仁,邹亚明[4]（2009）在《基于上海EBIT装置的MEVVA源离子注入》一文中研究指出MEVVA离子源是目前上海EBIT装置上用于低价态初始离子注入的外置离子源。为了提高MEVVA源的离子注入效率,本文做了以下两方面的工作。首先提高MEVVA源自身的工作效率。通过改进对其触发极结构,确保MEVVA源的阴极、触发极与其间绝缘体之间装配为过渡配合,并适当降低绝缘体的绝缘性能,使得MEVVA源在运行时,其触发极与阴极之间为沿绝缘体端面的表面放电,MEVVA源的运行稳定性显着提高。其次通过数值模拟寻求不同EBIT运行条件下MEVVA源的最佳工作参数。由于从MEVVA源发出的离子必须经过EBIT的电子收集器才能到达中心阱区,该收集器的电压参数(取决于电子束的能量)会对注入离子的运动轨迹造成显着影响,因此MEVVA源的运行参数必须与电子束能量相匹配才有可能实现离子的注入。本文利用SIMION程序对不同电子束能量下的离子注入过程进行了模拟,得到了各种束流条件下的MEVVA源的理论最佳运行参数。这些数值结果可以作为MEVVA源离子注入实验的重要参考。以数值模拟为指导进行了不同EBIT束流能量下的MEVVA源Au离子注入实验,可以看到MEVVA源的离子注入效率得到了显着提升,相关实验结果将在报告中进行展示和讨论。(本文来源于《第十五届全国原子与分子物理学术会议论文摘要集》期刊2009-07-11）
吴雪飞[5]（2009）在《等离子体源离子注入过程中离子动力学演化数值模拟》一文中研究指出等离子体源离子注入(Plasma Source Ion Implantation,简称PSII)是一项非视线性低温等离子体材料表面的改进新技术。这项技术一经提出,就引起了国际上的普遍关注。在这项技术的实际应用过程中,等离子体鞘层的时空演化过程以及真空中气压参数的影响对等离子体与材料表面的相互作用有着非常重要的意义。本文首先利用两维PIC(particle in cell)模型,通过鞘层中电势分布的泊松方程,考察了等离子鞘层中随时间变化的电势分布和离子密度分布规律,离子在鞘层中的运动轨迹和运动状态;得到了半圆容器内、外表面和边缘平面上各点离子注入剂量分布和工件表面各点注入离子的入射角分布。结果表明:由于电场的聚焦效应,容器内表面的离子注入剂量总是低于外表面的离子注入剂量,内表面的离子注入剂量随着鞘层演化增加缓慢,内、外表面注入剂量差异随时间逐渐增大,这样就导致了离子注入剂量非常不均匀。本文再次利用Monte Carlo计算机模拟技术,考察了有共心附加零电位电极时半圆容器内底中央部位A_r~+注入能量和角度分布及真空气体压强的影响。在考虑到离子在穿越鞘层的过程中会与中性粒子发生碰撞(电荷交换碰撞和弹性碰撞)通过在不同半径的鞘层边界上随机抽取与半径成正比的离子数量,计算了注入到工件内表面上的所有离子的注入能量和入射角度的分布。随着中性气体压强的增加,离子在穿越鞘层的过程中与中性粒子经历比较频繁的碰撞。碰撞一方面使离子失去能量,另一方面也使离子改变运动方向,导致注入到工件表面低能离子和小角度入射的离子增多。综上所述,在等离子体源离子注入过程中,半圆形容器由于表面形状弯曲,在附加脉冲电压的影响下,电场会出现聚焦效应,导致了等离子体鞘层形状的变化,鞘层的扩展速度也受到了影响。基于上述原因,离子注入到半圆形容器的表面上时,离子注入剂量出现不均匀的现象。这为优化等离子体源离子注入技术提供了理论支持。(本文来源于《辽宁师范大学》期刊2009-06-01）
刘鹤[6]（2009）在《等离子体源离子注入中的栅网阴影效应的离子动力学PIC模拟》一文中研究指出等离子体源注入技术是利用等离子体为离子源进行材料表面处理和改性的新兴技术。对于很多以前依靠传统合金技术不能解决的难题,等离子源注入技术都可以很好的解决。直流等离子体源离子注入(直流PIII)技术和栅极增强型等离子体源离子注入技术在半导体工艺和材料表面改性中十分重要。而在这些工艺中,离子注入均匀性是至关重要的。实验结果表明,辅助栅网网格的阴影效应产生的网格状花纹是造成离子表面离子注入不均匀的重要原因。本文建立了一种PIC模型研究了直流等离子体源离子注入和栅极增强型等离子体源离子注入。在这个模型中,等离子在离子产生区生成,加速穿过离子加速区的接地栅网,然后加速注入到平面工件的表面。我们特别研究了影响电压对于离子运动轨迹和运动状态以及注入到工件表面的离子通量密度分布的影响。我们发现在等离子区域中靠近圆孔的部分的电势并不是等离子体电势而是受注入工件上的电压影响——等离子鞘层随着弯曲的等位线通过圆孔扩展到等离子体区域的内部,并且扩展的程度与工件上的电压有关。离子被鞘层中的加速电场加速,以束流的形式注入到工件表面,而束流分布的情况与作用电压有着十分密切的关系。模拟实验的结果显示了栅网阴影效应的离子动力学形成机制,这与观察实验的结果相符。(本文来源于《辽宁师范大学》期刊2009-04-01）
李杜[7]（2009）在《环状样品等离子体源离子注入过程两维Particle-in-Cell计算机模拟》一文中研究指出近年来,等离子体源离子注入(PSII)在改善材料表面性能方面得到了广泛应用。该技术是把待加工的样品直接放在等离子体中,当样品上施加一个负偏压脉冲后,电子被电场迅速驱逐并远离样品表面,而离子几乎保持静止,从而在样品表面附近形成了一个离子鞘层。在鞘层中电场的作用下,离子被源源不断地加速注入到样品表面,从而达到改善材料表面性能的目的。在这一技术中,等离子体鞘层的时空演化对材料表面改性有着非常重要的影响。本文利用两维Particle-in-Cell模型,研究了在高压脉冲作用下,环形样品各表面的等离子体源离子注入过程中离子的动力学行为。利用泊松方程、离子运动方程和电子Boltzmann分布,考察了等离子体鞘层中电势分布、鞘层边界演化、离子密度分布、离子运动状态矢量分布和离子注入剂量分布的时空演化规律。Particle-in-Cell模型能够实现对注入离子的有效跟踪,反映离子在空间场中的运动情况,完备地描述鞘层演化规律和离子的动力学行为。随着鞘层的演化,电场会出现“聚焦”现象,导致离子在飞行过程中会彼此穿越,造成样品边缘附近离子注入剂量的极度不均匀,即在样品边缘附近出现叁个注入剂量高峰。这一分析方法对实际等离子体源离子注入应用具有重要的指导作用。(本文来源于《辽宁师范大学》期刊2009-04-01）
刘成森,王德真,刘天伟,王艳辉[8]（2008）在《半圆形容器等离子体源离子注入过程中离子动力学的两维PIC计算机模拟》一文中研究指出利用两维particle-in-cell方法研究了半圆形容器表面等离子体源离子注入过程中鞘层的时空演化规律.详尽考察了鞘层内随时间变化的电势分布和离子密度分布规律,离子在鞘层中的运动轨迹和运动状态,得到了半圆容器内、外表面和边缘平面上各点离子注入剂量分布规律,获得了工件表面各点注入离子的入射角分布规律.研究结果揭示了半圆容器边缘附近鞘层中离子聚焦现象,以及离子聚焦现象导致工件表面注入剂量分布和注入角度分布存在很大不均匀的基本物理规律.(本文来源于《物理学报》期刊2008年10期）
刘成森,吴雪飞,高昕昕[9]（2008）在《等离子体源离子注入半圆碗状球内壁离子能量和角度分布》一文中研究指出在等离子体源离子注入(PSII)技术中,被加工材料表明形状的弯曲使附近鞘层中电场结构出现聚焦效应,从而引起离子束流和离子注入剂量在材料表明上分布非常不均匀.在半圆容器表面情况下,这种情况尤为明显.利用MonteCarlo方法,考察了有共心附加零电位电极时半圆容器内底中央部位Ar+注入能量和角度分布及真空室中气压参数的影响.通过在不同半径的鞘层边界上随机抽取与半径成正比的离子数量,计算了注入到内底表面的所有离子能量分布和角度分布.在模型中,通过考虑两种主要碰撞过程:电荷交换碰撞和弹性碰撞.对不同工作气压下的离子注入进行了考察.随着中性气体压力的增加,离子在穿越鞘层的过程中与中性粒子经历比较频繁的碰撞.这些碰撞一方面使离子失去能量,另一方面也使离子改变运动方向,导致注入的低能离子和不垂直于表面入射的离子增多.(本文来源于《辽宁师范大学学报(自然科学版)》期刊2008年03期）
刘成森,李晓红,王德真,刘天伟[10]（2008）在《球心处有附加电极的半圆形容器等离子体源离子注入过程中鞘层的时空演化》一文中研究指出本文利用两维流体模型研究了半圆形容器在放置共心零电位附加电极情况下,等离子体源离子注入的离子鞘层时空演化动力学过程。考察了鞘层内随时间变化的电势分布和离子密度分布,计算了容器内外表面的离子束流密度分布和注入剂量分布随时间的变化规律。研究结果显示,容器内表面附近鞘层扩展到附加电极后,其中的离子逐渐都注入到容器内表面、电场分布逐渐趋于稳定。同时,在容器内表面上,离子注入剂量不再增加。(本文来源于《真空科学与技术学报》期刊2008年05期）
源离子注入论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
通过SRIM软件对铪离子等离子体源离子注入铜进行了模拟。模拟了铪离子注入铜的核阻止本领、电子阻止本领、入射深度随能量的变化,以及在不同注入条件下铪离子的摩尔浓度分布,并对模拟结果进行了分析。结果显示:能量低于6MeV时核阻止本领占主导地位,高于6MeV时电子阻止本领成为主要的能量损失,并且离子注入过程中会出现能量沉积的Bragg峰和质量沉积区域较集中的现象,入射深度随能量的增加而增加。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
源离子注入论文参考文献
[1].张翰林,刘琦.等离子体源离子注入技术在蓝宝石颜色改善方面的探索[J].经济师.2013
[2].王加梅,赵青,武洪臣.铪离子等离子体源离子注入铜基体的数值模拟[J].强激光与粒子束.2012
[3].田立成,李雪春,王友年.圆柱形PET材料的等离子体源离子注入过程鞘层演化模拟研究[C].第十四届全国等离子体科学技术会议暨第五届中国电推进技术学术研讨会会议摘要集.2009
[4].傅云清,魏宝仁,邹亚明.基于上海EBIT装置的MEVVA源离子注入[C].第十五届全国原子与分子物理学术会议论文摘要集.2009
[5].吴雪飞.等离子体源离子注入过程中离子动力学演化数值模拟[D].辽宁师范大学.2009
[6].刘鹤.等离子体源离子注入中的栅网阴影效应的离子动力学PIC模拟[D].辽宁师范大学.2009
[7].李杜.环状样品等离子体源离子注入过程两维Particle-in-Cell计算机模拟[D].辽宁师范大学.2009
[8].刘成森,王德真,刘天伟,王艳辉.半圆形容器等离子体源离子注入过程中离子动力学的两维PIC计算机模拟[J].物理学报.2008
[9].刘成森,吴雪飞,高昕昕.等离子体源离子注入半圆碗状球内壁离子能量和角度分布[J].辽宁师范大学学报(自然科学版).2008
[10].刘成森,李晓红,王德真,刘天伟.球心处有附加电极的半圆形容器等离子体源离子注入过程中鞘层的时空演化[J].真空科学与技术学报.2008