导读:本文包含了硅玻璃键合论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:阳极键合,原位拉曼光谱,形态,界面
硅玻璃键合论文文献综述
明小祥[1]（2016）在《基于激光拉曼光谱的硅—玻璃阳极键合界面应力的研究》一文中研究指出阳极键合是一种在微电子机械系统中广泛使用的技术。由于阳极键合应力引起的结构破坏会增加产品成本,延长研发周期,一直是该领域亟待解决的问题。阳极键合结构界面处的应力状态最为复杂,也往往是结构破坏的主要发生部位。但是目前对于硅-玻璃阳极键合界面应力的深入研究较少,尤其是缺乏对硅-玻璃阳极键合界面结构的形成及其对界面应力影响的研究。而研究界面处的应力,对于阳极键合结构的完整性尤为重要,但目前又鲜有基于实验的研究键合界面应力的手段。本文主要基于激光拉曼光谱的方法,研究硅-玻璃阳极键合的界面应力。首先,基于激光拉曼光谱的方法,并通过设计叁因素叁水平的正交试验,探究了阳极键合电压、温度、通电时间对硅-玻璃界面处应力的影响。结果表明,随着电压增加,键合界面应力先增加后减小；随着温度升高,键合界面应力一直减小；随着通电时间的增长,键合界面应力呈现先增加后减小的趋势。其次,通过自制的小型原位阳极键合装置,探究了整个阳极键合过程中硅-玻璃界面处拉曼光谱峰位的变化。结果表明,在400℃,-1000V,latm阳极键合条件下,键合过程中会在界面附近的单晶硅上形成大小为80 MPa的拉应力。最后,结合分子动力学模拟的方法对硅-玻璃阳极键合的界面结构进行了探究。分子动力学模拟结果结合原位拉曼光谱实验表明,在400℃,-1000V,1atm条件下硅-玻璃界面形成的氧化层最可能是无定形的Si02。通过对不同厚度氧化层的模拟可知,400℃,-1000V直流电压,1atm,90min键合时间的阳极键合条件下形成的无定形Si02的厚度至少为2 nm。在30 min～90 min时间段内硅的氧化速率约为0.022 nm/min。(本文来源于《华东理工大学》期刊2016-04-12）
张强,王鸣,戎华[2]（2009）在《硅压力传感器中硅玻璃阳极键合的热应力分析》一文中研究指出由于硅与玻璃阳极键合需要在相对较高的温度下进行,因此材料之间会因热膨胀系数失配而产生较大的热应力,该应力对压力传感器的性能影响较大。对采用单晶硅横膈膜作为敏感膜与玻璃环阳极键合形成压力参考腔的封装,用有限元方法对硅玻璃环键合后因温度变化所产生的应力分布进行了系统仿真分析,并采用泰曼-格林干涉仪对键合后硅片的变形进行测量。测量结果显示硅膜的挠度为283nm,测量结果与仿真结果基本一致。(本文来源于《光学与光电技术》期刊2009年03期）
秦会峰,杨立强,孟庆森[3]（2009）在《硼硅玻璃与硅阳极键合机理及其界面微观结构分析》一文中研究指出为提高玻璃与硅的阳极键合技术在微电子制造和封装过程中的稳定性,对硼硅玻璃与硅进行了阳极键合试验,通过工艺试验,从固态热力学角度分析键合温度和电压对硅/玻璃键合质量的影响;通过扫描电镜对硅/玻璃键合界面的微观结构进行分析,认为键合温度和界面区的强电场是形成界面过渡层的主要因素,界面过渡层的形成促进了硅/玻璃的永久键合。(本文来源于《兵器材料科学与工程》期刊2009年01期）
许东华,张兆华,林惠旺,刘理天,任天令[4]（2008）在《硅玻璃阳极键合绝压压阻式压力传感器中的残余应力》一文中研究指出硅玻璃阳极键合技术因键合强度高,工艺简单而成为低成本绝压压力传感器的主要封装技术。但由于常规的硅玻璃阳极键合需要在相对较高的温度下进行且材料之间不可避免的热膨胀系数失配将产生较大的残余应力。实验采用有限元方法对硅玻璃阳极键合进行了系统的力学分析以减小残余应力对器件性能的影响。实验中采用硅玻璃阳极键合技术制备了不同压敏膜厚度和尺寸的传感器并测试其曲率与零点以对残余应力进行分析验证。(本文来源于《功能材料与器件学报》期刊2008年02期）
程文进,汤自荣,廖广兰,史铁林,林晓辉[5]（2008）在《硅/玻璃紫外固化中间层键合》一文中研究指出利用玻璃的透光特性和紫外固化的成熟技术,研究了一种使用紫外固化胶作为中间层的玻璃/硅室温键合工艺.通过选择一定波段的紫外固化胶,旋涂紫外胶后使用365nm光刻机作为紫外光源控制紫外固化,从而实现了硅/玻璃的中间层键合.分析测试结果表明,紫外固化辅助的中间层键合可以成功应用于硅/玻璃键合,中间层厚5～6μm,键合强度达到26MPa.该工艺只需室温条件,简单高效,成本低廉,无需额外的压力或电场,对于硅/玻璃低温键合封装具有潜在的应用价值.(本文来源于《半导体学报》期刊2008年01期）
马子文,汤自荣,廖广兰,史铁林,聂磊[6]（2007）在《无压力辅助硅/玻璃激光局部键合》一文中研究指出提出了一种新的无需外压力作用的硅/玻璃激光局部键合方法,通过对晶圆进行表面活化处理,选择合适的激光参数及加工环境,成功地实现了无压力辅助硅/玻璃激光键合.同时研究了该键合工艺参数如激光功率、激光扫描速度、底板材料等的影响.实验表明,激光功率越大,扫描速度越小,键合线的宽度就越大.实验结果显示,该方法能有效减少键合片的残余应力,控制键合线宽,并能得到较好的键合强度.该工艺可为MEMS器件的封装与制造提供简洁、快速、键合区可选择的新型键合方法.(本文来源于《半导体学报》期刊2007年02期）
王培森,于映,罗仲梓,彭慧耀[7]（2007）在《硅/玻璃键合技术在RF-MEMS开关制作中的应用》一文中研究指出介绍了一种新的RF-MEMS开关制作工艺,利用静电键合技术将表面微加工工艺与体硅加工工艺结合在一起完成开关上下电极的组合;说明了如何在普通环境下进行图形对准;通过静电力的理论计算和键合试验,分析了铝台阶对硅/玻璃静电键合的影响,得出铝台阶厚度低于100nm时键合效果较好;对有无铝台阶时的静电键合电流特性进行比较,分析了硅/玻璃界面电荷分布及其运动情况,为RF-MEMS开关的设计与制作提供了有意义的参考。(本文来源于《微纳电子技术》期刊2007年01期）
秦会峰,孟庆森,宋永刚,胡利方,张惠轩[8]（2006）在《硼硅玻璃与硅阳极键合界面形成机理分析》一文中研究指出对硼硅玻璃与硅进行了阳极键合实验,通过扫描电镜对键合界面的微观结构进行分析表明:玻璃/硅的键合界面有明显的中间过渡层生成;分析认为电场力作用下玻璃耗尽层中的氧负离子向界面迁移扩散并与硅发生氧化反应是形成中间过渡层的主要原因,而界面过渡层的形成是硅/玻璃界面键合实现永久连接的直接原因。(本文来源于《功能材料》期刊2006年09期）
宋永刚,秦会峰,胡利方,鲁晓莹,孟庆森[9]（2006）在《硼硅玻璃与硅阳极键合机理分析》一文中研究指出硼硅玻璃与硅进行阳极键合试验,通过扫描电镜及能谱分析对键合界面的微观结构进行分析,结果表明:玻璃/硅的键合界面有明显的中间过渡层生成;在电场力作用下玻璃耗尽层中的氧负离子向界面迁移扩散并与硅发生氧化反应是形成中间过渡层的主要原因,界面过渡层的形成是玻璃/硅界面键合实现连接的基本条件。(本文来源于《兵器材料科学与工程》期刊2006年04期）
宋永刚,秦会峰,胡利方,孟庆森[10]（2006）在《硼硅玻璃与Kovar合金阳极键合机理分析》一文中研究指出硼硅玻璃与Kovar合金进行阳极键合实验, 通过扫描电镜及能谱分析对键合界面的微观结构进行分析表明:硼硅玻璃／Kovar合金的键合界面有过渡层生成,分析认为在外加电场和温度的作用下玻璃耗尽层中的氧负离子向界面迁移扩散并与金属发生氧化反应是形成过渡层的主要原因,而界面过渡层的形成是硼硅玻璃／Kovar合金界面实现连接的基本条件。(本文来源于《2006年全国功能材料学术年会专辑》期刊2006-07-01）
硅玻璃键合论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
由于硅与玻璃阳极键合需要在相对较高的温度下进行,因此材料之间会因热膨胀系数失配而产生较大的热应力,该应力对压力传感器的性能影响较大。对采用单晶硅横膈膜作为敏感膜与玻璃环阳极键合形成压力参考腔的封装,用有限元方法对硅玻璃环键合后因温度变化所产生的应力分布进行了系统仿真分析,并采用泰曼-格林干涉仪对键合后硅片的变形进行测量。测量结果显示硅膜的挠度为283nm,测量结果与仿真结果基本一致。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
硅玻璃键合论文参考文献
[1].明小祥.基于激光拉曼光谱的硅—玻璃阳极键合界面应力的研究[D].华东理工大学.2016
[2].张强,王鸣,戎华.硅压力传感器中硅玻璃阳极键合的热应力分析[J].光学与光电技术.2009
[3].秦会峰,杨立强,孟庆森.硼硅玻璃与硅阳极键合机理及其界面微观结构分析[J].兵器材料科学与工程.2009
[4].许东华,张兆华,林惠旺,刘理天,任天令.硅玻璃阳极键合绝压压阻式压力传感器中的残余应力[J].功能材料与器件学报.2008
[5].程文进,汤自荣,廖广兰,史铁林,林晓辉.硅/玻璃紫外固化中间层键合[J].半导体学报.2008
[6].马子文,汤自荣,廖广兰,史铁林,聂磊.无压力辅助硅/玻璃激光局部键合[J].半导体学报.2007
[7].王培森,于映,罗仲梓,彭慧耀.硅/玻璃键合技术在RF-MEMS开关制作中的应用[J].微纳电子技术.2007
[8].秦会峰,孟庆森,宋永刚,胡利方,张惠轩.硼硅玻璃与硅阳极键合界面形成机理分析[J].功能材料.2006
[9].宋永刚,秦会峰,胡利方,鲁晓莹,孟庆森.硼硅玻璃与硅阳极键合机理分析[J].兵器材料科学与工程.2006
[10].宋永刚,秦会峰,胡利方,孟庆森.硼硅玻璃与Kovar合金阳极键合机理分析[C].2006年全国功能材料学术年会专辑.2006