导读:本文包含了激子和带电激子论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:CdSe,ZnS量子点,薄膜,带电激子,光谱特性
激子和带电激子论文文献综述
陆梅琳[1]（2016）在《CdSe/ZnS量子点薄膜中带电激子光谱特性研究》一文中研究指出带电激子就是带有额外正电或负电荷的电子空穴对,其光谱特性与中性激子和多激子等有较大差异,因而对光电材料的稳定性、效率等均有重要影响。例如在量子点太阳能电池中,带电激子的产生和演化是多激子产生和电荷拆分转移的重要环节之一,影响着电池的光电转换效率。对带电激子的认识源于量子点发光器件的荧光闪烁和光谱扩散问题,借助于愈发先进的超快光谱技术与电化学手段,相关研究不断深入,同时也为生物荧光和电光器件等的发展提供了更多思路。本文以CdSe/ZnS核壳量子点薄膜为主要研究对象,以光注入和电注入下的时间分辨荧光光谱测量为主要手段,研究带电激子的产生条件、光谱包括动力学特性,并探索了电注入过程中通过阳离子吸附调控带电激子光谱的方法。首先基于带电激子的产生机理,逐渐提高光注入水平(固定频率下)来产生带电激子,用单光子计数手段采集样品的时间分辨光谱后通过全局拟合指认出带电激子(以及双激子等)成分,获得相关光谱特征参数。随后,结合电化学中的叁电极体系和循环伏安方法,对量子点薄膜直接实现电注入并进行光谱测量。以交联处理后的ITO/QD薄膜为工作电极,Pt片和Ag丝为对电极和参比电极,在有机电解液中进行循环伏安扫描,确定还原电位(1Se能级);进而进行叁电极稳压下的荧光光谱和动力学测量,结合两者分析电注入过程,并表征带电激子特性。最后,研究了在有机相电解液中引入水相的氯化钾溶液来调控带电激子光谱的方法。电解液中加入少量的氯化钾溶液,同样外加负电压出现了与单纯有机相中相反的光谱移动—蓝移,同时仍伴有淬灭与动力学寿命变快的现象。围绕阳离子吸附过程,综合量子点周围电场反转、表面态变化以及空穴注入等进行机制分析。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2016-06-01）
张红,张春元,张慧亮,刘建军[2]（2011）在《外加磁场下抛物型量子线中的带电激子》一文中研究指出在一维等效模型下采用有效差分法对抛物型量子阱线中带电激子的束缚能进行了计算,分析了约束势以及磁场对带电激子束缚能的影响,并对带正电激子(X+)和带负电激子(X-)的情况进行了比较.结果表明:电子和空穴的振子强度对带电激子的稳定性有重要影响,X+的束缚能不总是比X-的大,随着空穴振子强度的增加束缚能的函数曲线将会出现交叉,这同实验得到的结果符合;磁场的存在会增加粒子间的束缚,并且磁场对束缚能的影响同振子强度大小有关.(本文来源于《物理学报》期刊2011年07期）
冀子武,郑雨军,徐现刚[3]（2011）在《超强磁场下非掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱中激子和带电激子的光学特性》一文中研究指出报道了液态氦温度(4.2K)下非掺杂ZnSe/BeTeⅡ型量子结构中ZnSe势阱层内空间直接光致发光(PL)光谱的磁场依赖性(磁场高达53T).实验结果显示,随着磁场的增加,激子和带电激子的PL强度呈现出相反的振动行为.当激子的PL强度增加时带电激子的PL强度减小,反之,当激子的强度减小时带电激子的强度却增加.并且在整个磁场范围内,这些振动呈现近似等间隔的周期性变化.这个行为被解释为费米能级与朗道能级的周期性共振,这个共振导致了处于费米能级上的二维电子气态密度的周期性调制.(本文来源于《物理学报》期刊2011年04期）
薛芳[4]（2010）在《磁场作用下椭圆量子环上激子和带电激子的基态能》一文中研究指出本文在有效质量的近似下,研究了垂直磁场作用下椭圆量子环上激子和带电激子(X-1)体系的基态能的Aharonov-Bohm(A-B)振荡。在数值计算过程中,我们采用绝热近似情况下的椭圆量子环模型,在极坐标系下将体系的哈密顿矩阵元进行化简,最后利用矩阵对角化的方法求解哈密顿的特征值,得出体系的基态能。并对结果进行分析讨论,得出如下结论：(1)圆环上激子和带电激子的基态能随着磁场的变化,呈现出明显的A-B振荡,振荡形式相似,振荡周期相同。随着圆环半径的增大,为了实现相同的磁通量,磁场强度就会减小,体系的振荡周期减小。由于动能项在能量上的影响减弱,使振幅减小。库仑相互作用势也减小,但是在整个能量中逐渐占主导地位,使体系的基态能增大,A-B效应逐渐消失。(2)椭圆环上的激子,随着离心率的增加,椭圆环的几何形状越来越扁,环的面积逐渐减小,要实现一定的磁通量,需要增加磁场强度,振荡周期变大。由于椭圆环的空间束缚增强,使环的平均半径变小,库仑相互作用势增强,基态能增加。波函数向椭圆环的两端聚集,破坏了体系的相干性,A-B振荡不明显。(3)椭圆环上的带电激子,比激子体系多一个电子,那么能量中多了一个动能项和两个相互作用势,使整个体系的基态能比激子的低。随着离心率的越来越大,量子环越来越扁,椭圆环的有效面积变小,要达到相同的磁通量,就需要增强磁场强度,所以振荡周期增大。环的平均半径减小,库仑相互作用势增加,基态能增加。椭圆环的形状越扁,破坏了波函数的周期性边界条件,使波函数在椭圆量子环上出现的几率不均匀,影响了体系的对称性,A-B振荡逐渐消失。(本文来源于《河北师范大学》期刊2010-10-28）
冀子武,叁野弘文,音贤一,室清文,秋本良一[5]（2008）在《掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱结构中带电激子的磁场效应》一文中研究指出报道了n型掺杂ZnSe/BeTe/ZnSeⅡ型量子阱(type-ⅡQW)在极低温(5—10 K)条件下的各种光学性质.磁场中(Farada配置)ZnSe层的反射光谱展示了一个典型的负的带电激子(X-)的跃迁特征.对于空间间接光致发光(spaciallyindirect PL)光谱,它的主发光峰显示了一个反玻尔兹曼分布的非对称性,并且在磁场中(Voigt配置)它的峰值能量随磁场的增加而降低.这些实验结果显示了该掺杂样品的空间间接PL是来自Ⅱ型QW结构所特有的带电激子的跃迁.(本文来源于《物理学报》期刊2008年10期）
冀子武,鲁云,陈锦祥,叁野弘文,秋本良一[6]（2008）在《调制掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱结构中的内秉电场和新型带电激子》一文中研究指出报道了调制掺杂的ZnSe/BeTe/ZnSeⅡ型量子阱(type-ⅡQW)在低温(2—5K)条件下的光致发光(PL),光致发光激发(PLE)和磁性光致发光(magneto-PL)光谱的实验结果.观察到非掺杂样品的PL有两个很强的主发光峰而掺杂样品只有一个的奇异发光.PL直线偏振度和PLE的测量结果都表明了这些空间间接型跃迁PL是来自两个异质结界面的贡献,非掺杂样品的两个主发光峰的分离则是起因于QW结构中的内秉电场(built-in electric field).在平行于QW生长方向的强磁场中,掺杂样品的发光强度和主发光峰能量都显示了一个光学Shubinkov-de Hass(SdH)振荡.这些特征及另外的吸收光谱测量结果都表明,在掺杂样品中已经形成了一个高浓度的二维电子气;它具有type-ⅡQW所特有的带电激子的特征.(本文来源于《物理学报》期刊2008年02期）
李卫艳[7]（2006）在《无限深GaAs量子阱线中带电激子体系的变分计算》一文中研究指出由于半导体量子阱线中激子和复杂激子的特性在光学器件中有着重要的作用。所以对低维半导体结构(量子阱、量子阱线，量子点等)在过去几年内无论是在实验还是理论研究都取得了一些成果。但对量子阱线中带电激子体系的研究很少，所以本文主要研究量子阱线中带电激子的性质。 本文在有效质量近似下，采用两变分参数的变分的方法，计算了激子和带电激子在无限深GaAs量子阱线中的基态束缚能。都得到了较好的结果。 首先，本文计算了无限深GaAs量子阱线中单激子体系的基态束缚能，我们的结果与前人的理论和实验结果符合的很好。 然后，用两变分参数的方法对无限深GaAs量子阱线中的X~+体系进行研究，求得体系的基态束缚能。 最后，我们对计算的结果进行了详细的分析和讨论，并与前人的理论结果进行了比较，得到的结论如下： (1) 无限深GaAs量子阱线中带电激子的基态束缚能随量子阱线宽度的增加而减小，当阱线宽很窄时，束缚能趋于无穷大，没有峰值的原因是因为采用了无限深势的量子阱线模型；当阱线宽趋于较大值时，体系的束缚能趋于GaAs体材料中的数值。把我们的结果与相同条件下的中性施主束缚激子(D~0，X)的束缚能、有限深GaAs量子阱中带电激子的束缚能进行了比较，表明了所得结果的合理性。 (2) 计算了矩形量子阱线中当矩形一边长W一定时，带电激子的束缚能随另一边长L的变化关系。当W一定时，束缚能随L的增大而减小。结果表明：量子阱线中体系的束缚能取决于约束截面的横截面积，而不(本文来源于《河北师范大学》期刊2006-06-30）
张淑芳[8]（2002）在《GaAs-Al_xGa_(1-x)As量子阱中带电激子的性质》一文中研究指出在有效质量近似下，我们采用二维等效势模型，并且选取了数学形式简单、物理意义明确的两参数变分波函数，利用变分法数值计算了有限深GaAs—Al_(0.33)Ga_(0.67)As量子阱中带电激子的基态束缚能及相关能，所得结果与实验结果符合得很好。 首先，我们计算了有限深GaAs-Al_(0.33)Ga_(0.67)As量子阱中激子的束缚能，其中考虑到了阱和垒两种材料中电子和空穴的有效质量以及介电常数的失配影响，我们计算得到的激子的束缚能及相关能与前人的理论结果和实验结果基本上相符合。 然后，我们用二维等效势模型，把阱中激子等效为二维激子，计算得到了参数α_x和γ_x随阱宽的变化。 对于有限深GaAs-Al_(0.33)Ga_(0.67)As量子阱中的带电激子，仍然采用二维等效势模型。在该模型中，我们选取变分波函数Φ((?)_1，(?)_2，(?)_3)=R_(213)~αe~(-βR_(213))e~(-α_xP_(13))+(1(?)2)，在波函数中，考虑到了粒子间的全部库仑相互作用，并且计入因相同粒子不可识别所带来的交换项的影响，α和β是变分参数，而α_X和γ_X由变分激子态的能量得到的两个方程确定。通过复杂的数学推导得到带电激子体系能量的数学表达式，对变分参数α和β变分可确定出变分参数α和β，从而得到体系能，进而计算出体系的束缚能和相关能随阱宽的变化。 最后，我们对计算结果进行了详细地分析和讨论，与前人的理论结果和实验结果相比较，得出如下结论： (1)带电激子体系的束缚能随阱宽的变化与前人的理论结果基本上相符合，峰值所对应的阱宽约为30A，但束缚能峰值为3meV左右，大于前人的理论结果。与现有的实验结 卜I北帅他人学颀I：毕业沦义 张埔芳 果比较，我们的计算结果与其符合得很好。 （2）带电激于体系的相关能随阶宽的变化与前人的结果大致 相符，其绝对值略低于前人的理论数值，但是曲线的变化 趋势保持一致。(本文来源于《河北师范大学》期刊2002-05-01）
激子和带电激子论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
在一维等效模型下采用有效差分法对抛物型量子阱线中带电激子的束缚能进行了计算,分析了约束势以及磁场对带电激子束缚能的影响,并对带正电激子(X+)和带负电激子(X-)的情况进行了比较.结果表明:电子和空穴的振子强度对带电激子的稳定性有重要影响,X+的束缚能不总是比X-的大,随着空穴振子强度的增加束缚能的函数曲线将会出现交叉,这同实验得到的结果符合;磁场的存在会增加粒子间的束缚,并且磁场对束缚能的影响同振子强度大小有关.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
激子和带电激子论文参考文献
[1].陆梅琳.CdSe/ZnS量子点薄膜中带电激子光谱特性研究[D].哈尔滨工业大学.2016
[2].张红,张春元,张慧亮,刘建军.外加磁场下抛物型量子线中的带电激子[J].物理学报.2011
[3].冀子武,郑雨军,徐现刚.超强磁场下非掺杂ZnSe/BeTeⅡ型量子阱中激子和带电激子的光学特性[J].物理学报.2011
[4].薛芳.磁场作用下椭圆量子环上激子和带电激子的基态能[D].河北师范大学.2010
[5].冀子武,叁野弘文,音贤一,室清文,秋本良一.掺杂ZnSe/BeTeⅡ型量子阱结构中带电激子的磁场效应[J].物理学报.2008
[6].冀子武,鲁云,陈锦祥,叁野弘文,秋本良一.调制掺杂ZnSe/BeTeⅡ型量子阱结构中的内秉电场和新型带电激子[J].物理学报.2008
[7].李卫艳.无限深GaAs量子阱线中带电激子体系的变分计算[D].河北师范大学.2006
[8].张淑芳.GaAs-Al_xGa_(1-x)As量子阱中带电激子的性质[D].河北师范大学.2002