导读:本文包含了模拟存储器论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:单粒子翻转效应,截面,Geant4,重离子
模拟存储器论文文献综述
高丽娟,白彩艳[1]（2019）在《静态随机存储器单粒子翻转效应截面的蒙特卡罗模拟》一文中研究指出单粒子翻转(SEU)效应是离子入射静态随机存储器(SRAM)使其逻辑状态发生改变的一种效应.依据地面单粒子翻转实验数据构建合适的模型可以对器件的在轨运行错误率进行预估.文章主要针对0.15μm工艺的SRAM,基于蒙特卡罗软件Geant4,构建经验模型,模拟其单粒子翻转效应截面,并将模拟结果与实验结果进行对比,结果表明该经验模型可以应用于亚微米器件单粒子翻转效应的模拟.(本文来源于《山西师范大学学报(自然科学版)》期刊2019年03期）
李菲菲,刘宝根[2]（2018）在《远距离规则的内隐学习使用了何种记忆存储器:来自神经网络模拟的证据》一文中研究指出远距离规则的知识是如何被内隐学习的,研究尚未得出结论。该研究采用和人类被试相同的实验材料和程序,考察了简单循环网络模型(SRN)对两种汉语声调远距离规则——倒映和逆行规则的学习。结果发现:(1)在广泛的参数范围上,SRN能够学会倒映和逆行规则,表明模型的记忆缓冲器可以模拟人类远距离规则的内隐学习;(2)SRN学习倒映规则比逆行规则更好,表明在功能上远距离规则的内隐学习可能优先使用了先进先出的记忆存储器及信息加工模式。该研究为探究远距离规则内隐学习的机制提供了新的证据和视角。(本文来源于《心理科学》期刊2018年04期）
李晓光[3]（2018）在《磁性数据存储器的微磁模拟与静动态特性分析》一文中研究指出数据存储器件是铁磁材料的主要应用方向之一。目前基于铁磁材料的数据存储器件主要有两类,分别是较为通用的硬盘驱动器(hard disk drive,HDD)和近年来快速发展的磁性随机存储器(magnetic random-access memory,MRAM)。两类器件的特性均可通过LandauLifshitz-Gilbert-Slonczewski(LLGS)微分方程及微磁学理论进行分析预测。因此,展开相关的数值模拟研究对于把握器件特性、了解关键参数之间的消涨关系以及设计验证先进方案均具有重要意义。基于以上研究现状,本文结合微磁模拟与有限元电磁场分析对HDD与MRAM这两类数据存储器件的特性进行了数值模拟分析,主要的研究内容和所得结论如下:(1)根据微磁学理论与微分方程数值求解方法开发了基于有限差分法的微磁模拟程序Micromag。这部分内容首先介绍了LLGS微分方程中涉及的等效力矩、自由能以及相应的有效场,并给出了有限差分的离散表达式。随后推导Micromag中具体求解的分量形式的LLGS微分方程组,并对适用的数值方法进行比较。最后,基于微磁学标准问题#2和#4对程序的计算结果进行了验证和分析。该部分研究内容是后续研究的主要理论工具之一。(2)结合微磁模拟、有限元电磁场分析与响应面法,提出一种用于磁记录写入性能综合分析优化的方法。该方法通过二阶多项式模型直观反映磁记录系统多个设计参数对响应目标的综合影响。在此基础上,通过两组中心组合设计分析了瓦片式磁记录中写头的横向屏蔽间隙宽度、纵向屏蔽间隙宽度、屏蔽槽深度以及存储介质各向异性能密度对有效写场梯度的综合影响。分析结果表明:有效写场梯度主要受到纵向屏蔽间隙宽度与介质各向异性能密度的影响,其次受到横向屏蔽间隙宽度的影响,不受屏蔽槽深度的影响。此外,纵向屏蔽间隙宽度与介质各向异性能密度产生的影响具有较强的相关性。该部分研究说明了进行磁记录系统写入性能综合分析的必要性。(3)结合LLGS微分方程的解析分析,宏自旋模型与微磁模型对平面结构的由自旋轨道矩(spin orbit torque,SOT)驱动的MRAM的主要性能指标,如阈值电流密度、热稳定性以及自旋转移效率对单元几何结构的依赖特性进行分析。首先,通过LLGS微分方程的解析分析得到了决定自由层磁矩动态特性的阈值电流密度的表达式;随后,通过引入椭圆薄膜磁体的退磁因子建立了阈值电流密度关于单元几何结构的解析模型,进一步通过与宏自旋模型、微磁模型的对比验证了其正确性。在此基础上,从理论角度研究了基于CoFeB/MgO/CoFe B/W结构的平面SOT-MRAM单元的关键性能指标对单元几何结构的依赖特性。分析结果表明:单元自由层长轴长度与不稳定阈值电流密度以及反转阈值电流密度呈非线性相关趋势,与热稳定性呈线性相关趋势;平面SOT-MRAM单元的最优椭圆率约为3,与以往的经验性结论相吻合。(4)提出一种利用层间反铁磁耦合作用的垂直SOT-MRAM方案。存储单元的基本结构为垂直磁性隧道结/重金属层/铁磁辅助层,其中磁性隧道结的自由层与重金属层相邻,并通过层间交换作用与铁磁辅助层相互耦合。该单元的磁矩反转由惯性驱动,并且在不同宽度的电流脉冲激励下呈现出独特而丰富的反转特性。通过充分利用自旋霍尔效应产生的自旋流与层间反铁磁耦合作用,该方案能够在无外加磁场的条件下实现数十皮秒的超快磁矩反转,同时有效提升单元的热稳定性。基于耦合的双宏自旋模型与微磁模型对存储单元的阈值写入电流、写入时间、热稳定性进行分析,并提出存储器件对单元结构以及材料属性的要求。(本文来源于《太原理工大学》期刊2018-06-01）
房大健[4]（2018）在《氧化锡基阻变存储器研究及电荷俘获型存储器仿真模拟》一文中研究指出随着微电子技术的飞速发展,电子设备日趋微型化。但是基于传统浮栅结构的Flash存储器却面临着严峻的考验,如漏电严重、控制栅与浮栅耦合系数下降等问题,新一代存储器件该如何发展逐渐成为焦点。目前的发展方向可以分为两个大类,一是发展全新机制的非易失性存储器,具有代表性的有铁电存储器(FeRAM)、磁存储器(MRAM)、阻变存储器(RRAM)和相变存储器(PRAM);另一种是发展基于电荷俘获的3D-NAND flash存储器,提高集成密度,以应对存储器件尺寸缩小所面临的物理极限。基于此背景,我们分别对新一代非易失性存储器的有力候选者——阻变存储器(RRAM)及电荷俘获型SONOS结构存储器展开了研究。首先,氧化锡作为宽禁带氧化物半导体,具有价格低廉,稳定性好,无毒无害等优点,我们选择它作为RRAM阻变层的材料。首先用溶液法配制浓度0.1 mol/L的溶胶溶液,然后在ITO衬底上旋涂成膜,经过氨气氛围、退火等处理得到氧化锡阻变层,之后热蒸发蒸镀100 nmAl作为顶电极,制成了典型的“叁明治”结构(结构简单也是RRAM作为存储器的一大优势)并研究了器件的阻变特性。接着,为了得到更好的器件性能,对工艺进行了一系列尝试性优化,包括:涂膜速度、氨气或氨水处理,退火温度等。除此之外,我们研究了测试方法对器件阻变性能产生的影响:一定条件下,对器件进行不同方向的Electrical Forming(电形成),器件会出现不同的性能。改变测试的限制电流(compliance current)也会对器件性能产生影响。最后,我们将器件的阻变特性与电压极性关联,发现器件特性具有对称性。基于得到的一系列结果,我们进行了阻变类型分析,认为器件阻变是由氧空位形成的导电细丝引起;并对I-V曲线进行了拟合,拟合结果表明器件导电机制符合SCLC模型(Space Charge Limited Current,空间电荷限制电流效应)。接下来,我们使用Silvaco TCAD仿真软件对SONOS结构存储器进行研究。首先,由于实验上研究MOS器件是研究SONOS结构的重要途径,我们也从MOS结构入手,分别研究了介质层厚度、顶电极、衬底浓度、固定电荷、测试温度、界面缺陷等因素对MOS器件C-V特性曲线的影响,通过对比模拟和实验结果能够对实验提供一定的参考性。之后,我们使用DYNASONOS模型构建了一个标准的SONOS模型和一个使用高k材料(A1203)做阻挡层的结构,通过软件直观地比较了两个器件相同偏压下各介质层的场强、能带图以及写入电量随时间变化的图像,直观、形象地观察高k材料相比Si02的优势。接着我们对使用不同厚度的A1203阻挡层器件进行了比对,通过写入速度、写入电量以及保持时间叁个方面确定了阻挡层最佳厚度。(本文来源于《山东大学》期刊2018-04-20）
胡聪[5]（2018）在《ZnO阻变存储器的实验与数值模拟研究》一文中研究指出随着移动终端、云计算、大数据等信息技术的突飞猛进,市场对性能优越的电子产品的需求日益迫切。存储器是限制计算机技术发展最大的阻碍,所以新一代高性能存储器的开发与研究被越来越多人关注。阻变存储器具有存储密度高、擦写速度快和非易失性等优点,拥有极大潜力取代目前市面上主流的闪存(flash)存储器。但经过近二十年的研究,阻变存储器依旧没能取代闪存,这是由于物理机制不明导致无法实现对阻变特性的调控。因此本文用数值模拟的方法研究ZnO阻变存储器的物理机制,为阻变特性的调控提供有效的思路与方法。本文通过研究制备参数对Zn O薄膜形貌以及Al/ZnO/p~+-Si结构阻变存储器阻变特性的影响,得到最优的制备参数,并对该参数下的ZnO阻变存储器进行了表征。研究结果表明溶胶凝胶法制备的Zn O为典型的纤锌矿结构,并且在电场作用下ZnO薄膜内产生了由氧空位构成的导电细丝(conductive filaments,CFs)。然后通过线性拟合发现,最优参数下的Al/ZnO/p~+-Si阻变存储器的高、低阻态分别由蒲尔-弗朗克(Poole-Frenkel,P-F)效应电流和空间电荷限制电流(space charge limited current,SCLC)主导。接着将氧空位浓度因子分别引入两种导电模型,得到与实验数据吻合的电流-电压(I-V)特性曲线。模拟结果说明Al/ZnO/p~+-Si阻变存储器的电阻转变由氧空位浓度决定,并且氧空位通过对电子的捕获和发射实现了对导电机理的主导。最后,利用渗透理论得到了氧空位浓度与电导的关系,并考虑了导电细丝的尖端效应,用统一的模型(渗透模型)实现了对Al/ZnO/p~+-Si阻变存储器I-V特性曲线的模拟。渗透模型不仅给出了导电细丝的生长过程、阻变功能层厚度以及导电细丝直径对阻变特性的影响,还揭示了ZnO阻变存储器基层运转机制:电压决定氧空位分布进而决定电流。(本文来源于《兰州大学》期刊2018-04-01）
[6]（2015）在《澳开发出世界首个多态存储器可模拟人脑存储信息》一文中研究指出澳大利亚墨尔本皇家理工大学科学家日前通过模拟人脑处理信息的过程,开发出一种能长期保存信息的存储器。该设备被认为是世界第一个电子多态存储器,能模拟人脑在处理信息的同时对多种信息进行存储的能力,为体外复制大脑和电子仿生大脑的出现铺平了道路。相关论文发表在近期的《先进功能材料》杂志上。(本文来源于《技术与市场》期刊2015年12期）
王泰寰,伦志远,矫亦朋,刘晓彦,杜刚[7]（2014）在《电荷俘获存储器界面缺陷生长模型及其可靠性模拟》一文中研究指出建立界面缺陷态密度随时间变化的模型。对电荷俘获存储器在不同应力条件下的可靠性进行模拟,为正常工作情形下,电荷俘获存储器内界面缺陷的生长机制以及不同应力条件下器件性能的退化提供预测工具。(本文来源于《北京大学学报(自然科学版)》期刊2014年04期）
黄炼军[8]（2014）在《相变存储器的模拟及应用研究》一文中研究指出DRAM的可扩展性由于变得越来越差,逐渐接近极限,不能满足高性能计算机主存的大容量需求。相变存储器(Phase Change Memory,PCM)是一种新兴的非易失性字节寻址的存储器,有望成为DRAM的一种替代产品。PCM相比DRAM具有更高的集成度、更低的静态功耗和非易失性优点。但是,PCM也存在有较大的读写延迟、有限的写寿命等缺点。这些问题阻碍了 PCM的广泛应用。磨损均衡和硬件错误纠正是延长PCM寿命的有效方法。目前缺乏成熟的器件用于PCM的寿命研究,而用软件模拟PCM是一种有效的研究方法。本文研究PCM的寿命问题,主要包括以下两个方面的工作:研究并设计了一个内存trace驱动的PCM模拟器LPCMsim,可以模拟PCM的磨损均衡和纠错算法。LPCMsim读取内存trace产生请求,然后分别对内存trace进行磨损均衡或者纠错的模拟,最后统计分析并输出结果。我们提出了4种不同的策略来解决PCM模拟中的准确性、复杂性和模拟速度的关键问题。第一,LPCMsim不模拟访问PCM的时间。第二,LPCMsim用模块化的设计思想,尽可能地将模拟器的主体功能与模拟的算法实现分开。第叁,LPCMsim专注于PCM磨损均衡和纠错,直接模拟PCM内存的访问,去除不必要的模块和功能,不模拟CPU指令的具体执行过程。第四,LPCMsim分别针对不同的PCM纠错算法的模拟进行了不同的优化。实验结果显示,LPCMsim的模拟时间明显短于两个体系结构模拟器,它是一个高效的轻量级的PCM模拟器。针对PCM磨损均衡算法的在恶意攻击下寿命明显降低的问题,从两个方面改进传统的基于分区的Start-Gap算法的分区映射方法,称新的算法为多向Start-Gap算法。首先,它将分区的静态映射方式改为动态映射方式,使得映射关系无法计算,从而防止了攻击。其次,它将分区到分区的映射方式改为分区到全局空间的映射方式,使得一个逻辑地址可以映射到任何一个物理地址,从而提高了磨损均衡效果。我们在LPCMsim模拟器上实现了多向Start-Gap算法。实验结果显示,该算法有效地提高了磨损均衡效果,并且能够有效抵抗恶意攻击。(本文来源于《湖南大学》期刊2014-05-19）
程兆贤[9]（2013）在《无源UHF RFID系统电子标签模拟前端及存储器低功耗分析与研究》一文中研究指出RFID(射频识别)技术作为一种非接触式无线自动识别技术,其原理是通过射频信号自动识别对象目标而获取相关数据,识别工作过程中不需要人工干预,被认为是条形码无线的版本。RFID技术作为物联网的重要组成部分,随着智慧城市等新兴生活理念及科技理念的产生,它必将得到迅速的发展。近几年,无线超高频识别系统(UHF RFID)技术正在被迅速的应用,特别是在供应链、真假识别、车辆跟踪、产品跟踪等领域受到广泛关注。同时嵌入式EEPROM系统作为电子标签重要要组成部分也广泛应用于这些领域。本论文重点研究了无源超高频射频识别标签芯片模拟前端及EEPROM存储器的设计。在论文的开始,论述了RFID系统整体架构以及其RFID系统工作的原理,并且对与设计相关的协议标准进行了分析与比较。之后,对无源UHF超高频无线射频识别标签芯片的系统结构进行了设计,对低功耗无源电子标签芯片设计中涉及到的关键技术进行了研究,对设计中的创新点进行了着重的阐述。首先提出一种低功耗的模拟前端解调电路设计。与传统解调电路相比该解调电路结构简单,数据解调速度快。本文提出的电路结构采用简单的开关及反相器电路代替传统电路的滤波及比较器电路,在简化电路结构同时实现数据解调,降低在解调数据过程中的功耗。之后,论文设计了一种存储器控制时序电路,该电路可以完成在读卡器发出指令及数据之后到对存储器擦、写或读操作完成之前对存储器电路的控制。与传统电子标签架构对存储控制原理相比,电路减少了在对存储器操作期间电子标签数字电路部分及模拟前端部分处于工作状态的电路,其最大的作用是降低了电子标签在擦操作与写操作期间的整体功耗。同时该电路结构提高了存储器工作稳定性,实现存储器在工作过程中完全独立于外部电路,防止在对存储器进行操作过程中由于通讯的意外中断而导致对存储器工作进程的影响。另外,论文提出了一种改进的存储阵列结构,它可以克服传统存储结构擦操作与写操作必须分开进行的缺点,实现对存储阵列的擦操作与写操作同时进行,而且降低电路功耗,将每擦写流程的工作时间降低一半,使电子标签工作时间缩短。论文设计了一种适用于无源UHF RFID电子标签芯片的测试及开发平台,对电子标签芯片进行相关功能性验证。该平台可以直接与读卡器通信进行测试,也可以与外部FPGA相连进行测试。论文主要研究放在无源UHF RFID电子标签芯片前端模拟电路的设计和EEPROM存储器电路的系统结构改造。本项目采用的工艺为0.18μm2P4M EEPROM进行流片,采用的通信协议为ISO/IEC18000-6标准。设计电路为具有低功耗高性能特性的UHF RFID电子标签。(本文来源于《南开大学》期刊2013-11-01）
徐军,徐萍[10]（2013）在《面向BIT验证的存储器故障模拟及注入方法研究》一文中研究指出随着航空电子设备复杂性的日益增加,BIT作为系统自检和故障诊断与隔离的重要手段,已在各机载设备中广泛应用;为满足航空电子设备中电路板级BIT验证需求,提出了基于模拟的故障注入技术,并针对板上器件——存储器进行了故障模拟;介绍了存储器故障模拟及注入原理,并对存储器常见故障模式以及故障触发方式进行分析,进而构建了故障模型;基于开源模拟器QEMU进行了二次开发,进行了大量修改并添加了故障注入模块,能够支持对存储器的存储单元以及地址译码器进行故障注入;并通过实例验证了该工具的正确性与有效性。(本文来源于《计算机测量与控制》期刊2013年08期）
模拟存储器论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
远距离规则的知识是如何被内隐学习的,研究尚未得出结论。该研究采用和人类被试相同的实验材料和程序,考察了简单循环网络模型(SRN)对两种汉语声调远距离规则——倒映和逆行规则的学习。结果发现:(1)在广泛的参数范围上,SRN能够学会倒映和逆行规则,表明模型的记忆缓冲器可以模拟人类远距离规则的内隐学习;(2)SRN学习倒映规则比逆行规则更好,表明在功能上远距离规则的内隐学习可能优先使用了先进先出的记忆存储器及信息加工模式。该研究为探究远距离规则内隐学习的机制提供了新的证据和视角。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
模拟存储器论文参考文献
[1].高丽娟,白彩艳.静态随机存储器单粒子翻转效应截面的蒙特卡罗模拟[J].山西师范大学学报(自然科学版).2019
[2].李菲菲,刘宝根.远距离规则的内隐学习使用了何种记忆存储器:来自神经网络模拟的证据[J].心理科学.2018
[3].李晓光.磁性数据存储器的微磁模拟与静动态特性分析[D].太原理工大学.2018
[4].房大健.氧化锡基阻变存储器研究及电荷俘获型存储器仿真模拟[D].山东大学.2018
[5].胡聪.ZnO阻变存储器的实验与数值模拟研究[D].兰州大学.2018
[6]..澳开发出世界首个多态存储器可模拟人脑存储信息[J].技术与市场.2015
[7].王泰寰,伦志远,矫亦朋,刘晓彦,杜刚.电荷俘获存储器界面缺陷生长模型及其可靠性模拟[J].北京大学学报(自然科学版).2014
[8].黄炼军.相变存储器的模拟及应用研究[D].湖南大学.2014
[9].程兆贤.无源UHFRFID系统电子标签模拟前端及存储器低功耗分析与研究[D].南开大学.2013
[10].徐军,徐萍.面向BIT验证的存储器故障模拟及注入方法研究[J].计算机测量与控制.2013