本文主要研究内容
作者吴思思,黄腾翔,曹茂丰,姚旭,任斌（2019）在《纳米尺度研究缺陷对薄层二硫化钼的电子性能影响》一文中研究指出：以二硫化钼为代表的过渡金属硫族化合物(Transition metal dichalcogenides,TMD)有着优异的光学、化学与电子性能[1],其性能尤其是电子性能明显地受到材料纳米缺陷的影响。尽管缺陷本身尺度很小,但是能在一定范围内显著地调控材料能带结构与电子密度的分布[2]。然而人们对于纳米尺度下缺陷是如何影响材料的电子性能,其调控方向、范围以及缺陷与缺陷间是否存在相互作用知之甚少。在此
Abstract
yi er liu hua mu wei dai biao de guo du jin shu liu zu hua ge wu (Transition metal dichalcogenides,TMD)you zhao you yi de guang xue 、hua xue yu dian zi xing neng [1],ji xing neng you ji shi dian zi xing neng ming xian de shou dao cai liao na mi que xian de ying xiang 。jin guan que xian ben shen che du hen xiao ,dan shi neng zai yi ding fan wei nei xian zhe de diao kong cai liao neng dai jie gou yu dian zi mi du de fen bu [2]。ran er ren men dui yu na mi che du xia que xian shi ru he ying xiang cai liao de dian zi xing neng ,ji diao kong fang xiang 、fan wei yi ji que xian yu que xian jian shi fou cun zai xiang hu zuo yong zhi zhi shen shao 。zai ci
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自第二十届全国光散射学术会议（CNCLS 20）的吴思思,黄腾翔,曹茂丰,姚旭,任斌，发表于刊物第二十届全国光散射学术会议（CNCLS 20）2019-11-03论文，是一篇关于二硫化钼论文,缺陷论文,针尖增强光谱论文,第二十届全国光散射学术会议（CNCLS 20）2019-11-03论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自第二十届全国光散射学术会议（CNCLS 20）2019-11-03论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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